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公开(公告)号：CN105679666A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610052005.8
申请日：2014-04-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 劳建邦 , 保罗·布里尔哈特 , 巴拉苏布拉马尼恩·拉马钱德雷 , 萨瑟施·库珀奥 , 丹尼尔·雷德菲尔德 , 约瑟夫·M·拉内什 , 詹姆斯·弗朗西斯·麦克 , 凯拉什·基兰·帕塔雷 , 迈克尔·奥尔森 , 埃迪·菲热尔 , 理查德·哈尔平 , 布雷特·韦托尔
IPC: H01L21/324 , H01L21/683
CPC classification number: H05B3/0047 , H01L21/67115 , H01L21/324 , H01L21/683
Abstract: 本公开内容的实施方式大致关于一种用于在热处理腔室中使用的反射体。在一个实施方式中，所述热处理腔室大致包含上圆顶；下圆顶，所述下圆顶与上圆顶相对，上圆顶及下圆顶界定处理腔室的内部空间；基板支撑件，所述基板支撑件设置在内部空间内；以及反射体，所述反射体安置在上圆顶上方并邻近所述上圆顶，其中反射体具有吸热涂层，所述吸热涂层沉积在反射体的面向基板支撑件的侧面上。
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公开(公告)号：CN105393339A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201480032503.5
申请日：2014-04-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 劳建邦 , 保罗·布里尔哈特 , 巴拉苏布拉马尼恩·拉马钱德雷 , 萨瑟施·库珀奥 , 丹尼尔·雷德菲尔德 , 约瑟夫·M·拉内什 , 詹姆斯·弗朗西斯·麦克 , 凯拉什·基兰·帕塔雷 , 迈克尔·奥尔森 , 埃迪·菲热尔 , 理查德·哈尔平 , 布雷特·韦托尔
IPC: H01L21/324 , H01L21/683
CPC classification number: H05B3/0047 , H01L21/67115
Abstract: 本公开内容的实施方式大致关于一种用于在热处理腔室中使用的反射体。在一个实施方式中，所述热处理腔室大致包含上圆顶；下圆顶，所述下圆顶与上圆顶相对，上圆顶及下圆顶界定处理腔室的内部空间；基板支撑件，所述基板支撑件设置在内部空间内；以及反射体，所述反射体安置在上圆顶上方并邻近所述上圆顶，其中反射体具有吸热涂层，所述吸热涂层沉积在反射体的面向基板支撑件的侧面上。
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公开(公告)号：CN105316655A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510441269.8
申请日：2015-07-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 保尔·布里尔哈特 , 埃德里克·唐 , 常安忠 , 戴维·K·卡尔森 , 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 詹姆斯·弗朗西斯·麦克 , 劳建邦 , 叶祉渊
IPC: C23C16/455
CPC classification number: H01L21/67115 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/481
Abstract: 本公开案的实施方式涉及用于处理腔室的周缘泵送构件。所述周缘泵送构件包括环形主体，所述环形主体具有：沿着所述环形主体内的弧的第一弯曲通道；第一内部通道，所述第一内部通道将所述第一弯曲通道的第一区域连接至所述环形主体的内表面的第一区域；多个第二内部通道，所述第二内部通道将所述第一弯曲通道的第二区域连接至所述内表面的第二区域；以及第一外部通道，所述第一外部通道将所述第一弯曲通道的所述第一区域连接至所述环形主体的外表面，其中所述第二内部通道各自的大小设定成使得当流体经由所述第一外部通道而泵送出所述周缘泵送构件时，所述流体以均匀流率流过所述第一内部通道和所述第二内部通道。
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公开(公告)号：CN111052334B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201880056028.3
申请日：2018-08-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H05H1/46 , H01L21/683
Abstract: 本申请案的实施方式大体上涉及耦接到至少一个气相外延腔室的转移腔室及耦接至转移腔室的等离子体氧化物移除腔室，等离子体氧化物移除腔室包括具有混合腔室及气体分配器的盖组件；穿过盖组件的一部分形成并与混合腔室流体连通的第一气体入口；穿过盖组件的一部分形成并与混合腔室流体连通的第二气体入口；穿过盖组件的一部分形成并与混合腔室流体连通的第三气体入口；及具有基板支撑表面的基板支撑件；升降构件，所述升降构件设置在基板支撑表面的凹槽中且经由基板支撑件耦接至升降致动器；及耦接至传送腔室的装载锁定腔室。
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公开(公告)号：CN105714273A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610052251.3
申请日：2015-07-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 保尔·布里尔哈特 , 埃德里克·唐 , 常安忠 , 戴维·K·卡尔森 , 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 詹姆斯·弗朗西斯·麦克 , 劳建邦 , 叶祉渊
