公开(公告)号：CN1104038C

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN98105497.8

申请日：1998-03-16

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐藤信彦 ,  米原隆夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L33/346 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3063 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 半导体衬底，包括具有多孔区的硅衬底，以及在多孔区上提供的半导体层，该半导体层包括单晶化合物，形成在多孔区表面，表面处其孔洞已被密封。该衬底可由以下工艺制造：热处理具有多孔区的硅衬底，在多孔区表面密封孔洞，以及通过异质外延生长在具有被热处理所密封的孔洞的多孔区上形成单晶化合物半导体层。可以以高生产率，高均匀性，高可控性以及可观的经济优势在大面积硅衬底上形成几乎不含晶体缺陷的单晶化合物半导体薄膜。

公开(公告)号：CN1271175A

公开(公告)日：2000-10-25

申请号：CN00108662.6

申请日：2000-03-24

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 山方憲二 ,  松村聡

IPC: H01L21/02 ,  B08B3/08 ,  B08B3/12

CPC classification number: H01L21/67057 ,  B08B3/08 ,  C11D7/261 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/007 ,  H01L21/67051 ,  H01L33/346

Abstract: 为了在短时间清洗多孔体而不使它的结构发生任何变化,提供一种清洗通过阳极氧化形成的多孔体的清洗方法,利用包含至少一种醇和乙酸的清洗溶液,在阳极氧化后清洗多孔体。

公开(公告)号：CN1187792C

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN00108662.6

申请日：2000-03-24

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 山方憲二 ,  松村聡

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  B08B3/08

CPC classification number: H01L21/67057 ,  B08B3/08 ,  C11D7/261 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/007 ,  H01L21/67051 ,  H01L33/346

Abstract: 为了在短时间清洗多孔体而不使它的结构发生任何变化，提供一种清洗通过阳极氧化形成的多孔体的清洗方法，利用包含至少一种醇和乙酸的清洗溶液，在阳极氧化后清洗多孔体。

公开(公告)号：CN1193808A

公开(公告)日：1998-09-23

申请号：CN98105497.8

申请日：1998-03-16

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐藤信彦 ,  米原隆夫

IPC: H01L21/00 ,  H01L31/04 ,  H01L33/00 ,  H01S3/18

CPC classification number: H01L33/346 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3063 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 半导体衬底,包括具有多孔区的硅衬底,以及在多孔区上提供的半导体层,该半导体层包括单晶化合物,形成在多孔区表面,表面处其孔洞已被密封。该衬底可由以下工艺制造:热处理具有多孔区的硅衬底,在多孔区表面密封孔洞,以及通过异质外延生长在具有被热处理所密封的孔洞的多孔区上形成单晶化合物半导体层。可以以高生产率,高均匀性,高可控性以及可观的经济优势在大面积硅衬底上形成几乎不含晶体缺陷的单晶化合物半导体薄膜。

公开(公告)号：CN107474822A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710292165.4

申请日：2017-04-28

Applicant: 奇美实业股份有限公司

Inventor： 庄渊仁 ,  游思淳 ,  温正雄

IPC: C09K11/02 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L51/0001 ,  C09K11/06 ,  H01L27/15 ,  H01L33/145 ,  H01L33/18 ,  H01L33/346 ,  H01L33/502 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/502 ,  C09K11/025 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明提供一种发光材料、发光材料的制备方法与显示装置。发光材料的平均粒径为0.1微米至30微米，且发光材料的颗粒内的最外层的量子点与发光材料的颗粒的表面的平均距离为0.5纳米至25纳米，或者发光材料的颗粒内的最外层的量子点与发光材料的颗粒的表面的最小距离为0.1纳米至20纳米。

公开(公告)号：CN106356434A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610108591.3

申请日：2016-02-26

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·莫里利 ,  F·F·R·托亚 ,  G·巴里拉罗 ,  M·萨姆比

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/346 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/145

