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公开(公告)号：CN119899029A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202311409349.6
申请日：2023-10-27
Applicant: 深圳先进电子材料国际创新研究院
IPC: C04B35/468 , H01G11/00 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开一种二氧化锰掺杂钛酸钡基介质材料的制备方法，包括步骤：(1)将MnO2按照摩尔量0.3～1.0mol％添加与BaTiO3混合，得到混合料；(2)将混合料放到球磨罐中，加入氧化锆小球和无水乙醇，在转速为450～480r/min下球磨24～26小时，将球磨后的粉料烘干，随后通过150目筛网过筛处理，得到过筛后烘干粉体；(3)向过筛后烘干粉体中加入8wt％的粘结剂，150目过筛后，进行造粒，压片成型处理，得到生胚；(4)将生坯先排粘结剂，再进行1200～1300℃还原气氛中烧结，保温1～2h，即得。本发明制备的二氧化锰掺杂钛酸钡基介质材料介电常数和绝缘电阻率高于空气中烧结样品。
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公开(公告)号：CN119330701A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202310885631.5
申请日：2023-07-19
Applicant: 深圳先进电子材料国际创新研究院
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种巨介电BaTiO3陶瓷材料及其制备方法和应用。该制备方法包括以下步骤：(1)将钛酸钡粉体和稀土氧化物粉体进行湿法球磨混合；(2)将球磨后的混合浆料进行干燥得到粉料，然后加入粘结剂研磨造粒、干压成型；(3)将干压成型得到的样品进行烧结，即得到巨介电BaTiO3陶瓷材料；以钛酸钡粉体为100mol计，稀土氧化物粉体的掺杂量为：0＜稀土氧化物粉体＜0.7mol；烧结的温度为1250～1300℃。本发明提供的巨介电BaTiO3陶瓷材料不仅致密、晶粒细小，而且在宽温和宽频范围内具有巨介电性能。
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公开(公告)号：CN118930251A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411077192.6
申请日：2024-08-07
Applicant: 深圳先进电子材料国际创新研究院
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 本发明涉及一种共掺杂钛酸钡陶瓷介电材料，所述共掺杂钛酸钡陶瓷介电材料包括主体材料和掺杂材料，所述主体材料包括BaTiO3颗粒，所述BaTiO3颗粒的平均粒径为80‑140nm，所述掺杂材料包括MgO、SiO2、MnO2和Ho2O3。本发明以BaTiO3作为主体材料，能够降低工艺复杂程度，节约成本。本发明通过使用主体BaTiO3颗粒的平均粒径在80‑140nm，通过添加掺杂材料，可以有效抑制烧结过程中容易出现的晶粒长大，最终能够得到平均粒径在160‑230nm的陶瓷介电材料。
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公开(公告)号：CN115924963B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202211607210.8
申请日：2022-12-14
Applicant: 深圳先进电子材料国际创新研究院
IPC: C01G23/00
Abstract: 本发明提供一种水热法合成四方相纳米钛酸钡的制备方法、四方相纳米钛酸钡及其应用，属于陶瓷粉体制备技术领域。本发明的水热法合成四方相纳米钛酸钡的制备方法，包括以下步骤：使用钡源配制钡盐溶液，将二氧化钛加入钡盐溶液中，加入氯化物溶液，加入矿化剂溶液调节溶液pH值，得到钛酸钡前驱体悬浊液；将所述钛酸钡前驱体悬浊液转移到水热反应釜进行水热反应；将水热合成的钛酸钡悬浊液用乙酸和去离子水洗涤、过滤；再在烘箱中干燥后研磨。本发明的制备方法操作简单，成本低廉，适合宏量制备，制备得到钛酸钡四方性高、结晶性好、杂质少、粒径小、分布均匀，平均粒径约为150nm，性能优异可应用于多层陶瓷电容器中。
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公开(公告)号：CN116840215A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310818742.4
申请日：2023-07-05
Applicant: 深圳先进电子材料国际创新研究院
Abstract: 一种快速分析MLCC截面残余热应力的方法，属于热应力分析技术领域。本发明方法包括：(1)将MLCC器件放置于环氧树脂和固化剂的混合试剂中，进行固化；(2)放置于贴有砂纸的金相抛磨机上进行抛光；(3)待MLCC器件表面呈镜像、无明显划痕后，进行烘烤，待树脂脆化后将MLCC器件取出；(4)将处理后的MLCC器件固定在拉曼光谱仪载物台上，采用激光进行面扫；(5)以特征峰作为衡量频移的基准频率，处理数据并输出面扫数据与图像。本发明实现了对MLCC器件截面残余热应力分布的表征，能够直观表征、快速有效的分析MLCC器件截面残余热应力分布情况，并对器件结构优化提出参考性建议。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114573336A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210135996.1
