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公开(公告)号：CN111052334B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201880056028.3
申请日：2018-08-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H05H1/46 , H01L21/683
Abstract: 本申请案的实施方式大体上涉及耦接到至少一个气相外延腔室的转移腔室及耦接至转移腔室的等离子体氧化物移除腔室，等离子体氧化物移除腔室包括具有混合腔室及气体分配器的盖组件；穿过盖组件的一部分形成并与混合腔室流体连通的第一气体入口；穿过盖组件的一部分形成并与混合腔室流体连通的第二气体入口；穿过盖组件的一部分形成并与混合腔室流体连通的第三气体入口；及具有基板支撑表面的基板支撑件；升降构件，所述升降构件设置在基板支撑表面的凹槽中且经由基板支撑件耦接至升降致动器；及耦接至传送腔室的装载锁定腔室。
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公开(公告)号：CN111033713A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880054151.1
申请日：2018-08-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H05H1/46 , H01L21/677 , H01L21/683
Abstract: 在一个实施方案中，处理系统包括第一转移腔室、第二转移腔室、过渡站、第一等离子体腔室、及装载锁定腔室，第一转移腔室耦接到至少一个外延处理腔室，过渡站设置于第一转移腔室与第二转移腔室之间，第一等离子体腔室耦接至第二转移腔室，以用于从基板的表面移除氧化物，装载锁定腔室耦接至第二转移腔室。过渡站连接到第一转移腔室与第二转移腔室，并且过渡站包括用于从基板的表面移除污染物的第二等离子体腔室。
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公开(公告)号：CN103534799B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201280023240.2
申请日：2012-05-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/68 , H01L21/67115 , H01L21/67259
Abstract: 本发明的实施例提供用于使用电容式传感器将基板放置于处理腔室中的设备和方法。本发明的一个实施例提供用于处理基板的设备。设备包括设置在内空间中的第一电容式传感器和第二电容式传感器。第一电容式传感器放置为在第一角位置处检测基板的边缘的位置。第二电容式传感器放置为检测基板的垂直位置。
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公开(公告)号：CN114270487A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080053036.X
申请日：2020-06-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朱作明 , 刘树坤 , 阿拉·莫拉迪亚 , 朱恩乐 , 芙洛拉·芳-松·张 , 维伦·K·内斯托洛夫 , 叶祉渊 , 宾杜萨加·马拉·圣卡拉通 , 马克西姆·D·沙波什尼科夫 , 苏伦德拉·辛格·斯利瓦斯塔瓦 , 丛者澎 , 帕特里夏·M·刘 , 埃罗尔·C·桑切斯 , 詹妮·C·林 , 舒伯特·S·楚 , 巴拉克里希南·R·贾姆帕纳
Abstract: 一种用于在处理腔室内处理基板的方法，包含以下步骤：接收与设置在处理腔室内的目标元件上的膜相对应的第一辐射信号；分析第一辐射信号；和基于分析的第一辐射信号来控制基板的处理。处理腔室包括：基板支撑件，配置成将基板支撑在处理空间内；和控制器，耦合到配置成接收第一辐射信号的第一感测装置。
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公开(公告)号：CN111052334A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880056028.3
申请日：2018-08-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H05H1/46 , H01L21/683
Abstract: 本申请案的实施方式大体上涉及耦接到至少一个气相外延腔室的转移腔室及耦接至转移腔室的等离子体氧化物移除腔室，等离子体氧化物移除腔室包括具有混合腔室及气体分配器的盖组件；穿过盖组件的一部分形成并与混合腔室流体连通的第一气体入口；穿过盖组件的一部分形成并与混合腔室流体连通的第二气体入口；穿过盖组件的一部分形成并与混合腔室流体连通的第三气体入口；及具有基板支撑表面的基板支撑件；升降构件，所述升降构件设置在基板支撑表面的凹槽中且经由基板支撑件耦接至升降致动器；及耦接至传送腔室的装载锁定腔室。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111033680A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880053441.4
申请日：2018-08-29
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开的实施一般性地关于改进的真空处理系统。在一个实施中，真空处理系统包含：第一传送腔室，所述第一传送腔室耦接到至少一个气相外延处理腔室、第二传送腔室、过渡站，所述过渡站被设置在所述第一传送腔室与所述第二传送腔室之间、等离子体清洁腔室，所述等离子体清洁腔室耦接至所述第一传送腔室或所述第二传送腔室以用于从基板的表面去除污染物，及装载锁定腔室，所述装载锁定腔室耦接至所述第二传送腔室。
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公开(公告)号：CN111033713B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN201880054151.1
申请日：2018-08-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H05H1/46 , H01L21/677 , H01L21/683
Abstract: 在一个实施方案中，处理系统包括第一转移腔室、第二转移腔室、过渡站、第一等离子体腔室、及装载锁定腔室，第一转移腔室耦接到至少一个外延处理腔室，过渡站设置于第一转移腔室与第二转移腔室之间，第一等离子体腔室耦接至第二转移腔室，以用于从基板的表面移除氧化物，装载锁定腔室耦接至第二转移腔室。过渡站连接到第一转移腔室与第二转移腔室，并且过渡站包括用于从基板的表面移除污染物的第二等离子体腔室。
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公开(公告)号：CN118563279A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202311274972.5
申请日：2018-08-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/02
Abstract: 本申请案的实施方式大体上涉及耦接到至少一个气相外延腔室的转移腔室及耦接至转移腔室的等离子体氧化物移除腔室，等离子体氧化物移除腔室包括具有混合腔室及气体分配器的盖组件；穿过盖组件的一部分形成并与混合腔室流体连通的第一气体入口；穿过盖组件的一部分形成并与混合腔室流体连通的第二气体入口；穿过盖组件的一部分形成并与混合腔室流体连通的第三气体入口；及具有基板支撑表面的基板支撑件；升降构件，所述升降构件设置在基板支撑表面的凹槽中且经由基板支撑件耦接至升降致动器；及耦接至传送腔室的装载锁定腔室。
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公开(公告)号：CN117448783A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311274978.2
申请日：2018-08-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/02
Abstract: 本发明涉及集成外延与预清洁系统。本申请案的实施方式大体上涉及耦接到至少一个气相外延腔室的转移腔室及耦接至转移腔室的等离子体氧化物移除腔室，等离子体氧化物移除腔室包括具有混合腔室及气体分配器的盖组件；穿过盖组件的一部分形成并与混合腔室流体连通的第一气体入口；穿过盖组件的一部分形成并与混合腔室流体连通的第二气体入口；穿过盖组件的一部分形成并与混合腔室流体连通的第三气体入口；及具有基板支撑表面的基板支撑件；升降构件，所述升降构件设置在基板支撑表面的凹槽中且经由基板支撑件耦接至升降致动器；及耦接至传送腔室的装载锁定腔室。
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公开(公告)号：CN103534799A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280023240.2
申请日：2012-05-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/68 , H01L21/67115 , H01L21/67259
Abstract: 本发明的实施例提供用于使用电容式传感器将基板放置于处理腔室中的设备和方法。本发明的一个实施例提供用于处理基板的设备。设备包括设置在内空间中的第一电容式传感器和第二电容式传感器。第一电容式传感器放置为在第一角位置处检测基板的边缘的位置。第二电容式传感器放置为检测基板的垂直位置。
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