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公开(公告)号：CN104321700B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201380013521.4
申请日：2013-02-07
Applicant: 得克萨斯大学体系董事会
CPC classification number: C09D153/00 , B29C43/32 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C17/30 , C03C17/3405 , C03C2218/152 , C23C16/44 , G03F7/0002 , Y10S977/788 , Y10S977/809 , Y10S977/811 , Y10S977/839 , Y10S977/888 , Y10S977/89 , Y10S977/891 , Y10T428/24802 , Y10T428/31504 , Y10T428/31663 , Y10T428/31931
Abstract: 本发明使用真空沉积的材料薄膜，形成与下面的嵌段共聚物薄膜的不同域无优先相互作用的界面。无优先界面防止形成湿润层并影响嵌段共聚物内的域取向。沉积的聚合物的目的是在嵌段共聚物薄膜内产生可充当平版印刷图案的纳米结构特征。
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公开(公告)号：CN104303103A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380011365.8
申请日：2013-02-07
Applicant: 得克萨斯大学体系董事会
CPC classification number: G03F1/50 , B05D1/005 , B05D5/00 , B05D7/52 , B05D7/56 , B05D2252/02 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C09D137/00 , C09D167/00 , G03F7/0002 , Y10T428/24802 , Y10T428/31663 , Y10T428/31855
Abstract: 本发明牵涉可旋涂在嵌段共聚物薄膜上的无规共聚物面涂层和用于控制面涂层-嵌段共聚物界面的界面能的用途。该面涂层可溶于含水弱碱中，且通过它们沉积在嵌段共聚物薄膜上，则表面能可发生变化。使用自组装的嵌段共聚物生产高级平版印刷图案依赖于它们在薄膜内的取向控制。该面涂层潜在地使嵌段共聚物的取向控制容易实现，否则嵌段共聚物的取向控制会十分困难。
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公开(公告)号：CN102870247A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201180020754.8
申请日：2011-03-17
Applicant: 得克萨斯大学体系董事会
IPC: H01L51/40
CPC classification number: B05D3/107 , G03F7/0758 , G03F7/16 , G03F7/165 , G03F7/2051 , H01L21/02
Abstract: 本发明描述含硅单体和共聚物的合成。单体三甲基-(2-亚甲基丁-3-烯基)硅烷（TMSI）的合成和随后具有苯乙烯二嵌段共聚物的合成，形成聚苯乙烯-嵌段-聚三甲基甲硅烷基异戊二烯，及合成二嵌段共聚物聚苯乙烯-嵌段-聚甲基丙烯酰氧基甲基三甲基硅烷或PS-b-P(MTMSMA)。这些含硅二嵌段共聚物具有多种用途。一种优选的应用为作为用于光刻法的具有低于100nm的特征的新型压印模板材料。
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公开(公告)号：CN104592539B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201410409101.4
申请日：2014-06-19
Applicant: 得克萨斯大学体系董事会
Abstract: 使用自组装嵌段共聚物结构制备先进的平版印刷图案取决于控制这些结构在薄膜中的取向。特别地，垂直于嵌段共聚物膜平面的圆柱体和片状的取向在大多数应用中是需要的。实现取向的优选方法是通过加热。本发明包括使用极性转换(polarity‑switching)面涂层通过加热来控制嵌段共聚物薄膜取向。面涂层可以从极性铸膜溶剂旋涂在嵌段共聚物薄膜上，并且其在热退火时改变组成而变成“中性的”。面涂层能够有助于嵌段共聚物的取向控制，除此之外仅通过加热该取向控制是不可能的。
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公开(公告)号：CN104592539A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410409101.4
申请日：2014-06-19
Applicant: 得克萨斯大学体系董事会
Abstract: 使用自组装嵌段共聚物结构制备先进的平版印刷图案取决于控制这些结构在薄膜中的取向。特别地，垂直于嵌段共聚物膜平面的圆柱体和片状的取向在大多数应用中是需要的。实现取向的优选方法是通过加热。本发明包括使用极性转换(polarity-switching)面涂层通过加热来控制嵌段共聚物薄膜取向。面涂层可以从极性铸膜溶剂旋涂在嵌段共聚物薄膜上，并且其在热退火时改变组成而变成“中性的”。面涂层能够有助于嵌段共聚物的取向控制，除此之外仅通过加热该取向控制是不可能的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109153760A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780012875.5
申请日：2017-02-22
Applicant: 得克萨斯大学体系董事会
IPC: C08F299/02 , C08F224/00 , C08F230/08 , B32B27/28
Abstract: 本发明涉及合成并利用可形成10nm以下薄层纳米结构的嵌段共聚物的方法。这种方法具有许多用途，其中包括在半导体工业中的多种应用，包括生产用于纳米压印平版印刷术的模板。
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公开(公告)号：CN103946254A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280036258.6
申请日：2012-06-21
Applicant: 得克萨斯大学体系董事会
CPC classification number: C08F293/005 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C07H23/00 , C08B37/0006 , C08B37/0012 , C08G81/024 , G03F7/0002 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明公开了自组装产生非常小结构体的二嵌段共聚物体系。这些共聚物由含硅的一个嵌段和由通过叠氮-炔烃环加成反应偶联的低聚糖组成的另一嵌段组成。
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公开(公告)号：CN106462055A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580020461.8
申请日：2015-03-13
Applicant: 得克萨斯大学体系董事会
IPC: G03F7/00 , C09D153/00
Abstract: 有序化嵌段共聚物的方法包括形成具有第一优先模式的第一层；和在第一层的选择区域内提供反应性试剂，所述反应性试剂改性选择区域成第二优先模式，其中该选择区域界定保留第一优先模式的第一层的其他区域，进而形成嵌段共聚物的校准层。
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公开(公告)号：CN104254557A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201380013688.0
申请日：2013-02-07
Applicant: 得克萨斯大学体系董事会
IPC: C08G63/695 , G03F7/00
CPC classification number: C09D167/00 , B05C21/005 , B05D1/005 , B05D3/00 , B05D5/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C08F8/02 , C08F112/14 , C08F2810/40 , C08G63/6952 , G03F7/0002 , Y10T428/24851 , Y10T428/31504
Abstract: 本发明包括以极低分子量自组装而形成极小特征的二嵌段共聚物体系。在一个实施方案中，在该嵌段共聚物内的一种聚合物含有硅，和另一聚合物是聚丙交酯。在一个实施方案中，通过阴离子和开环聚合反应的组合，合成该嵌段共聚物。在一个实施方案中，这一嵌段共聚物的目的是形成可在平版印刷构图中用作蚀刻掩模的纳米多孔材料。
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公开(公告)号：CN102869670A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201180009885.6
申请日：2011-02-16
Applicant: 得克萨斯大学体系董事会
IPC: C07F7/00
CPC classification number: C07F7/0881 , C07D301/00 , C07D303/12 , C07F7/0838 , C07F7/0874 , C07F7/0878 , C07F7/0879 , C07F7/0889 , C07F7/0896 , C09D163/00 , G03F7/0002 , H01L21/31055
Abstract: 本发明描述了支化和官能化的硅氧烷和制备这样的化合物的方法。所述化合物具有多种用途。一个优选的应用是作为用于光刻法的新型平坦化材料，在该情形中官能化支化硅氧烷，例如环氧改性的支化硅氧烷特别有用。
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