-
公开(公告)号:CN103597580A
公开(公告)日:2014-02-19
申请号:CN201280019802.6
申请日:2012-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 理查德·O·柯林斯 , 戴维·K·卡尔森 , 凯文·鲍蒂斯塔 , 赫尔曼·P·迪尼兹 , 凯拉什·帕塔雷 , 尼·O·谬 , 丹尼斯·L·德马斯 , 克里斯托夫·马卡德 , 史蒂夫·江珀 , 萨瑟施·库珀奥
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/0236 , C23C16/301 , C23C16/4412 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/4584 , C23C16/46
Abstract: 本文提供用于将材料沉积在基板上的方法及设备。在一些实施方式中,用于处理基板的设备可包括:处理腔室,该处理腔室具有安置于该处理腔室中的基板支撑件,以支撑基板的处理表面;喷射器,该喷射器被安置至基板支撑件的第一侧,且该喷射器具有第一流动路径以提供第一处理气体及具有第二流动路径以独立于第一处理气体而提供第二处理气体,其中喷射器被定位以提供第一处理气体及遍及基板的处理表面;喷淋头,该喷淋头安置于基板支撑件的上方以提供第一处理气体至基板的处理表面;以及排气口,该排气口安置于基板支撑件的第二侧且与喷射器相对以从处理腔室排出第一处理气体及第二处理气体。
-
公开(公告)号:CN103503113B
公开(公告)日:2016-02-17
申请号:CN201280021873.X
申请日:2012-04-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 马塞尔·E·约瑟夫森 , 戴维·K·卡尔森 , 史蒂夫·江珀 , 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯
IPC: H01L21/02
CPC classification number: G05D7/0641 , Y10T137/4259 , Y10T137/6416 , Y10T137/7043 , Y10T137/8593
Abstract: 本发明公开的化学输送系统的实施例可包括:外壳;设置在外壳内的第一隔室,且第一隔室具有运送第一组化学物种的多个第一导管,第一隔室进一步具有帮助净化气体流经该第一隔室的第一吸气开口和第一排气开口;和设置在外壳内的第二隔室,且第二隔室具有运送第二组化学物种的多个第二导管,第二隔室进一步具有帮助该净化气体流经第二隔室的第二吸气开口和第二排气开口,其中第一组化学物种不同于第二组化学物种,且其中净化气体流经第二隔室吸气速度大于净化气体流经第一隔室的吸气速度。
-
公开(公告)号:CN105925953B
公开(公告)日:2019-01-22
申请号:CN201610312064.4
申请日:2012-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 理查德·O·柯林斯 , 戴维·K·卡尔森 , 凯文·鲍蒂斯塔 , 赫尔曼·P·迪尼兹 , 凯拉什·帕塔雷 , 尼·O·谬 , 丹尼斯·L·德马斯 , 克里斯托夫·马卡德 , 史蒂夫·江珀 , 萨瑟施·库珀奥
IPC: C23C16/02 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46
Abstract: 本文提供用于将材料沉积在基板上的方法及设备。在一些实施方式中,用于处理基板的设备可包括:处理腔室,该处理腔室具有安置于该处理腔室中的基板支撑件,以支撑基板的处理表面;喷射器,该喷射器被安置至基板支撑件的第一侧,且该喷射器具有第一流动路径以提供第一处理气体及具有第二流动路径以独立于第一处理气体而提供第二处理气体,其中喷射器被定位以提供第一处理气体及遍及基板的处理表面;喷淋头,该喷淋头安置于基板支撑件的上方以提供第一处理气体至基板的处理表面;以及排气口,该排气口安置于基板支撑件的第二侧且与喷射器相对以从处理腔室排出第一处理气体及第二处理气体。
-
公开(公告)号:CN103597580B
公开(公告)日:2016-06-29
申请号:CN201280019802.6
申请日:2012-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 理查德·O·柯林斯 , 戴维·K·卡尔森 , 凯文·鲍蒂斯塔 , 赫尔曼·P·迪尼兹 , 凯拉什·帕塔雷 , 尼·O·谬 , 丹尼斯·L·德马斯 , 克里斯托夫·马卡德 , 史蒂夫·江珀 , 萨瑟施·库珀奥
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/0236 , C23C16/301 , C23C16/4412 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/4584 , C23C16/46
Abstract: 本文提供用于将材料沉积在基板上的方法及设备。在一些实施方式中,用于处理基板的设备可包括:处理腔室,该处理腔室具有安置于该处理腔室中的基板支撑件,以支撑基板的处理表面;喷射器,该喷射器被安置至基板支撑件的第一侧,且该喷射器具有第一流动路径以提供第一处理气体及具有第二流动路径以独立于第一处理气体而提供第二处理气体,其中喷射器被定位以提供第一处理气体及遍及基板的处理表面;喷淋头,该喷淋头安置于基板支撑件的上方以提供第一处理气体至基板的处理表面;以及排气口,该排气口安置于基板支撑件的第二侧且与喷射器相对以从处理腔室排出第一处理气体及第二处理气体。
-
公开(公告)号:CN105925953A
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201610312064.4
申请日:2012-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 理查德·O·柯林斯 , 戴维·K·卡尔森 , 凯文·鲍蒂斯塔 , 赫尔曼·P·迪尼兹 , 凯拉什·帕塔雷 , 尼·O·谬 , 丹尼斯·L·德马斯 , 克里斯托夫·马卡德 , 史蒂夫·江珀 , 萨瑟施·库珀奥
IPC: C23C16/02 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46
CPC classification number: C23C16/0236 , C23C16/301 , C23C16/4412 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/4584 , C23C16/46
Abstract: 本文提供用于将材料沉积在基板上的方法及设备。在一些实施方式中,用于处理基板的设备可包括:处理腔室,该处理腔室具有安置于该处理腔室中的基板支撑件,以支撑基板的处理表面;喷射器,该喷射器被安置至基板支撑件的第一侧,且该喷射器具有第一流动路径以提供第一处理气体及具有第二流动路径以独立于第一处理气体而提供第二处理气体,其中喷射器被定位以提供第一处理气体及遍及基板的处理表面;喷淋头,该喷淋头安置于基板支撑件的上方以提供第一处理气体至基板的处理表面;以及排气口,该排气口安置于基板支撑件的第二侧且与喷射器相对以从处理腔室排出第一处理气体及第二处理气体。
-
公开(公告)号:CN103503113A
公开(公告)日:2014-01-08
申请号:CN201280021873.X
申请日:2012-04-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 马塞尔·E·约瑟夫森 , 戴维·K·卡尔森 , 史蒂夫·江珀 , 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯
IPC: H01L21/02
CPC classification number: G05D7/0641 , Y10T137/4259 , Y10T137/6416 , Y10T137/7043 , Y10T137/8593
Abstract: 本发明公开的化学输送系统的实施例可包括:外壳;设置在外壳内的第一隔室,且第一隔室具有运送第一组化学物种的多个第一导管,第一隔室进一步具有帮助净化气体流经该第一隔室的第一吸气开口和第一排气开口;和设置在外壳内的第二隔室,且第二隔室具有运送第二组化学物种的多个第二导管,第二隔室进一步具有帮助该净化气体流经第二隔室的第二吸气开口和第二排气开口,其中第一组化学物种不同于第二组化学物种,且其中净化气体流经第二隔室吸气速度大于净化气体流经第一隔室的吸气速度。
-
-
-
-
-