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公开(公告)号：CN117107221A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310911111.7
申请日：2017-02-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 理查德·O·柯林斯 , 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 戴维·K·卡尔森 , 穆罕默德·图鲁尔·萨米尔
IPC: C23C16/458 , H01L21/687
Abstract: 本文描述的实施方式一般涉及用于在沉积工艺中支撑基座的基座支撑件。所述基座支撑件包括轴杆；板，所述板具有耦合到轴杆的第一主要表面；和支撑元件，所述支撑元件从板的第二主要表面延伸。所述板可由对来自设置在板下方的多个能量源的辐射能量光学透明的材料制成。所述板可具有足够小以将辐射传输损耗最小化并且足够大以在处理期间热稳定并且机械稳定地支撑基座的厚度。所述板的厚度范围可为约2mm至约20mm。
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公开(公告)号：CN108886014B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201780018465.1
申请日：2017-02-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 理查德·O·柯林斯 , 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 戴维·K·卡尔森 , 穆罕默德·图鲁尔·萨米尔
IPC: H01L21/683 , H01L21/205 , H01L21/687
Abstract: 本文描述的实施方式一般涉及用于在沉积工艺中支撑基座的基座支撑件。所述基座支撑件包括轴杆；板，所述板具有耦合到轴杆的第一主要表面；和支撑元件，所述支撑元件从板的第二主要表面延伸。所述板可由对来自设置在板下方的多个能量源的辐射能量光学透明的材料制成。所述板可具有足够小以将辐射传输损耗最小化并且足够大以在处理期间热稳定并且机械稳定地支撑基座的厚度。所述板的厚度范围可为约2mm至约20mm。
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公开(公告)号：CN108364889A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810152083.4
申请日：2013-12-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 常安忠 , 保罗·布里尔哈特 , 穆罕默德·图格鲁利·萨米尔 , 安·N·阮 , 凯拉什·基兰·帕塔雷 , 苏拉吉特·库马尔 , 史蒂夫·阿博阿杰 , 戴维·K·卡尔森 , 萨瑟施·库珀奥 , 约瑟夫·M·拉内什 , 欧勒格·塞雷布里安诺夫 , 姚东明 , 刘树坤 , 朱作明 , 赫尔曼·迪尼兹
IPC: H01L21/67 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/67115 , C23C16/45504
Abstract: 本发明的实施方式涉及一种石英拱形结构组件。该拱形结构组件包括上拱形结构与下拱形结构。该上拱形结构包括：中心窗；以及上周边凸缘，该上周边凸缘在该中心窗的圆周处接合于该中心窗，其中在该中心窗的内侧表面上的切线相对于该周边凸缘的平坦上表面成约8°至约16°的角度，该切线通过该中心窗与该上周边凸缘的相交处。该下拱形结构包括：下周边凸缘；以及底部，该底部连接该下周边凸缘与中心开口，其中在该底部的外侧表面上的切线相对于该下周边凸缘的平坦底部表面成约8°至约16°的角度，该切线通过该下周边凸缘与该底部的相交处。
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公开(公告)号：CN104885192B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201380067617.9
申请日：2013-12-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 常安忠 , 保罗·布里尔哈特 , 穆罕默德·图格鲁利·萨米尔 , 安·N·阮 , 凯拉什·基兰·帕塔雷 , 苏拉吉特·库马尔 , 史蒂夫·阿博阿杰 , 戴维·K·卡尔森 , 萨瑟施·库珀奥 , 约瑟夫·M·拉内什 , 欧勒格·塞雷布里安诺夫 , 姚东明 , 刘树坤 , 朱作明 , 赫尔曼·迪尼兹
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67115 , C23C16/45504
Abstract: 本发明的实施方式涉及一种拱形结构组件。该拱形结构组件包括上拱形结构与下拱形结构。该上拱形结构包括：中心窗；以及上周边凸缘，该上周边凸缘在该中心窗的圆周处接合于该中心窗，其中在该中心窗的内侧表面上的切线相对于该周边凸缘的平坦上表面成约8°至约16°的角度，该切线通过该中心窗与该上周边凸缘的相交处。该下拱形结构包括：下周边凸缘；以及底部，该底部连接该下周边凸缘与中心开口，其中在该底部的外侧表面上的切线相对于该下周边凸缘的平坦底部表面成约8°至约16°的角度，该切线通过该下周边凸缘与该底部的相交处。
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公开(公告)号：CN105925953A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610312064.4
申请日：2012-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 理查德·O·柯林斯 , 戴维·K·卡尔森 , 凯文·鲍蒂斯塔 , 赫尔曼·P·迪尼兹 , 凯拉什·帕塔雷 , 尼·O·谬 , 丹尼斯·L·德马斯 , 克里斯托夫·马卡德 , 史蒂夫·江珀 , 萨瑟施·库珀奥
IPC: C23C16/02 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46
CPC classification number: C23C16/0236 , C23C16/301 , C23C16/4412 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/4584 , C23C16/46
