公开(公告)号：CN109309084A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201710617014.1

申请日：2017-07-26

Applicant: 敦南科技股份有限公司

Inventor： 谢志泓 ,  曾清秋 ,  许志维

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明公开一种静电放电保护元件，其包括：基底、磊晶层、第一内部掺杂区、第二内部掺杂区、第一顶部掺杂区、第二顶部掺杂区以及导电层。基底上具有一第一元件区以及一第二元件区，磊晶层设于基底上，第一内部掺杂区与第二内部掺杂区分别设于第一元件区与第二元件区内且接近基底与磊晶层的接面，第一顶部掺杂区与第二顶部掺杂区分别设于第一元件区与第二元件区内且分别从磊晶层的表面外露，导电层电性连接第一顶部掺杂区与第二顶部掺杂区。据此，本发明能有效降低箝制电压。

公开(公告)号：CN108735599A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201710271479.6

申请日：2017-04-24

Applicant: 敦南科技股份有限公司

Inventor： 罗梓源 ,  曾清秋 ,  许志维

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/56 ,  H01L29/861 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制作方法，此方法首先提供一半导体基板，接着图案化半导体基板以形成一高原结构及一相邻于高原结构的沟槽，此后形成一钝化层以覆盖沟槽的壁面，其中钝化层包括一氮化物层，最后形成一电极层于高原结构的表面上。据此，本发明可缩短制造时间并降低生产成本。

公开(公告)号：CN106816478A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201510866262.0

申请日：2015-12-01

Applicant: 敦南科技股份有限公司

Inventor： 于世珩 ,  蔡松颖 ,  张有宏 ,  庄如旭 ,  许志维

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种二极管元件及其制造方法。二极管元件包括基板、位于基板上的磊晶层、沟槽式栅极结构、肖特基二极管结构及终端结构。磊晶层定义一主动区及一终止区。肖特基二极管结构与沟槽式栅极结构皆位于主动区，而终端结构位于终止区。终端结构包括终端沟槽、终端绝缘层、第一间隙壁、第二间隙壁及第一掺杂区。终端沟槽形成于磊晶层中。终端绝缘层顺形地覆盖于终端沟槽的内壁面。第一间隙壁与第二间隙壁分别位于终端沟槽的两侧壁面。第一掺杂区形成于终止区，并位于终端结构下方，其中第一掺杂区与磊晶层具有相反的导电型。本发明可改变电场分布，从而提高肖特基二极管的反向崩溃电压，并降低反向漏电流。

公开(公告)号：CN106920845B

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201510995559.7

申请日：2015-12-25

Applicant: 敦南科技股份有限公司

Inventor： 郭家展 ,  许志维 ,  庄如旭 ,  于世珩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 一种超结半导体元件，其包括基板、设置于基板上的漂移层、场绝缘层、浮接电极层、隔离层及至少一晶体管结构。漂移层内的多个n型及p型掺杂柱交替地排列，而形成超结结构。漂移层定义出元件区、过渡区及位于元件区外围的终止区，过渡区位于元件区与终止区之间。场绝缘层设置于漂移层的表面上，并覆盖终止区以及部分过渡区。浮接电极层设置于场绝缘层上，并具有一部分位于终止区内。晶体管结构包括由元件区延伸到过渡区的源极导电层，其中源极导电层由元件区延伸至过渡区，并通过隔离层与浮接电极层电性绝缘。本发明的超结半导体元件通过设置延伸到终止区内的浮接电极层，可扩大终止区内的电场分布范围，从而提高超结半导体元件整体的击穿电压。

公开(公告)号：CN106816478B

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201510866262.0

申请日：2015-12-01

Applicant: 敦南科技股份有限公司

Inventor： 于世珩 ,  蔡松颖 ,  张有宏 ,  庄如旭 ,  许志维

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种二极管元件及其制造方法。二极管元件包括基板、位于基板上的磊晶层、沟槽式栅极结构、肖特基二极管结构及终端结构。磊晶层定义一主动区及一终止区。肖特基二极管结构与沟槽式栅极结构皆位于主动区，而终端结构位于终止区。终端结构包括终端沟槽、终端绝缘层、第一间隙壁、第二间隙壁及第一掺杂区。终端沟槽形成于磊晶层中。终端绝缘层顺形地覆盖于终端沟槽的内壁面。第一间隙壁与第二间隙壁分别位于终端沟槽的两侧壁面。第一掺杂区形成于终止区，并位于终端结构下方，其中第一掺杂区与磊晶层具有相反的导电型。本发明可改变电场分布，从而提高肖特基二极管的反向崩溃电压，并降低反向漏电流。

公开(公告)号：CN106920845A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201510995559.7

申请日：2015-12-25

Applicant: 敦南科技股份有限公司

Inventor： 郭家展 ,  许志维 ,  庄如旭 ,  于世珩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 一种超结半导体元件，其包括基板、设置于基板上的漂移层、场绝缘层、浮接电极层、隔离层及至少一晶体管结构。漂移层内的多个n型及p型掺杂柱交替地排列，而形成超结结构。漂移层定义出元件区、过渡区及位于元件区外围的终止区，过渡区位于元件区与终止区之间。场绝缘层设置于漂移层的表面上，并覆盖终止区以及部分过渡区。浮接电极层设置于场绝缘层上，并具有一部分位于终止区内。晶体管结构包括由元件区延伸到过渡区的源极导电层，其中源极导电层由元件区延伸至过渡区，并通过隔离层与浮接电极层电性绝缘。本发明的超结半导体元件通过设置延伸到终止区内的浮接电极层，可扩大终止区内的电场分布范围，从而提高超结半导体元件整体的击穿电压。

公开(公告)号：CN105405882A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201410430829.5

申请日：2014-08-28

Applicant: 敦南科技股份有限公司

Inventor： 许志维 ,  魏拯华 ,  李龙杰 ,  李坤彦 ,  黄智方

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种双沟槽式的功率半导体元件及其制造方法，所述双沟槽式的功率半导体元件包括基材、位于所述基材内的第一沟槽、位于所述基材内的第二沟槽、第一导电型的漂移区、第一介电层、第一栅极结构、第二导电型的第一掺杂层以及第一导电型的源极区。漂移区位于所述第一沟槽与所述第二沟槽之间与下方。第一介电层覆盖所述第一沟槽的内侧表面，第一栅极结构位于所述第一沟槽内。第一掺杂层位于所述漂移区内且紧邻所述第二沟槽的侧壁，其中所述第二导电型的电性与所述第一导电型的电性相反。源极区位于所述漂移区的上部分。本发明能避免元件漏电的现象发生。