公开(公告)号：CN111858462B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202010673562.8

申请日：2020-07-14

Applicant: 成都华微电子科技股份有限公司

Inventor： 刘云搏 ,  丛伟林 ,  段清华 ,  耿林 ,  刘洋 ,  李显军 ,  康蕾 ,  陶琼 ,  王玉嫣 ,  孙海 ,  阙小茜 ,  何相龙 ,  张英 ,  于冬 ,  王小波 ,  刘义凯 ,  王志超

IPC: G06F15/78

Abstract: 并列式FPGA，涉及集成电路，本发明包括至少一个并列式模块，所述并列式模块包括至少两列CFM模块，相邻两个CFM模块列之间至少有一列INF模块，各CFM模块通过布线资源与INF模块连接；所述CFM模块包括下述模块之一种或一种以上：输入输出模块、块状RAM存储模块、高带宽存储模块、高速串行接口、高速串行计算机扩展总线、数字信号处理模块、时钟管理模块、模数转换模块、数模转换模块、处理器模块、图像处理器模块。本发明可以根据FPGA的实际应用环境，在FPGA内部快速集成各种功能和面积存在差异的模块，同时将复杂的FPGA硬件设计和软件算法进行了简单化。

公开(公告)号：CN113409843B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202110528326.1

申请日：2021-05-14

Applicant: 成都华微电子科技股份有限公司

Inventor： 郭玮 ,  王志超 ,  刘云搏 ,  丛伟林

IPC: G11C11/417

Abstract: SRAM动态阵列电源控制电路，涉及集成电路技术，本发明包括至少一个输出电压选择器，所述输出电压选择器由电流输出端相连的第一MOS管和第二MOS管构成，其中第一MOS管的电流输入端接第一电平端VDD，第二MOS管的电流输入端接第二电平端Vcc，两个MOS管的电流输出端作为输出电压选择器的输出端，与SRAM存储单元的电源线连接。本发明采用了多阈值CMOS组合设计技术，使得本发明在提高性能的同时，降低了功耗。