公开(公告)号：CN104471687A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201380036771.X

申请日：2013-06-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·陈 ,  J·徐 ,  K·S·伊姆 ,  A·T·迪莫斯

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明的实施例一般是关于降低半导体制造中所使用的低k介电质薄膜的介电常数之方法。在一实施例中，一种用于降低低k的含硅介电质薄膜的介电常数(k)的方法包括使多孔的低k的含硅介电质薄膜暴露于氢氟酸溶液，接着使该低k的含硅介电质薄膜暴露于硅烷化作用剂。硅烷化作用剂与该多孔的低k介电质薄膜中的Si-OH官能基反应，以增加低k介电质薄膜中的碳浓度。

公开(公告)号：CN102770580A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201180010481.9

申请日：2011-02-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·S·伊姆 ,  A·T·迪莫斯

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/7681

Abstract: 提供一种在衬底上沉积低介电常数层的方法。在一个实施例中，所述方法包括将一种或更多种有机硅化合物引进腔室，其中所述一种或更多种有机硅化合物包含硅原子和成孔剂成分；在存在射频功率的情况下，使所述一种或更多种有机硅化合物反应而在腔室内的衬底上沉积低介电常数层；以及后处理低介电常数层，以从低介电常数层基本移除成孔剂成分。可选地，将惰性载气、氧化气体或惰性载气与氧化气体伴随所述一种或更多种有机硅化合物引进处理腔室。后处理工艺可以是紫外线辐射固化沉积材料。紫外线固化工艺可与热或电子束固化工艺同时或按顺序进行。所述低介电常数层具有良好的机械性质和预期的介电常数。

公开(公告)号：CN110235248B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN201880009550.6

申请日：2018-04-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 韩新海 ,  K·S·伊姆 ,  Z·江 ,  D·帕德希

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H01L25/065

Abstract: 本文所述的实施例大体涉及制造用于存储器器件(诸如NAND器件)的3D存储器单元的氧化物/多晶硅(OP)堆叠的方法。所述方法通常包括在PECVD工艺期间用前驱物处理所述氧化物和/或多晶硅材料，以降低所述氧化物的介电常数并降低所述多晶硅的电阻率。在一个实施例中，用八甲基环四硅氧烷(OMCTS)前驱物处理所述氧化物材料。在另一个实施例中，将锗烷(GeH4)引入PECVD工艺以形成具有掺杂剂的SixGe(1‑x)膜。在又一个实施例中，使用等离子体处理工艺来氮化所述OP堆叠的层之间的界面。所述前驱物和等离子体处理可以单独地使用或以任何组合使用，以产生具有低介电常数氧化物和低电阻率多晶硅的OP堆叠。

公开(公告)号：CN102763200A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180010539.X

申请日：2011-02-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 谢波 ,  A·T·迪莫斯 ,  D·拉杰 ,  S·恩戈 ,  K·S·伊姆

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835

Abstract: 本发明的实施例关于形成微电子结构。对于下一代32纳米的技术节点，低k电介质材料需要呈现低于约2.6的电介质常数。本发明能利用此低k电介质材料来形成半导体装置，同时提供改善的整体微电子结构的弯曲与剪切强度整合性。

公开(公告)号：CN116438328A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202180072292.8

申请日：2021-09-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·谢 ,  R·熊 ,  K·S·伊姆 ,  Y·刘 ,  夏立群 ,  S·恩戈

IPC: C23C16/44

Abstract: 描述了清洁基板处理腔室的示例性半导体处理方法。此方法可包括在基板处理腔室中的第一基板上沉积介电膜，其中介电膜可包括硅碳氧化物。具有介电膜的第一基板可从基板处理腔室移除，及介电膜可沉积在基板处理腔室中的至少还有一个基板上。此至少还有一个基板可在介电膜沉积在此基板上之后从基板处理腔室移除。在移除具有介电膜的最后一个基板之后，蚀刻等离子体流出物可流入基板处理腔室中。蚀刻等离子体流出物可包括大于或约500sccm的NF3等离子体流出物，及大于或约1000sccm的O2等离子体流出物。

