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公开(公告)号：CN106057649A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610565609.2
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 约瑟夫·M·拉内什 , 阿伦·M·亨特 , 汤静 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 王安川 , 妮琴·K·英吉 , 马尼施·赫姆卡 , 乔斯·A·马林
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/762 , H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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公开(公告)号：CN107004619A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580061349.9
申请日：2015-10-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 舒伯特·S·楚 , 卡尔蒂克·萨哈 , 安哈图·恩戈 , 卡廷克·拉马斯瓦米 , 维皮·帕塔克 , 尼欧·O·谬 , 保罗·布里尔哈特 , 理查德·O·柯林斯 , 凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔 , 埃德里克·唐 , 哲鹏·丛 , 常安中 , 劳建邦 , 马尼施·赫姆卡
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体基板热处理的基座。在一个实施方式中，基座包括第一缘边(rim)与第二缘边，第一缘边环绕内部区域且耦接至内部区域，第二缘边设置于内缘边与第一缘边之间。第二缘边包含倾斜支撑表面，倾斜支撑表面具有形成于倾斜支撑表面中的多个切口，且倾斜支撑表面相对于内部区域的顶表面倾斜。
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公开(公告)号：CN119465090A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411429928.1
申请日：2021-03-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 叶祉渊 , 刘树坤 , 布莱恩·H·伯罗斯 , 洛里·华盛顿 , 赫尔曼·迪尼兹 , 马丁·A·希尔金 , 理查德·O·柯林斯 , 尼欧·谬 , 马尼施·赫姆卡 , 舒伯特·S·楚
IPC: C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本文描述了用于热处理的处理腔室的方法和设备。处理腔室是双处理腔室，并且共用腔室主体。腔室主体包括第一组气体注入通道和第二组气体注入通道。腔室主体还可包括第一组排气口和第二组排气口。处理腔室可具有共用的气体面板和/或共用的排气导管。本文描述的处理腔室能够以改进的处理气体流动和热分布同时处理多个基板。
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公开(公告)号：CN115190919B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202180016018.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 叶祉渊 , 刘树坤 , 布莱恩·H·伯罗斯 , 洛里·华盛顿 , 赫尔曼·迪尼兹 , 马丁·A·希尔金 , 理查德·O·柯林斯 , 尼欧·谬 , 马尼施·赫姆卡 , 舒伯特·S·楚
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/54
Abstract: 本文描述了用于热处理的处理腔室的方法和设备。处理腔室是双处理腔室，并且共用腔室主体。腔室主体包括第一组气体注入通道和第二组气体注入通道。腔室主体还可包括第一组排气口和第二组排气口。处理腔室可具有共用的气体面板和/或共用的排气导管。本文描述的处理腔室能够以改进的处理气体流动和热分布同时处理多个基板。
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公开(公告)号：CN107004619B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201580061349.9
申请日：2015-10-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 舒伯特·S·楚 , 卡尔蒂克·萨哈 , 安哈图·恩戈 , 卡廷克·拉马斯瓦米 , 维皮·帕塔克 , 尼欧·O·谬 , 保罗·布里尔哈特 , 理查德·O·柯林斯 , 凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔 , 埃德里克·唐 , 哲鹏·丛 , 常安中 , 劳建邦 , 马尼施·赫姆卡
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体基板热处理的基座。在一个实施方式中，基座包括第一缘边(rim)与第二缘边，第一缘边环绕内部区域且耦接至内部区域，第二缘边设置于内缘边与第一缘边之间。第二缘边包含倾斜支撑表面，倾斜支撑表面具有形成于倾斜支撑表面中的多个切口，且倾斜支撑表面相对于内部区域的顶表面倾斜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106057649B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201610565609.2
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 约瑟夫·M·拉内什 , 阿伦·M·亨特 , 汤静 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 王安川 , 妮琴·K·英吉 , 马尼施·赫姆卡 , 乔斯·A·马林
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/762 , H01L27/11521
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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公开(公告)号：CN115190919A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202180016018.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 叶祉渊 , 刘树坤 , 布莱恩·H·伯罗斯 , 洛里·华盛顿 , 赫尔曼·迪尼兹 , 马丁·A·希尔金 , 理查德·O·柯林斯 , 尼欧·谬 , 马尼施·赫姆卡 , 舒伯特·S·楚
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/54
Abstract: 本文描述了用于热处理的处理腔室的方法和设备。处理腔室是双处理腔室，并且共用腔室主体。腔室主体包括第一组气体注入通道和第二组气体注入通道。腔室主体还可包括第一组排气口和第二组排气口。处理腔室可具有共用的气体面板和/或共用的排气导管。本文描述的处理腔室能够以改进的处理气体流动和热分布同时处理多个基板。
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公开(公告)号：CN102792426B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180013249.0
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 约瑟夫·M·拉内什 , 阿伦·M·亨特 , 汤静 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 王安川 , 妮琴·K·英吉 , 马尼施·赫姆卡 , 乔斯·A·马林
IPC: H01L21/3065
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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公开(公告)号：CN103098177A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180036284.4
申请日：2011-07-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/02046 , H01L21/02238 , H01L21/67109 , H01L21/6719
Abstract: 本发明的各实施例一般涉及从衬底表面去除污染物和原生氧化物的方法。方法一般包含暴露衬底至氧化源，所述衬底具有氧化层于衬底上。氧化源氧化位于氧化层下方的衬底的上部，以形成具有增加厚度的氧化层。具有增加厚度的氧化层接着去除以暴露衬底的干净表面。去除氧化层一般包含去除存在于氧化层之中和之上的污染物，特别是那些存在于氧化层和衬底的界面处的污染物。外延层可接着形成于衬底的干净表面上。
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公开(公告)号：CN102792426A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180013249.0
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 约瑟夫·M·拉内什 , 阿伦·M·亨特 , 汤静 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 王安川 , 妮琴·K·英吉 , 马尼施·赫姆卡 , 乔斯·A·马林
IPC: H01L21/3065
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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