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公开(公告)号：CN105671518B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610200561.5
申请日：2016-03-31
Applicant: 成都西沃克真空科技有限公司
Abstract: 本发明涉及镀膜技术领域,尤其涉及种类金刚石碳膜沉积装置,真空室的上盖与真空室的室底相对,真空室的侧壁连接上盖和室底,以形成腔室;侧壁上开设有开口;门体与真空室连接,用于盖设于开口;电场平衡机构可拆卸地连接在开口处的侧壁上,用于补全开口,电场平衡机构呈板状,且,电场平衡机构的尺寸大于等于开口的尺寸;阳极靶和阴极靶设置在真空室的内部,且,阳极靶与阴极靶相对设置,阴极靶位于真空室的室底与阳极靶之间;驱动机构穿过室底与阴极靶相连;抽真空装置与真空室连通。本申请通过在真空室侧壁上的开口处增设电场平衡机构,从而能够保证真空室内的电场平衡。
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公开(公告)号：CN106017071B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201610377867.8
申请日：2016-05-31
Applicant: 成都西沃克真空科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种真空炉，包括真空腔室，其底部设置凹槽型水冷套，凹槽型水冷套的凹槽底部有放置工件的载物台，所述凹槽型水冷套的凹槽侧壁和凹槽底部依次排列的加热组件对该工件进行加热；所述凹槽型水冷套用于冷却所述加热组件；为了冷却工件，在凹槽内还设置有环绕工件的环形制冷部件，其上设置有多个排气孔。本发明通过所述第一气体冷却装置经由所述管道向所述环形制冷部件通入第一冷却气体，并通过所述排气孔排出以冷却所述工件，由于输入到工件处的气体是冷却后的气体，因此比直接输出氮气的冷却时间短，冷却效率要高。
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公开(公告)号：CN106987808B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201710338663.8
申请日：2017-05-15
Applicant: 成都西沃克真空科技有限公司
IPC: C23C14/26
Abstract: 本发明公开了一种镀膜机用基片加热装置，主要由电极座(1)，与电极座(1)的电极接头(18)电连接的加热管(3)，以及设置在电极座(1)上的支撑杆组成。本发明设的连接组件能带动设置有加热管的电极座转动，使加热管能根据基片的形状来改变对基片的加热角度；本发明设置的支撑杆为伸缩式支撑杆，该伸缩式支撑杆能根据基片的形状对加热管加热的距离进行调节，从而确保了本发明对基片加热的效果，有效的提高了基片镀膜的质量。
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公开(公告)号：CN105908133A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610283858.2
申请日：2016-04-29
Applicant: 成都西沃克真空科技有限公司
CPC classification number: C23C14/26 , C23C14/505 , C23C14/546
Abstract: 本发明公开了一种共蒸设备，其具有一共蒸腔体，共蒸腔体包括腔体底部、和腔体底部对应的腔体顶部、连接腔体底部和腔体顶部的腔体侧壁；腔体顶部设置旋转装置，以带动待镀膜基片旋转；腔体底部设置蒸发电极，以加热蒸发镀膜材料在待镀膜基片上形成镀膜；腔体侧壁设置晶控探头和晶控挡板。晶控挡板阻挡在晶控探头和蒸发电极之间，晶控挡板设置有多个通孔；在蒸发电极加热蒸发镀膜材料对待镀膜基片进行镀膜的同时，使镀膜材料以气相状态穿过通孔沉积在晶控探头上形成镀膜，进而避免晶控探头镀膜过厚而降低灵敏度，能够保证晶控探头测量镀膜厚度的准确性，进而保证其确定待镀膜基片的镀膜厚度的准确性。
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公开(公告)号：CN105671518A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610200561.5
申请日：2016-03-31
Applicant: 成都西沃克真空科技有限公司
CPC classification number: C23C16/26 , C23C14/0605
Abstract: 本发明涉及镀膜技术领域，尤其涉及一种类金刚石碳膜沉积装置，真空室的上盖与真空室的室底相对，真空室的侧壁连接上盖和室底，以形成一腔室；侧壁上开设有一开口；门体与真空室连接，用于盖设于开口；电场平衡机构可拆卸地连接在开口处的侧壁上，用于补全开口，电场平衡机构呈板状，且，电场平衡机构的尺寸大于等于开口的尺寸；阳极靶和阴极靶设置在真空室的内部，且，阳极靶与阴极靶相对设置，阴极靶位于真空室的室底与阳极靶之间；驱动机构穿过室底与阴极靶相连；抽真空装置与真空室连通。本申请通过在真空室侧壁上的开口处增设电场平衡机构，从而能够保证真空室内的电场平衡。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105671508A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610196820.1
