-
公开(公告)号：CN109937477A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201780068361.1
申请日：2017-11-22
Applicant: 德州仪器公司
Inventor： 本杰明·史塔生·库克 , 阿尔莎娜·韦努戈帕尔 , 路易吉·科隆博 , 罗伯特·里德·多林
IPC: H01L23/34
Abstract: 在所描述实例中，一种集成电路(100)具有衬底(102)及安置在所述衬底(102)上的互连区(106)。所述互连区(106)具有互连级。所述集成电路(100)包含所述互连区(106)中的热路由结构(130)。所述热路由结构(130)在所述互连区(106)中的所述集成电路(100)的一部分但不是全部上方延伸。所述热路由结构(130)包含粘结纳米颗粒膜，其中邻近纳米颗粒彼此粘结。所述热路由结构(130)的导热率高于触碰所述热路由结构(130)的电介质材料。通过包含加成工艺的方法形成所述粘结纳米颗粒膜。
-
公开(公告)号：CN109155309A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780028562.9
申请日：2017-05-11
Applicant: 德州仪器公司
Inventor： 本杰明·史塔生·库克 , 罗伯托·嘉姆彼罗·马索利尼 , 丹尼尔·卡罗瑟斯
Abstract: 在所描述的实例中，一种集成电路IC(300)包含电路衬底(301)，所述电路衬底(301)具有前侧表面(320)和相对背侧表面。有源电路位于所述前侧表面(320)上。电感结构(310)位于深沟槽内，所述深沟槽在电路衬底(301)中形成于所述背侧表面下方。所述电感结构(310)耦合(343、344)到所述有源电路。
-
公开(公告)号：CN109906505B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201780068363.0
申请日：2017-11-22
Applicant: 德州仪器公司
Inventor： 阿尔莎娜·韦努戈帕尔 , 本杰明·史塔生·库克 , 路易吉·科隆博 , 罗伯特·里德·多林
IPC: H01L21/768 , H01L23/34
Abstract: 在所描述实例中，集成电路(100)在顶部互连层(124)上具有热路由结构(132)。所述顶部互连层(124)包含连接到下互连层的互连件(118)，且不包含接合垫、探测垫、输入/输出垫或到凸块接合垫的再分布层。所述热路由结构(132)在含有所述顶部互连层(124)的所述集成电路(100)的平面的部分而非全部上方延伸。所述热路由结构(132)包含纳米颗粒层，其中相邻纳米颗粒彼此附接。所述纳米颗粒层不含有机粘合剂材料。所述热路由结构(132)的导热率高于所述顶部互连层(124)中的金属的导热率。所述纳米颗粒层是通过加成工艺形成。
-
公开(公告)号：CN109478710B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201680061528.7
申请日：2016-12-29
Applicant: 德州仪器公司
Inventor： 本杰明·史塔生·库克 , 斯瓦米纳坦·桑卡兰
Abstract: 在设备(700)的所描述实例中，半导体衬底(710)具有前侧表面及与所述前侧表面相对的背侧表面。金属导体(714)形成于所述前侧表面上方。至少一个空腔开口蚀刻于所述背侧表面中。辐射或耦合结构(716)形成于所述金属导体(714)的一部分中且配置成通过所述背侧表面中的所述空腔开口辐射信号。
-
公开(公告)号：CN109075819A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027543.4
申请日：2017-05-05
Applicant: 德州仪器公司
Inventor： 本杰明·史塔生·库克 , 斯瓦米纳坦·桑卡兰
IPC: H04B5/00
Abstract: 在系统(100)的所描述实例中，第一波导(110)具有耦合到所述第一波导(110)的端部的第一谐振器(112)。第二波导(111)具有耦合到所述第二波导(111)的第二谐振器(113)。所述第一谐振器(112)与所述第二谐振器(113)隔开间隙(104)距离。由所述第一波导(110)跨越所述间隙(104)传播到所述第二波导(111)的信号(203)的传输由所述第一谐振器(112)响应于耦合到所述第二谐振器(113)的传播波产生的受限近场磁场(205)增强。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108352330B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201680064889.7
