公开(公告)号：CN102939641A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201180019344.1

申请日：2011-04-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 于航 ,  D·帕德希 ,  蔡曼平 ,  N·尤施达 ,  缪丽妍 ,  郑兆辉 ,  S·沙克 ,  朴贤秀 ,  H·L·朴 ,  B·H·金

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02115 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

Abstract: 本文所述的实施例关于用以图案化并蚀刻半导体衬底中的特征结构的材料及工艺。在一个实施例中，提供一种在衬底上形成复合非晶碳层以改良堆迭缺陷率的方法。所述方法包含下列步骤：将衬底安置于处理腔室中；将烃源气体导入处理腔室；将稀释剂源气体导入处理腔室；将等离子体引发气体导入处理腔室；在处理腔室中产生等离子体；在衬底上形成非晶碳初始层，其中烃源气体所具有的体积流速对稀释剂源气体流速的比例为1：12或更低；以及在非晶碳初始层上形成主体非晶碳层，其中被用来形成主体非晶碳层的烃源气体所具有的体积流速对稀释剂源气体流速的比例为1：6或更高，以形成复合非晶碳层。