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公开(公告)号：CN110047929A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910033481.9
申请日：2019-01-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及具有沟槽栅极的半导体电子器件及其制造方法。一种垂直导电半导体电子器件，包括：半导体本体；在半导体本体中的体区；在体区中的源极端子；与源极区域空间相对的漏极端子；以及穿过体区和源极区域延伸深入半导体本体的沟槽栅极。沟槽栅极包括掩埋在半导体本体中的多孔氧化硅的电介质区域，以及延伸在多孔氧化硅的电介质区域和第一侧之间的栅极导电区域。
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公开(公告)号：CN107785369A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710197884.8
申请日：2017-03-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L29/861 , H01L29/78 , H01L21/8249
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L21/02233 , H01L21/02255 , H01L21/26513 , H01L21/3063 , H01L21/3081 , H01L21/76224 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0665 , H01L29/0847 , H01L29/16 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/41741 , H01L29/66128 , H01L29/66666 , H01L29/66681 , H01L29/7816 , H01L29/8611 , H03K17/687 , H01L27/0629 , H01L21/8249 , H01L29/78 , H01L29/861
Abstract: 一种具有半导体本体(30)的集成电子器件包括：第一电极区域(32)，该第一电极区域具有第一导电类型；以及第二电极区域(28，34，38)，该第二电极区域具有第二导电类型，该第二电极区域与该第一电极区域形成结。该集成电子器件进一步包括：纳米结构半导体区域(48)，该纳米结构半导体区域在该第一和第二电极区域(32；28，34，38)之一中延伸。
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公开(公告)号：CN107343246A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201611248216.5
申请日：2016-12-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B06B1/0292 , A61B8/4483 , B06B1/0644 , B06B1/067 , B06B1/0685 , G10K9/22 , G10K11/02 , H04R19/005 , H04R9/06 , H04R9/02 , H04R2400/11
Abstract: 本公开的声学器件具有微机械声学换能器元件(15)；声学衰减区域(40)；以及声学匹配区域(32)，被布置在声学换能器元件(15)和声学衰减区域(40)之间。声学换能器元件(15)被形成在第一衬底(25)中，所述第一衬底容纳定界膜(16)的腔(19)。半导体材料的第二衬底(30)集成电子电路被布置在声学换能器元件(15)和声学衰减区域(40)之间。声学匹配区域(32)具有带有第二衬底的第一界面(32A)和具有带有声学衰减区域(40)的第二界面(32B)。声学匹配区域(32)具有与在第一界面(32A)邻近的第二衬底(30)的阻抗匹配的阻抗，以及与在第二界面(32B)邻近的声学衰减区域(40)的阻抗匹配的阻抗。
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公开(公告)号：CN110047929B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201910033481.9
申请日：2019-01-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及具有沟槽栅极的半导体电子器件及其制造方法。一种垂直导电半导体电子器件，包括：半导体本体；在半导体本体中的体区；在体区中的源极端子；与源极区域空间相对的漏极端子；以及穿过体区和源极区域延伸深入半导体本体的沟槽栅极。沟槽栅极包括掩埋在半导体本体中的多孔氧化硅的电介质区域，以及延伸在多孔氧化硅的电介质区域和第一侧之间的栅极导电区域。
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公开(公告)号：CN107785369B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201710197884.8
申请日：2017-03-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L29/861 , H01L29/78 , H01L21/8249
Abstract: 一种具有半导体本体(30)的集成电子器件包括：第一电极区域(32)，该第一电极区域具有第一导电类型；以及第二电极区域(28，34，38)，该第二电极区域具有第二导电类型，该第二电极区域与该第一电极区域形成结。该集成电子器件进一步包括：纳米结构半导体区域(48)，该纳米结构半导体区域在该第一和第二电极区域(32；28，34，38)之一中延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106356434B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201610108591.3
申请日：2016-02-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开提供多孔硅发光器件及其制造方法。发光器件(1)包括：半导体本体(2)，具有第一导电性类型，具有正侧面(2a)和背侧面(2b)；多孔硅区域(10)，其在半导体本体(2)中在正侧面(2a)处延伸；以及阴极区域(8)，与多孔硅区域(10)直接侧向接触。发光器件进一步包括电绝缘材料的势垒区域(12)，势垒区域(12)在阴极区域的底侧面处与阴极区域(8)直接接触地延伸，使得在使用中，电流排他地穿过阴极区域(8)的侧向部分在半导体本体中流动。
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公开(公告)号：CN106356434A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610108591.3
申请日：2016-02-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L33/346 , H01L33/0054 , H01L33/145
Abstract: 本公开提供多孔硅发光器件及其制造方法。发光器件(1)包括：半导体本体(2)，具有第一导电性类型，具有正侧面(2a)和背侧面(2b)；多孔硅区域(10)，其在半导体本体(2)中在正侧面(2a)处延伸；以及阴极区域(8)，与多孔硅区域材料的势垒区域(12)，势垒区域(12)在阴极区域的底侧面处与阴极区域(8)直接接触地延伸，使得在使用中，电流排他地穿过阴极区域(8)的侧向部分在半导体本体中流动。(10)直接侧向接触。发光器件进一步包括电绝缘
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公开(公告)号：CN209496879U
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201920057398.0
申请日：2019-01-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及半导体电子器件。半导体电子器件包括：半导体本体；在半导体本体中的体区；在体区中的源极端子；与源极区域空间相对的漏极端子；以及穿过体区和源极区域延伸深入半导体本体的沟槽栅极。沟槽栅极包括掩埋在半导体本体中的多孔氧化硅的电介质区域，以及延伸在多孔氧化硅的电介质区域和第一侧之间的栅极导电区域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207731928U
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201720324426.1
申请日：2017-03-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L29/861 , H01L29/78 , H01L21/8249
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L21/02233 , H01L21/02255 , H01L21/26513 , H01L21/3063 , H01L21/3081 , H01L21/76224 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0665 , H01L29/0847 , H01L29/16 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/41741 , H01L29/66128 , H01L29/66666 , H01L29/66681 , H01L29/7816 , H01L29/8611 , H03K17/687
Abstract: 一种的集成电子器件，其具有半导体本体(30)，包括：第一电极区域(32)，该第一电极区域具有第一导电类型；以及第二电极区域(28，34，38)，该第二电极区域具有第二导电类型，该第二电极区域与该第一电极区域形成结。该集成电子器件进一步包括：纳米结构半导体区域(48)，该纳米结构半导体区域在该第一和第二电极区域(32；28，34，38)之一中延伸。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206993400U
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201621467767.6
申请日：2016-12-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B06B1/0292 , A61B8/4483 , B06B1/0644 , B06B1/067 , B06B1/0685 , G10K9/22 , G10K11/02 , H04R19/005
Abstract: 本公开涉及一种声学器件，具有微机械声学换能器元件(15)；声学衰减区域(40)；以及声学匹配区域(32)，被布置在声学换能器元件(15)和声学衰减区域(40)之间。声学换能器元件(15)被形成在第一衬底(25)中，所述第一衬底容纳定界膜(16)的腔(19)。半导体材料的第二衬底(30)集成电子电路被布置在声学换能器元件(15)和声学衰减区域(40)之间。声学匹配区域(32)具有带有第二衬底的第一界面(32A)和具有带有声学衰减区域(40)的第二界面(32B)。声学匹配区域(32)具有与在第一界面(32A)邻近的第二衬底(30)的阻抗匹配的阻抗，以及与在第二界面(32B)邻近的声学衰减区域(40)的阻抗匹配的阻抗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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