Abstract: 本公开提供多孔硅发光器件及其制造方法。发光器件(1)包括：半导体本体(2)，具有第一导电性类型，具有正侧面(2a)和背侧面(2b)；多孔硅区域(10)，其在半导体本体(2)中在正侧面(2a)处延伸；以及阴极区域(8)，与多孔硅区域材料的势垒区域(12)，势垒区域(12)在阴极区域的底侧面处与阴极区域(8)直接接触地延伸，使得在使用中，电流排他地穿过阴极区域(8)的侧向部分在半导体本体中流动。(10)直接侧向接触。发光器件进一步包括电绝缘

公开(公告)号：CN1398347A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN99816847.5

申请日：1999-07-09

Applicant: 医疗咨询公司

Inventor： D·W·阿姆斯特朗 ,  M·L·拉弗朗丝

IPC: G01N21/62 ,  G01N21/64 ,  G01N33/543 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/346 ,  G01N21/6489 ,  G01N33/54373 ,  G01N33/551 ,  G01N33/582

Abstract: 用识别成分修饰具有多孔结构的半导体材料，在暴露于电磁辐射时产生光致发光响应。可选自生物分子部分、有机部分和无机部分的识别成分与靶分析物相互作用而产生调制的光致发光响应(与只用识别成分修饰的半导体材料相比)。

公开(公告)号：CN1185234A

公开(公告)日：1998-06-17

申请号：CN96193839.0

申请日：1996-03-15

Applicant: 英国国防部

Inventor： L·T·康哈姆 ,  T·I·考克斯 ,  A·朗埃 ,  A·J·西蒙斯 ,  R·S·布莱克

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/346

Abstract: 一种电致发光器件(10)包含靠近体材料硅区(20)的多孔硅区(22),以及铟锡氧化物的顶部电接触(24)和底部的铝电接触(26)。该器件包括用来提供欧姆接触的重掺杂区(28)。多孔硅区(22)由穿过体材料硅的离子注入表面层进行的阳极化来制备。在离子注入和阳极化阶段之间硅保持不被退火。器件(10)在多孔硅区(22)之中有一个整流P－N结。

公开(公告)号：CN1142875A

公开(公告)日：1997-02-12

申请号：CN94194956.7

申请日：1994-11-17

Applicant: 英国国防部

Inventor： L·T·坎汉姆

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/346 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/16 ,  Y10S438/96 ,  Y10S438/962 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/24999

Abstract: 制成了晶体硅(12)形式的多孔半导体材料，它具有超过90％的孔隙率，并且用放大倍数为7,000的扫描电子显微镜基本分辨不出空洞、开裂和剥落。材料(12)是通过以下方法制备的：将一个硅圆片(10)进行阳极处理以形成多孔硅，接着对多孔硅进行腐蚀以形成确定硅量子线的孔交错。腐蚀之后，用超临界干燥将多孔硅干燥。由此得到的材料具有良好的发光特性以及良好的表面形貌和结晶性。

公开(公告)号：CN205752219U

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201620147583.5

申请日：2016-02-26

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·莫里利 ,  F·F·R·托亚 ,  G·巴里拉罗 ,  M·萨姆比

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/346 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/145

Abstract: 本公开提供多孔硅发光器件，以获得令人满意的发光效能。发光器件(1)包括：半导体本体(2)，具有第一导电性类型，具有正侧面(2a)和背侧面(2b)；多孔硅区域(10)，其在半导体本体(2)中在正侧面(2a)处延伸；以及阴极区域(8)，与多孔硅区域(10)直接侧向接触。发光器件进一步包括电绝缘材料的势垒区域(12)，势垒区域(12)在阴极区域的底侧面处与阴极区域(8)直接接触地延伸，使得在使用中，电流排他地穿过阴极区域(8)的侧向部分在半导体本体中流动。通过本公开的实施例，获得了改善的发光效能。