Abstract: 本文提供用于将材料沉积在基板上的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备可包括：处理腔室，该处理腔室具有安置于该处理腔室中的基板支撑件，以支撑基板的处理表面；喷射器，该喷射器被安置至基板支撑件的第一侧，且该喷射器具有第一流动路径以提供第一处理气体及具有第二流动路径以独立于第一处理气体而提供第二处理气体，其中喷射器被定位以提供第一处理气体及遍及基板的处理表面；喷淋头，该喷淋头安置于基板支撑件的上方以提供第一处理气体至基板的处理表面；以及排气口，该排气口安置于基板支撑件的第二侧且与喷射器相对以从处理腔室排出第一处理气体及第二处理气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103503113A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280021873.X
申请日：2012-04-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马塞尔·E·约瑟夫森 , 戴维·K·卡尔森 , 史蒂夫·江珀 , 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯
IPC: H01L21/02
CPC classification number: G05D7/0641 , Y10T137/4259 , Y10T137/6416 , Y10T137/7043 , Y10T137/8593
Abstract: 本发明公开的化学输送系统的实施例可包括：外壳；设置在外壳内的第一隔室，且第一隔室具有运送第一组化学物种的多个第一导管，第一隔室进一步具有帮助净化气体流经该第一隔室的第一吸气开口和第一排气开口；和设置在外壳内的第二隔室，且第二隔室具有运送第二组化学物种的多个第二导管，第二隔室进一步具有帮助该净化气体流经第二隔室的第二吸气开口和第二排气开口，其中第一组化学物种不同于第二组化学物种，且其中净化气体流经第二隔室吸气速度大于净化气体流经第一隔室的吸气速度。
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公开(公告)号：CN102934200A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180028089.7
申请日：2011-05-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戴维·K·卡尔森
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67115
Abstract: 本文提供了一种窗组件的实施例。在一些实施例中，一种在基板处理系统中使用的窗组件包括：第一窗，对光能量至少部分透明；第二窗，对光能量透明并且实质上平行于第一窗；以及分隔件，被设置成与第一窗和第二窗的周边边缘接近，并且在第一窗与第二窗之间限定密封间隙，其中分隔件具有入口与出口，以使气体流过密封间隙。在一些实施例中，一个或多个支撑构件设置在密封间隙中，以在第一窗与第二窗之间保持实质上一致的间隙距离。在一些实施例中，多个光调整构件设置在间隙中，以调整穿过光调整构件的光能量的一个或多个性质。
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公开(公告)号：CN105925953B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610312064.4
申请日：2012-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 理查德·O·柯林斯 , 戴维·K·卡尔森 , 凯文·鲍蒂斯塔 , 赫尔曼·P·迪尼兹 , 凯拉什·帕塔雷 , 尼·O·谬 , 丹尼斯·L·德马斯 , 克里斯托夫·马卡德 , 史蒂夫·江珀 , 萨瑟施·库珀奥
IPC: C23C16/02 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46
Abstract: 本文提供用于将材料沉积在基板上的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备可包括：处理腔室，该处理腔室具有安置于该处理腔室中的基板支撑件，以支撑基板的处理表面；喷射器，该喷射器被安置至基板支撑件的第一侧，且该喷射器具有第一流动路径以提供第一处理气体及具有第二流动路径以独立于第一处理气体而提供第二处理气体，其中喷射器被定位以提供第一处理气体及遍及基板的处理表面；喷淋头，该喷淋头安置于基板支撑件的上方以提供第一处理气体至基板的处理表面；以及排气口，该排气口安置于基板支撑件的第二侧且与喷射器相对以从处理腔室排出第一处理气体及第二处理气体。
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公开(公告)号：CN108034931A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711105746.9
申请日：2014-02-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/48 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45502 , C23C16/4411 , C23C16/45504 , C23C16/45563 , C23C16/458 , C23C16/4584 , C23C16/481
Abstract: 本文描述的实施方式涉及用于基板处理腔室的基环组件。在一实施方式中，所述基环组件包括环形主体、上环与下环，所述环形主体的尺寸被设计以容置在所述基板处理腔室的内圆周内，所述环形主体包括装载端口以使基板通过、气体入口以及气体出口，其中所述气体入口与所述气体出口被设置在所述环形主体的相对端处，所述上环被配置以设于所述环形主体的顶表面上，所述下环被配置以设于所述环形主体的底表面上，其中所述上环、所述下环与所述环形主体一旦组装即大体呈同心或共轴的。
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公开(公告)号：CN106796871A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580046101.5
申请日：2015-08-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
Abstract: 本文提供的实施方式一般地涉及在半导体处理腔室中用于气体递送的装置。该装置可以是气体分配板，该气体分配板具有形成于该气体分配板中的多个通孔与多个盲孔。提供工艺气体穿过该气体分配板的这些通孔至半导体处理腔室的处理空间中。这些盲孔用于使用相变化材料控制气体分配板的温度。
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