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67115 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/481 , C23C16/45587
Abstract: 本公开案的实施方式涉及用于处理腔室的周缘泵送构件。所述周缘泵送构件包括环形主体，所述环形主体具有：沿着所述环形主体内的弧的第一弯曲通道；第一内部通道，所述第一内部通道将所述第一弯曲通道的第一区域连接至所述环形主体的内表面的第一区域；多个第二内部通道，所述第二内部通道将所述第一弯曲通道的第二区域连接至所述内表面的第二区域；以及第一外部通道，所述第一外部通道将所述第一弯曲通道的所述第一区域连接至所述环形主体的外表面，其中所述第二内部通道各自的大小设定成使得当流体经由所述第一外部通道而泵送出所述周缘泵送构件时，所述流体以均匀流率流过所述第一内部通道和所述第二内部通道。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101926232B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN200980103385.1
申请日：2009-01-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/34 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32467
Abstract: 本发明揭示一种具有下流量均衡器(lowered flow equalizer)与下腔室内衬的等离子体处理腔室。在蚀刻处理中，可能从处理腔室不均匀地抽吸处理气体，这将导致不均匀的衬底蚀刻。通过将从腔室排出的处理气体的流量均等化，可以达成更均匀的蚀刻。通过将流量均衡器电气耦接到腔室内衬，来自流量均衡器的RF返回路径可以沿着腔室内衬行进，因此减少了处理期间被抽吸到衬底下方的等离子体的量。
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公开(公告)号：CN101926232A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200980103385.1
申请日：2009-01-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/34 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32467
Abstract: 本发明揭示一种具有下流量均衡器(lowered flow equalizer)与下腔室内衬的等离子体处理腔室。在蚀刻处理中，可能从处理腔室不均匀地抽吸处理气体，这将导致不均匀的衬底蚀刻。通过将从腔室排出的处理气体的流量均等化，可以达成更均匀的蚀刻。通过将流量均衡器电气耦接到腔室内衬，来自流量均衡器的RF返回路径可以沿着腔室内衬行进，因此减少了处理期间被抽吸到衬底下方的等离子体的量。
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公开(公告)号：CN113748322A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202080031181.8
申请日：2020-03-27
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 于此描述的一个或多个实施方式大体关于用于校准用于处理半导体基板的光发射光谱仪(OES)的系统和方法。在于此的实施方式中，将灯具安装到处理腔室内的板上。光源位于灯具内，使得光源提供直接投射在窗口处的光路，OES通过窗口观察处理腔室中以进行读取。当光源打开时，OES测量来自光源的辐射的光强度。为了校准OES，比较在两个不同时间的在打开光源时光源的光强度。若在第一时间的辐射的光强度与在第二时间的辐射的光强度不同，则修改OES。
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公开(公告)号：CN107004619B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201580061349.9
申请日：2015-10-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 舒伯特·S·楚 , 卡尔蒂克·萨哈 , 安哈图·恩戈 , 卡廷克·拉马斯瓦米 , 维皮·帕塔克 , 尼欧·O·谬 , 保罗·布里尔哈特 , 理查德·O·柯林斯 , 凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔 , 埃德里克·唐 , 哲鹏·丛 , 常安中 , 劳建邦 , 马尼施·赫姆卡
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体基板热处理的基座。在一个实施方式中，基座包括第一缘边(rim)与第二缘边，第一缘边环绕内部区域且耦接至内部区域，第二缘边设置于内缘边与第一缘边之间。第二缘边包含倾斜支撑表面，倾斜支撑表面具有形成于倾斜支撑表面中的多个切口，且倾斜支撑表面相对于内部区域的顶表面倾斜。
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公开(公告)号：CN111033713A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880054151.1
申请日：2018-08-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H05H1/46 , H01L21/677 , H01L21/683
Abstract: 在一个实施方案中，处理系统包括第一转移腔室、第二转移腔室、过渡站、第一等离子体腔室、及装载锁定腔室，第一转移腔室耦接到至少一个外延处理腔室，过渡站设置于第一转移腔室与第二转移腔室之间，第一等离子体腔室耦接至第二转移腔室，以用于从基板的表面移除氧化物，装载锁定腔室耦接至第二转移腔室。过渡站连接到第一转移腔室与第二转移腔室，并且过渡站包括用于从基板的表面移除污染物的第二等离子体腔室。
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