公开(公告)号：CN102939641A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201180019344.1

申请日：2011-04-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 于航 ,  D·帕德希 ,  蔡曼平 ,  N·尤施达 ,  缪丽妍 ,  郑兆辉 ,  S·沙克 ,  朴贤秀 ,  H·L·朴 ,  B·H·金

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02115 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

Abstract: 本文所述的实施例关于用以图案化并蚀刻半导体衬底中的特征结构的材料及工艺。在一个实施例中，提供一种在衬底上形成复合非晶碳层以改良堆迭缺陷率的方法。所述方法包含下列步骤：将衬底安置于处理腔室中；将烃源气体导入处理腔室；将稀释剂源气体导入处理腔室；将等离子体引发气体导入处理腔室；在处理腔室中产生等离子体；在衬底上形成非晶碳初始层，其中烃源气体所具有的体积流速对稀释剂源气体流速的比例为1：12或更低；以及在非晶碳初始层上形成主体非晶碳层，其中被用来形成主体非晶碳层的烃源气体所具有的体积流速对稀释剂源气体流速的比例为1：6或更高，以形成复合非晶碳层。

公开(公告)号：CN107667415B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN201680030126.0

申请日：2016-04-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·梅巴基 ,  P·曼纳 ,  缪丽妍 ,  D·帕德希 ,  金柏涵 ,  C·D·本彻尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311

Abstract: 本公开的实施例涉及在形成于光刻胶或硬掩模中的特征上方沉积保形有机材料，以减少临界尺寸及线边缘粗糙度。在各种实施例中，超保形碳基材料沉积在形成于高分辨率光刻胶中的特征上方。形成于光刻胶上方的保形有机层由此缩减特征的临界尺寸及线边缘粗糙度。

公开(公告)号：CN110892504B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201880045332.8

申请日：2018-07-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 缪丽妍 ,  殷正操 ,  韩新海 ,  林龙

IPC: H01L21/02

Abstract: 本技术的实施方式可包括形成半导体层的堆叠结构的方法。所述方法可包括在基板上沉积第一氧化硅层。所述方法还可包括在第一氧化硅层上沉积第一硅层。所述方法可进一步包括在第一硅层上沉积第一氮化硅层。沉积第一氮化硅层或应力层可包括减小在第一硅层、第一氧化硅层或基板中的至少一个中的应力。另外，所述方法可包括在第一氮化硅层上沉积第二硅层。操作可形成半导体层的堆叠结构，其中所述堆叠结构包括第一氧化硅层、第一硅层、第一氮化硅层和第二硅层。

公开(公告)号：CN107667415A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201680030126.0

申请日：2016-04-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·梅巴基 ,  P·曼纳 ,  缪丽妍 ,  D·帕德希 ,  金柏涵 ,  C·D·本彻尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31138 ,  H01L2221/00

Abstract: 本公开的实施例涉及在形成于光刻胶或硬掩模中的特征上方沉积保形有机材料，以减少临界尺寸及线边缘粗糙度。在各种实施例中，超保形碳基材料沉积在形成于高分辨率光刻胶中的特征上方。形成于光刻胶上方的保形有机层由此缩减特征的临界尺寸及线边缘粗糙度。

公开(公告)号：CN117238918A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311224892.9

申请日：2018-07-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 缪丽妍 ,  殷正操 ,  韩新海 ,  林龙

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本技术的实施方式可包括形成半导体层的堆叠结构的方法。所述方法可包括在基板上沉积第一氧化硅层。所述方法还可包括在第一氧化硅层上沉积第一硅层。所述方法可进一步包括在第一硅层上沉积第一氮化硅层。沉积第一氮化硅层或应力层可包括减小在第一硅层、第一氧化硅层或基板中的至少一个中的应力。另外，所述方法可包括在第一氮化硅层上沉积第二硅层。操作可形成半导体层的堆叠结构，其中所述堆叠结构包括第一氧化硅层、第一硅层、第一氮化硅层和第二硅层。

公开(公告)号：CN110892504A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201880045332.8

申请日：2018-07-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 缪丽妍 ,  殷正操 ,  韩新海 ,  林龙

IPC: H01L21/02

Abstract: 本技术的实施方式可包括形成半导体层的堆叠结构的方法。所述方法可包括在基板上沉积第一氧化硅层。所述方法还可包括在第一氧化硅层上沉积第一硅层。所述方法可进一步包括在第一硅层上沉积第一氮化硅层。沉积第一氮化硅层或应力层可包括减小在第一硅层、第一氧化硅层或基板中的至少一个中的应力。另外，所述方法可包括在第一氮化硅层上沉积第二硅层。操作可形成半导体层的堆叠结构，其中所述堆叠结构包括第一氧化硅层、第一硅层、第一氮化硅层和第二硅层。