公开(公告)号：CN119685805A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411858007.7

申请日：2024-12-16

Applicant: 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司

Inventor： 冯家玉 ,  孟亮 ,  张赛谦 ,  郭东 ,  王佳航

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明公开了用于半导体工艺设备的阻抗调节装置以及半导体工艺设备。该阻抗调节装置包括：阻抗调节模块，位于所述半导体工艺设备的反应腔室内，并设置在喷淋板上，所述阻抗调节模块包括多个阻抗调节单元，每个所述阻抗调节单元的输出作为一个射频电流馈入点将射频电流馈入至所述喷淋板，所述多个阻抗调节单元均匀分布在所述喷淋板上；控制装置，位于所述反应腔室外部，并与所述阻抗调节模块电性耦接，所述控制装置被配置成独立调节各阻抗调节单元的阻抗。

公开(公告)号：CN119626882A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411813476.7

申请日：2024-12-10

Applicant: 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司

Inventor： 王佳航 ,  张赛谦 ,  郭东 ,  冯家玉

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/244 ,  H01L21/67 ,  C23C16/52 ,  C23C16/509

Abstract: 本发明公开了一种射频回路调整系统、调整方法和半导体器件的工艺机台。调整系统包括：第一射频发射器和第二射频发射器，分别向第一反应腔内提供第一射频电流值，向第二反应腔内提供第二射频电流值；电流检测装置，采集第一射频电流值和第二射频电流值；控制器被配置为：基于第一射频电流值和第二射频电流值，获得两者的射频电流比例；将射频电流比例代入第一拟合公式和第二拟合公式，获得第二射频电流的相位同步补偿值；提供目标射频电流；以及基于目标射频电流和相位同步补偿值，调节第一射频电流值和第二射频电流值，以使两个反应腔内的薄膜沉积速率一致。本发明能够减小机台腔室间的串扰，保持各腔室内成膜速率一致，减小工艺误差。

公开(公告)号：CN119789256A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411908524.0

申请日：2024-12-23

Applicant: 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司

Inventor： 王佳航 ,  张赛谦 ,  郭东 ,  杜志杰 ,  冯家玉

IPC: H05B6/46 ,  H05B6/62 ,  F25D1/02 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种射频加热棒及半导体生产设备，射频加热棒包括主体，主体包括加热部和冷却部，加热部的两端分别与加热盘和冷却部连接，冷却部的内部设有冷水通道及由冷却部外表面贯通至冷水通道的进水口和出水口，冷水通道沿冷却部的高度方向延伸设置；其中，冷水由进水口进入冷水通道并沿冷水通道的延伸方向流动至出水口排出。本申请的射频加热棒包括加热部和冷却部，加热部连接加热盘和冷却部，通过进水口朝冷水通道通入冷水并使冷水在冷却通道内流动直至从出水口排出，使冷水沿冷水通道对冷却部进行吸热降温，以避免射频加热棒的温度过高，导致射频加热棒出现烧蚀的现象，影响设备运行；同时冷却部与加热盘间隔设置，避免影响加热盘的加热效果。