公开(公告)号：CN103489862B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201210305062.4

申请日：2012-06-12

Applicant: 恩智浦美国有限公司

Inventor： 王培林 ,  陈菁菁 ,  E·D·德弗雷萨特 ,  具本星 ,  李文漪 ,  覃甘明

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/77 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7815

Abstract: 一种具有主‑FET(MFET)和内嵌的电流传感‑FET(SFET)的功率MOSFET。通过在MFET和SFET之间的缓冲空间中的隔离栅条(IGRs)将MFET栅条耦合至SFET栅条。在一个实施例中，n个IGRs(i＝1至n)将MFET(304)的第一部分的n+1个栅耦合至SFET的n个栅。该IGRs具有之字形中央部分，其中每一个SFET栅条通过该IGRs耦合至两个MFET栅条。对除第一个和最后一个IGRs的外侧之外的所有IGRs，之字形中央部分提供阻挡以阻止在SFET的源和MFET的源之间的寄生泄漏路径。通过增加残余泄漏路径周围的区域中的体掺杂可实现这样的阻挡。该IGRs实质上没有源区。

公开(公告)号：CN103443926B

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201180067317.1

申请日：2011-02-12

Applicant: 恩智浦美国有限公司

Inventor： 王培林 ,  陈菁菁 ,  D·D·艾多特

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件结构及相关的制造方法。示例性的半导体器件结构（100）包括沟槽栅极结构（114）、横向栅极结构（118）、具有第一导电类型的主体区（124）、漏极区（125）以及具有第二导电类型的第一源极区及第二源极区（128、130）。第一源极区及第二源极区（128、130）形成于主体区（124）内。漏极区（125）与主体区（124）相邻，并且第一源极区（128）与沟槽栅极结构（114）相邻，其中被布置于第一源极区（128）与漏极区（125）之间的主体区（124）的第一部分与沟槽栅极结构（114）相邻。主体区（124）的第二部分被布置于第二源极区（130）与漏极区（125）之间，并且横向栅极结构（118）被布置为覆盖于主体区（124）的第二部分之上。

公开(公告)号：CN103426738B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201210291502.5

申请日：2012-05-17

Applicant: 恩智浦美国有限公司

Inventor： 王培林 ,  陈菁菁 ,  E·D·德弗莱萨特

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: 半导体器件及其形成方法的实施例包括提供具有顶表面、底表面、有源区和边缘区的半导体衬底，以及在半导体衬底的有源区中的第一沟槽中形成栅结构。在半导体衬底的边缘区中的第二沟槽中形成端部结构。端部结构具有面向有源区的侧面和面向器件周界的侧面。方法进一步包括在邻近栅结构的两侧面的半导体衬底中形成具有第一导电类型的第一和第二源区。在邻近端部结构的面向有源区的侧面的半导体衬底中形成第三源区。例如，半导体器件可为沟槽金属氧化物半导体器件。

公开(公告)号：CN103426916B

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201210236232.8

申请日：2012-05-14

Applicant: 恩智浦美国有限公司

Inventor： 王培林 ,  E·D·德弗莱萨特 ,  李文漪

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 功率MOSFET包含具有上表面的半导体衬底，在衬底中具有第一深度的空腔，其侧壁延伸至上表面，在空腔中的介电衬里，在介电衬里内并延伸至上表面或在上表面上延伸的栅导体，在衬底内且具有第二深度的体区(多个)，其通过第一厚度的介电衬里的第一部分(多个)与下部空腔区域的栅导体分离，以及在体区(多个)内并延伸至小于第二深度的第三深度的源区(多个)。源区(多个)通过至少部分地大于第一厚度的第二厚度的介电衬里的第二部分与栅导体分离。介电衬里在第三深度处或小于第三深度处具有横向延伸进入栅导体并远离体区(多个)的突起。