公开(公告)号：CN111133127A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880062108.X

申请日：2018-09-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 兰加·拉奥·阿内帕利 ,  科林·科斯塔诺·内科克 ,  尤里·梅尔尼克 ,  苏雷什·钱德·赛斯 ,  普拉文·K·纳万克尔 ,  苏克蒂·查特吉 ,  兰斯·A·斯卡德尔

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  C23C16/01 ,  C12Q1/6869

Abstract: 公开了在用于生物学应用的MEMS器件上移除原生氧化物层和沉积具有受控数量的活性位点的介电层的方法。在一个方面中，一种方法包括通过以下步骤从基板的表面移除原生氧化物层：将基板暴露于呈气相的一种或多种配体以使原生氧化物层具有挥发性，及随后热解吸或以其他方式蚀刻具有挥发性的原生氧化物层。在另一方面中，一种方法包括在基板的表面上沉积介电层，所述介电层被选择为提供受控数量的活性位点。在又一方面中，一种方法包括从基板的表面移除原生氧化物层和在基板的表面上沉积介电层两者，其中通过将基板暴露于一种或多种配体来移除原生氧化物层，所述介电层被选择为提供受控数量的活性位点。