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公开(公告)号：CN115485619A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180029867.8
申请日：2021-02-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: G03F7/00 , C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本公开内容的多个实施方式一般涉及光学致密的纳米压印膜和用于制作这些光学致密的纳米压印膜的工艺，以及含有光学致密的纳米压印膜的光学装置。在一个或多个实施方式中，一种形成纳米压印膜的方法包括将含有多孔纳米压印膜的基板定位在处理腔室内，其中多孔纳米压印膜含有纳米颗粒和在纳米颗粒之间的孔洞，且多孔纳米压印膜具有小于2的折射率。该方法亦包括在原子层沉积(ALD)工艺期间将金属氧化物沉积在多孔纳米压印膜上和孔洞的至少一部分内以产生光学致密的纳米压印膜。
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公开(公告)号：CN111936664A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201980020460.1
申请日：2019-03-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尤里·梅尔尼克 , 苏克蒂·查特吉 , 考沙尔·冈加什卡尔 , 乔纳森·弗兰克尔 , 兰斯·A·斯卡德尔 , 普拉文·K·纳万克尔 , 大卫·布里兹 , 托马斯·奈斯利 , 马克·沙丽 , 戴维·汤普森
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/42
Abstract: 本公开内容的实施方式一般地涉及航空航天部件上的保护涂层和沉积保护涂层的方法。在一或多个实施方式中，一种在航空航天部件上沉积涂层的方法，包含：将航空航天部件暴露于第一前驱物和第一反应物以通过化学气相沉积(CVD)工艺或第一原子层沉积(ALD)工艺在航空航天部件的表面上形成第一沉积层；并且将航空航天部件暴露于第二前驱物和第二反应物以通过第二ALD工艺在第一沉积层上形成第二沉积层，其中第一沉积层和第二沉积层具有彼此不同的成分。
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公开(公告)号：CN104067374B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201280054303.0
申请日：2012-10-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/4488 , C23C16/45574 , C23C16/4558 , Y10T137/0318 , Y10T137/8593
Abstract: 本文描述根据一个实施例的具有多个气体分配组件的示例性设备。在一个实施例中，该设备包括两个或更多个气体分配组件。每一气体分配组件具有孔，通过所述孔将至少一种工艺气体引入至处理腔室。两个或更多个气体分配组件可被设计为具有互补的特征径向膜生长速率分布。
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公开(公告)号：CN103548124A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280024597.2
申请日：2012-05-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/318 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/14 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 本发明公开以先进缓冲层技术生长III族氮化物半导体化合物的方法。在实施例中，本发明的方法包括于氢化物气相外延处理系统的处理腔室中提供合适的衬底。所述方法包括通过下列步骤形成AlN缓冲层：将氨气流入处理腔室的生长区内，将含卤化铝前驱物流至所述生长区，并同时将额外的卤化氢或卤素气体流入处理腔室的生长区内。流入生长区内的额外卤化氢或卤素气体在缓冲层沉积期间抑制均质AlN颗粒形成。在终止含卤化铝前驱物的流动的同时，可持续使卤化氢或卤素气体流入达一时间段。
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公开(公告)号：CN116892011A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310717002.1
申请日：2019-03-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尤里·梅尔尼克 , 苏克蒂·查特吉 , 考沙尔·冈加什卡尔 , 乔纳森·弗兰克尔 , 兰斯·A·斯卡德尔 , 普拉文·K·纳万克尔 , 大卫·布里兹 , 托马斯·奈斯利 , 马克·沙丽 , 戴维·汤普森
Abstract: 本公开内容的实施方式一般地涉及航空航天部件上的保护涂层和用于沉积保护涂层的方法。在一或多个实施方式中，一种在航空航天部件上沉积保护涂层的方法包括：顺序地将航空航天部件暴露于铬前驱物和反应物以通过原子层沉积工艺在航空航天部件的表面上形成含铬层。含铬层包含金属铬、氧化铬、氮化铬、碳化铬、硅化铬或上述各项的任何组合。
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公开(公告)号：CN113498492A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202080015893.0