申请日：2022-02-14
Applicant: 广东风华高新科技股份有限公司 , 深圳先进电子材料国际创新研究院
IPC: C04B35/468 , C04B35/626 , C04B35/63 , C04B41/88 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷介电材料、陶瓷电容器及其制备方法，属于材料技术领域；本发明的陶瓷介电材料包括以下摩尔质量百分数的组分：钛酸钡94.0‑98.0％、玻璃相1.2‑2.5％、抗还原剂0.5‑1.0％、碱金属化合物0.5‑1.5％、稀土元素的氧化物0.5‑3.0％；所述稀土元素的氧化物包括Dy2O3、Y2O3和Tm2O3，得到的陶瓷介电材料具有稳定电容特性、高介电常数和高温度稳定性且更容易叠层；本发明的陶瓷电容器是以陶瓷介电材料为原料烧结而成，得到的陶瓷电容器符合X5R标准，且在常温段内能很好的稳定温度造成的电容值剧烈变化的影响；同时本发明提供的陶瓷介电材料和陶瓷电容器的制备方法简单、操作简便，不含有毒有害物质，制备得到的陶瓷电容器致密度高、晶粒小、缺陷少，适合实际生产应用。
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公开(公告)号：CN116022841B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202211631575.4
申请日：2022-12-19
Applicant: 深圳先进电子材料国际创新研究院
Abstract: 本发明涉及无机功能材料领域，提供了一种钛酸钡钙粉体的制备方法及其应用。该钛酸钡钙粉体的制备方法包括以下步骤：配置钡溶液，称取一定量的钙源加入钡溶液中，再称取一定量二氧化钛粉末缓慢加入到混合液中，向混合溶液中滴加矿化剂，调节溶液的pH值，将混合均匀的溶液转移到反应釜中进行水热反应，待反应结束后，冷却至室温，打开反应釜，将水热反应产物用去离子水和乙酸溶液进行洗涤、过滤、干燥，得到白色的钛酸钡钙粉体。本发明采用上述水热法制备方法，原料易得、制备成本低廉、四方性较高、结晶性好、无杂相、粒径小，本发明合成的钛酸钡钙粉体能够满足电子陶瓷工业对于高品质钛酸钡钙的需求，可适用于多层陶瓷电容器(MLCC)。
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公开(公告)号：CN118754645A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410921812.3
申请日：2024-07-10
Applicant: 深圳先进电子材料国际创新研究院
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/63 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供一种改性钛酸钡陶瓷介质材料及其制备方法和陶瓷电容器，所述制备方法包括以下步骤：(1)将钛酸钡材料和抗还原剂混合，然后进行造粒和压片成型，得到陶瓷生坯；(2)对所述陶瓷生坯进行排胶，然后在还原性气氛中对所述陶瓷生坯进行烧结，得到所述改性钛酸钡陶瓷介质材料；其中，抗还原剂包括V2O5和/或Cr2O3。本发明采用包括V2O5和/或Cr2O3的抗还原剂对钛酸钡材料进行改性，有效抑制了钛酸钡陶瓷介质材料的被还原，提升了其抗还原性能，具有广阔的发展前景。基于该制备方法制得的改性钛酸钡陶瓷介质材料具有低介电损耗和优异的绝缘性能，可制备得到长寿命、可靠性强的陶瓷电容器。
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公开(公告)号：CN118711986A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411057450.4
申请日：2024-08-02
Applicant: 深圳先进电子材料国际创新研究院
Abstract: 本发明提供了一种镍电极及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：(1)将介电浆料、粘结剂和增塑剂混合，得到陶瓷浆料；(2)将镍浆与掺杂材料混合，得到掺杂型镍浆；(3)对陶瓷浆料进行流延处理得到介质膜片，将掺杂型镍浆涂覆在所述介质膜片上，烘干得到所述镍电极。本发明使用含有掺杂元素的掺杂型镍浆与陶瓷介质膜片复合制成镍电极，仅通过对镍浆进行掺杂改性，即可提高贱金属内电极多层陶瓷电容器的可靠性。
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公开(公告)号：CN116177594A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211631722.8
申请日：2022-12-19
Applicant: 深圳先进电子材料国际创新研究院
IPC: C01G23/00
Abstract: 本发明属于电子陶瓷粉体制备技术领域，提供了一种立方相钛酸钡转变为四方相的回转炉烧结工艺，包括以下步骤：将立方相钛酸钡前驱体装入回转炉煅烧，煅烧温度为750℃～1000℃，保温1h～2h，回转炉转速为2‑8转/分钟，得到四方相钛酸钡粉体。立方相钛酸钡置于回转炉中煅烧，避免了由普通煅烧引起的颗粒尺寸的长大同时又消除了水热法粉体中的羟基缺陷。提升了粉体的四方性，同时保持了钛酸钡粉体的小粒径。本发明制备的钛酸钡的粒径约为100nm，四方性为1.0082，其能够满足电子陶瓷工业对高质量钛酸钡的要求，因此，可用于超薄层多层陶瓷电容器(MLCC)中。
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