申请日：2016-03-31
Applicant: 成都西沃克真空科技有限公司
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/562
Abstract: 本发明公开了一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置，包括：真空腔室，真空腔室中依次设置有放卷辊、冷却辊、收卷辊、定位支架，而定位支架为高度可调的内凹形型支架，包括：支撑机构和内陷机构；其中，支撑机构可随意调整内陷机构和冷却辊的距离，进而随意改变靶基距；内陷机构的内陷面上设置有多个溅射阴极，每个溅射阴极上设置有各自的溅射靶材；每个溅射阴极中的溅射靶材可以相同或者不同。本发明将溅射阴极内置于真空腔内部，并且使用了高度可调的内凹形型支架来调整内陷机构和冷却辊的距离，有利于找出溅射靶材和冷却辊上的待镀膜的基材的最佳镀膜距离，可大大提高沉积速率，提高了溅射镀膜效率和镀膜质量。
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公开(公告)号：CN107130214A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710330262.8
申请日：2017-05-11
Applicant: 成都西沃克真空科技有限公司
IPC: C23C14/26
CPC classification number: C23C14/26
Abstract: 本发明公开了一种蒸发器用可旋转的水冷式电极装置，主要由电极杆(1)，与电极杆(1)相连接的支持筒(9)，设置在电极杆(1)上的接电装置，以及设置在支持筒(9)上并与电极杆(1)相连接的安装组件组成。本发明的电极杆设置为空心电极杆，有效的提高电极杆的散热效果，并且本发明在电极杆内还设置了水冷装置，该水冷装置能很好的对电极杆进行冷却，从而本发明的电极杆实现了在工作中的自动冷却，很好的确保了电极装置内的绝缘和密封部件易不被高温损坏，从而极大的延长了电极装置的使用寿命。
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公开(公告)号：CN106987808A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710338663.8
申请日：2017-05-15
Applicant: 成都西沃克真空科技有限公司
IPC: C23C14/26
CPC classification number: C23C14/26
Abstract: 本发明公开了一种镀膜机用基片加热装置，主要由电极座(1)，与电极座(1)的电极接头(18)电连接的加热管(3)，以及设置在电极座(1)上的支撑杆组成。本发明设的连接组件能带动设置有加热管的电极座转动，使加热管能根据基片的形状来改变对基片的加热角度；本发明设置的支撑杆为伸缩式支撑杆，该伸缩式支撑杆能根据基片的形状对加热管加热的距离进行调节，从而确保了本发明对基片加热的效果，有效的提高了基片镀膜的质量。
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公开(公告)号：CN105890345A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610380708.3
申请日：2016-05-31
Applicant: 成都西沃克真空科技有限公司
CPC classification number: F27B5/02 , F27B5/04 , F27B5/06 , F27B5/14 , F27B5/16 , F27B2005/062 , F27B2005/165 , F27B2005/166
Abstract: 本发明公开了一种真空炉，包括固定在操作箱的侧壁上的第一真空腔室、固定在操作箱的侧壁上的第二真空腔室、用于盖设第二真空腔室的腔盖。第二真空腔室容置于所述第一真空腔室内部；在第二真空腔室的内部设置有载物台，所述载物台上放置工件；而在所述第二真空腔室的外壁覆盖有密闭的加热腔室，在所述加热腔室内部设置有加热组件，所述加热组件沿所述第二真空腔室的外壁依次排列，用于对所述第二真空腔室进行加热，此结构可将加热组件和工件区分，进而避免加热组件对工件的污染，提高工件的质量。
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公开(公告)号：CN105671508B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201610196820.1
申请日：2016-03-31
Applicant: 成都西沃克真空科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置，包括：真空腔室，真空腔室中依次设置有放卷辊、冷却辊、收卷辊、定位支架，而定位支架为高度可调的内凹形型支架，包括：支撑机构和内陷机构；其中，支撑机构可随意调整内陷机构和冷却辊的距离，进而随意改变靶基距；内陷机构的内陷面上设置有多个溅射阴极，每个溅射阴极上设置有各自的溅射靶材；每个溅射阴极中的溅射靶材可以相同或者不同。本发明将溅射阴极内置于真空腔内部，并且使用了高度可调的内凹形型支架来调整内陷机构和冷却辊的距离，有利于找出溅射靶材和冷却辊上的待镀膜的基材的最佳镀膜距离，可大大提高沉积速率，提高了溅射镀膜效率和镀膜质量。
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