申请日：2016-12-30
Applicant: 德州仪器公司
Inventor： 林勇 , 张荣伟 , 本杰明·史塔生·库克 , 艾布拉姆·卡斯特罗
Abstract: 在所描述的实例中，一种方法(400)包含将裸片附接材料施加到集成电路(410)的裸片垫。所述裸片附接材料用作到所述裸片垫的结合材料。所述方法(400)包含经由所述裸片附接材料(420)将集成电路裸片安装到所述集成电路的所述裸片垫。所述方法(400)包含在出现在所述集成电路裸片及所述集成电路的所述裸片垫的界面处的所述裸片附接材料上印刷粘附沉积材料，以减轻所述集成电路裸片与所述裸片垫(430)之间的分层。
-
公开(公告)号：CN114364999A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202080063008.6
申请日：2020-09-08
Applicant: 德州仪器公司
Inventor： 美藤成 , 本杰明·史塔生·库克 , 李德元 , 凯特·瑞安·格伦 , 大竹健二
IPC: G01R33/02
Abstract: 本公开提供一种结构(100)，其包含包括表面的衬底(110)。所述结构(100)还包含定位在所述衬底(110)内且在所述衬底(110)的所述表面下方的水平型霍尔传感器(120)。所述结构(100)进一步包含定位在所述衬底(110)的所述表面上方的保护性外涂层(140)，以及定位在所述保护性外涂层(140)上方的球形磁集中器(134)。作为所述球形磁集中器(134)的替代或补充，所述结构(100)还可包含定位在所述衬底(110)内且在所述水平型霍尔传感器(120)下方的嵌入式磁集中器(132)。
-
公开(公告)号：CN109906505A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201780068363.0
申请日：2017-11-22
Applicant: 德州仪器公司
Inventor： 阿尔莎娜·韦努戈帕尔 , 本杰明·史塔生·库克 , 路易吉·科隆博 , 罗伯特·里德·多林
IPC: H01L21/768 , H01L23/34
Abstract: 在所描述实例中，集成电路(100)在顶部互连层(124)上具有热路由结构(132)。所述顶部互连层(124)包含连接到下互连层的互连件(118)，且不包含接合垫、探测垫、输入/输出垫或到凸块接合垫的再分布层。所述热路由结构(132)在含有所述顶部互连层(124)的所述集成电路(100)的平面的部分而非全部上方延伸。所述热路由结构(132)包含纳米颗粒层，其中相邻纳米颗粒彼此附接。所述纳米颗粒层不含有机粘合剂材料。所述热路由结构(132)的导热率高于所述顶部互连层(124)中的金属的导热率。所述纳米颗粒层是通过加成工艺形成。
-
公开(公告)号：CN109478710A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201680061528.7
申请日：2016-12-29
Applicant: 德州仪器公司
Inventor： 本杰明·史塔生·库克 , 斯瓦米纳坦·桑卡兰
Abstract: 在设备(700)的所描述实例中，半导体衬底(710)具有前侧表面及与所述前侧表面相对的背侧表面。金属导体(714)形成于所述前侧表面上方。至少一个空腔开口蚀刻于所述背侧表面中。辐射或耦合结构(716)形成于所述金属导体(714)的一部分中且配置成通过所述背侧表面中的所述空腔开口辐射信号。
-
公开(公告)号：CN109075129B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201780028211.8
申请日：2017-05-10
Applicant: 德州仪器公司
Inventor： 本杰明·史塔生·库克 , 史蒂文·库默尔 , 库尔特·彼得·瓦赫特勒
IPC: H01L23/053 , H01L21/52
Abstract: 所描述实例包含一种浮动裸片封装(200B‑1)，其包含通过在模制(216)组合件之后牺牲裸片密封剂的升华和裸片附接材料的升华或分离形成的空腔(252)。将模制结构中的针孔通风口述裸片(206)或裸片堆叠从衬底(202)释放且仅通过接合线(210)悬浮于所述空腔(252)中。(218)提供为升华路径以允许气体逸出，其中所
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.024 seconds)