公开(公告)号：CN115989335A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202180052804.4

申请日：2021-06-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·谢 ,  K·S·伊姆 ,  Y·刘 ,  夏立群 ,  R·熊

IPC: C23C16/30

Abstract: 形成含硅碳材料的示例性方法可以包括以下步骤：使含硅氧碳前驱物流进半导体处理腔室的处理区中。基板可安放在半导体处理腔室的处理区内。方法可包括以下步骤：在含硅碳前驱物的处理区内形成等离子体。等离子体可以小于15MHz(例如，13.56MHz)的频率形成。方法可包括以下步骤：在基板上沉积含硅碳材料。所沉积的含硅碳材料可由低于或约3.5的介电常数和大于或约3Gpa的硬度来表征。

公开(公告)号：CN108292594A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680069461.1

申请日：2016-09-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·慕克吉 ,  K·S·伊姆 ,  D·帕德希 ,  K·M·赵 ,  K·A·范 ,  C-A·陈 ,  P·达舍

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/32

Abstract: 描述了硬掩模和ARC层的单一前驱物沉积的方法。所得的膜是利用具有低碳含量的高密度氧化硅SiO2层封端的具有较高碳含量的SiOC层。所述方法可以包括：将第一沉积前驱物输送至基板，所述第一沉积前驱物包含SiOC前驱物和第一流速的含氧气体；使用等离子体激活沉积物质，由此在基板的已暴露表面上方沉积含SiOC的层。随后，将第二前驱物气体输送至含SiOC的层，所述第二沉积气体包含具有第二流速的不同或相同的SiOC前驱物和第二流速的含氧气体，并且使用等离子体激活沉积气体，所述第二沉积气体在硬掩模上方形成含SiO2的层，所述含SiO2的层具有非常低的碳。

公开(公告)号：CN116490639A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202180077241.4

申请日：2021-10-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·谢 ,  R·熊 ,  S·恩戈 ,  K·S·伊姆 ,  Y·刘 ,  夏立群

IPC: C23C16/30

Abstract: 描述了用于形成经UV处理的低k介电膜的半导体处理方法。所述方法可包括将沉积前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域。沉积前驱物可包括含硅与碳前驱物。所述方法可进一步包括从基板处理区域内的沉积前驱物产生沉积等离子体，以及从沉积等离子体的等离子体流出物在基板上沉积含硅与碳材料。沉积态的含硅与碳材料可以大于或约5％的烃基团为特征。所述方法可又进一步包括将沉积的含硅与碳材料暴露于紫外光。暴露的含硅与碳材料可以小于或约2％的烃基团为特征。

公开(公告)号：CN112513321A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980048633.0

申请日：2019-08-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·慕克吉 ,  B·谢 ,  K·M·赵 ,  K·S·伊姆 ,  D·帕德希 ,  A·加格

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C23C16/458 ,  H01L21/02

Abstract: 本文所述的实施例提供通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺来形成具有高硬度的低k碳掺杂氧化硅(CDO)层的方法。此方法包括以载气流率提供载气和以前驱物流率将CDO前驱物提供到工艺腔室。以一功率水平和一频率将射频(RF)功率施加至CDO前驱物。CDO层沉积在工艺腔室内的基板上。

公开(公告)号：CN103608898A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280027958.9

申请日：2012-05-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·S·伊姆 ,  T·诺瓦克 ,  B·谢 ,  A·T·迪莫斯

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831

Abstract: 本发明提供了用于修复损坏的低k膜的方法。低k膜的损坏发生在处理膜期间，诸如在蚀刻、灰化和平坦化期间。处理低k膜导致水储存在膜的孔隙中，并且处理低k膜进一步导致亲水性化合物在低k膜结构中形成。结合紫外线（UV）辐射与含碳化合物的修复工艺从孔隙移除水，并且所述修复工艺进一步从低k膜结构中移除亲水性化合物。