申请日：2020-02-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 苏克蒂·查特吉 , 尤里·梅尔尼克 , 普拉文·K·纳万克尔
IPC: G03F1/64 , G03F1/22 , C09C3/06 , B01J23/745 , B01J23/755 , B82Y30/00
Abstract: 本公开内容的多个实施方式一般涉及用于远紫外光刻系统的纳米复合护膜。护膜包括排列成平面片的多个碳纳米管，多个碳纳米管由多个金属催化剂点滴形成。以氮化硼的第一共形层涂布多个碳纳米管。此护膜可包括随着氮化硼的第一共形层同时形成的多个氮化硼纳米管。此护膜可包括设置在氮化硼的第一共形层上的碳纳米管涂层和设置在碳纳米管涂层上氮化硼的第二共形层或氮化硼纳米管。此护膜是UV透明且在氢自由基环境中是非反应性的。
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公开(公告)号：CN114008236A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202080042908.2
申请日：2020-04-08
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容的实施方式大体涉及在航空部件上的保护涂层和用于沉积所述保护涂层的方法。在一个或多个实施方式中，一种用于在航空部件上产生保护涂层的方法包括：在含有镍和铝(例如，镍‑铝超合金)的所述航空部件上沉积金属氧化物模板层；和在热工艺和/或氧化工艺期间加热含有所述金属氧化物模板层的所述航空部件。所述热工艺和/或氧化工艺包括：将所述航空部件内含有的铝向含有所述金属氧化物模板层的所述航空部件的表面扩散；氧化所扩散的铝以产生设置在所述航空部件与所述金属氧化物模板层之间的氧化铝层；和去除所述金属氧化物模板层的至少一部分，同时留下所述氧化铝层。
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公开(公告)号：CN111133127A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201880062108.X
申请日：2018-09-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 兰加·拉奥·阿内帕利 , 科林·科斯塔诺·内科克 , 尤里·梅尔尼克 , 苏雷什·钱德·赛斯 , 普拉文·K·纳万克尔 , 苏克蒂·查特吉 , 兰斯·A·斯卡德尔
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/56 , C23C16/01 , C12Q1/6869
Abstract: 公开了在用于生物学应用的MEMS器件上移除原生氧化物层和沉积具有受控数量的活性位点的介电层的方法。在一个方面中，一种方法包括通过以下步骤从基板的表面移除原生氧化物层：将基板暴露于呈气相的一种或多种配体以使原生氧化物层具有挥发性，及随后热解吸或以其他方式蚀刻具有挥发性的原生氧化物层。在另一方面中，一种方法包括在基板的表面上沉积介电层，所述介电层被选择为提供受控数量的活性位点。在又一方面中，一种方法包括从基板的表面移除原生氧化物层和在基板的表面上沉积介电层两者，其中通过将基板暴露于一种或多种配体来移除原生氧化物层，所述介电层被选择为提供受控数量的活性位点。
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公开(公告)号：CN103548116B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201280024289.X
申请日：2012-05-18
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/007
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及用于预处理基板和III族氮化物层以制造诸如发光二极管（LED）、激光二极管（LD）或功率电子器件之类的器件的方法。本公开内容的一个实施方式提供一种方法，包括以下步骤：提供一个或更多个具有含铝表面的基板至处理腔室中，及使一个或更多个具有含铝表面的基板中的每一个基板的表面暴露至预处理气体混合而形成预处理表面。预处理气体混合物包括氨（NH3）、卤化铝气体（例如AlCl3、AlCl）和含蚀刻剂气体，含蚀刻剂气体包括卤素气体（例如Cl2）或卤化氢气体（例如HCl）。
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公开(公告)号：CN103548124B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201280024597.2
申请日：2012-05-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/318 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/14 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 本发明公开以先进缓冲层技术生长III族氮化物半导体化合物的方法。在实施例中，本发明的方法包括于氢化物气相外延处理系统的处理腔室中提供合适的衬底。所述方法包括通过下列步骤形成AlN缓冲层：将氨气流入处理腔室的生长区内，将含卤化铝前驱物流至所述生长区，并同时将额外的卤化氢或卤素气体流入处理腔室的生长区内。流入生长区内的额外卤化氢或卤素气体在缓冲层沉积期间抑制均质AlN颗粒形成。在终止含卤化铝前驱物的流动的同时，可持续使卤化氢或卤素气体流入达一时间段。
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