公开(公告)号：CN114499498A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202011144501.9

申请日：2020-10-23

Applicant: 敦宏科技股份有限公司 ,  敦南科技股份有限公司

Inventor： 詹朋翰 ,  林俊贤 ,  李盛城 ,  林文胜 ,  苏育正

IPC: H03K19/20

Abstract: 一种三态数字结构，其具备接地（GND）、电压（VDD）及空接（FLOAT）三种状态，只要在设计芯片时，在内部设置二储存单元（Storage Unit）及一包含二限流器（Current Limiter）与二切换器（switch）的接垫电路，就可以比传统技术的端口少，等于一个端口就可以有三种状态，相较于传统一个端口只能有二种状态，本发明只要在每个端口多二个储存单元接上这个接垫电路就可以做到三种状态。藉此，使用上拉与下拉的电路特性去识别端口的连接状态，能令一个端口可以通过GND、VDD及FLOAT三种状态判断多个定义，进而能省掉一个接垫，达到节省芯片的空间与成本的功效。

公开(公告)号：CN113540056A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202010469892.5

申请日：2020-05-28

Applicant: 敦南科技股份有限公司

Inventor： 李嘉炎 ,  林孝羲

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/48 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明提供一种半导体模块及其制造方法，所述半导体模块包括一电路基板、至少一半导体晶片、数个插脚、数条导线以及封装结构。电路基板的表面具有一电路图案，半导体晶片位于所述电路基板的所述表面上，且上述插脚位于电路基板的所述表面上，每个插脚包括上插脚与下插脚，上插脚经由下插脚电性连接电路图案。导线分别连接半导体晶片与电路图案，封装结构则包封半导体晶片、导线、电路图案以及每个插脚的下插脚，其中封装结构的材料包括环氧树脂模塑料(EMC)。

公开(公告)号：CN113078127A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202010795373.8

申请日：2020-08-10

Applicant: 财团法人工业技术研究院 ,  敦南科技股份有限公司

Inventor： 韩伟国 ,  李嘉炎 ,  张景尧 ,  张道智

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/40

Abstract: 本发明公开一种功率模块，包括主壳体、功率组件及至少一组装组件。主壳体具有至少一侧壁及从侧壁上延伸出的至少两凸肋。功率组件配置于主壳体内且被侧壁紧抵于散热结构上。组装组件包括主区段及两弯折区段。主区段位于两凸肋之间且包括中央部、至少一可动件及周围部。中央部具有锁附部，周围部围绕中央部，可动件连接于中央部与周围部之间。两弯折区段分别连接于周围部的相对两侧边且分别被内埋于两凸肋内。本发明的功率模块可使其内的功率芯片的基板稳定的接触散热结构，避免因不正确的锁附而歪斜。

公开(公告)号：CN106920845B

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201510995559.7

申请日：2015-12-25

Applicant: 敦南科技股份有限公司

Inventor： 郭家展 ,  许志维 ,  庄如旭 ,  于世珩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 一种超结半导体元件，其包括基板、设置于基板上的漂移层、场绝缘层、浮接电极层、隔离层及至少一晶体管结构。漂移层内的多个n型及p型掺杂柱交替地排列，而形成超结结构。漂移层定义出元件区、过渡区及位于元件区外围的终止区，过渡区位于元件区与终止区之间。场绝缘层设置于漂移层的表面上，并覆盖终止区以及部分过渡区。浮接电极层设置于场绝缘层上，并具有一部分位于终止区内。晶体管结构包括由元件区延伸到过渡区的源极导电层，其中源极导电层由元件区延伸至过渡区，并通过隔离层与浮接电极层电性绝缘。本发明的超结半导体元件通过设置延伸到终止区内的浮接电极层，可扩大终止区内的电场分布范围，从而提高超结半导体元件整体的击穿电压。

公开(公告)号：CN106816478B

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201510866262.0

申请日：2015-12-01

Applicant: 敦南科技股份有限公司

Inventor： 于世珩 ,  蔡松颖 ,  张有宏 ,  庄如旭 ,  许志维

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种二极管元件及其制造方法。二极管元件包括基板、位于基板上的磊晶层、沟槽式栅极结构、肖特基二极管结构及终端结构。磊晶层定义一主动区及一终止区。肖特基二极管结构与沟槽式栅极结构皆位于主动区，而终端结构位于终止区。终端结构包括终端沟槽、终端绝缘层、第一间隙壁、第二间隙壁及第一掺杂区。终端沟槽形成于磊晶层中。终端绝缘层顺形地覆盖于终端沟槽的内壁面。第一间隙壁与第二间隙壁分别位于终端沟槽的两侧壁面。第一掺杂区形成于终止区，并位于终端结构下方，其中第一掺杂区与磊晶层具有相反的导电型。本发明可改变电场分布，从而提高肖特基二极管的反向崩溃电压，并降低反向漏电流。

公开(公告)号：CN106887420A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201610018506.4

申请日：2016-01-12

Applicant: 敦南科技股份有限公司

Inventor： 楼百尧

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/03612 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11826 ,  H01L2224/11827 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/113 ,  H01L2224/114 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13075

Abstract: 本发明公开一种凸块结构，包括一焊盘，以及一钝化层，覆盖该接垫的周缘，其中所述钝化层包含一开口，显露出所述焊盘的部分表面区域。一第一部位，位于所述焊盘上，所述第一部位包含一上表面及一侧壁。一第二部位，覆盖在所述第一部位的上表面及其全部的侧壁上。

公开(公告)号：CN104122990A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201310727571.0

申请日：2013-12-25

Applicant: 敦南科技股份有限公司

Inventor： 谢明勋

IPC: G06F3/01 ,  H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC classification number: G01J1/42 ,  G01J2001/4295 ,  G01S7/4813 ,  G01S17/50 ,  G06F3/0304 ,  G06F3/0354 ,  G06F3/03547 ,  G06F13/24 ,  G06K9/60 ,  G06T5/008 ,  H01L25/167 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14625 ,  H01L31/02327 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H05K13/046 ,  Y02D10/14

Abstract: 本发明公开了一种动作传感器及其封装方法，所述动作传感器包含有一基板，该基板包含复数层导线架及复数层陶瓷材料；一光源，设置于该基板上，用来发射一光线；一感测装置，设置于该基板上，用来接收该光线，以进行动作感测；一盖板，用来固定并保护该光源及该感测装置；以及一结合胶，用来将该盖板贴合于该基板上，该结合胶包含有阻挡该光线的成分；其中，该光线为红外光、可见光或紫外光。

公开(公告)号：CN103424185A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201210162559.5

申请日：2012-05-21

Applicant: 敦南科技股份有限公司

Inventor： 詹晟渊 ,  戴永宗 ,  邹明杰

IPC: G01J1/00 ,  G01J1/10

Abstract: 一种自动校正误差的检测系统及方法，该检测系统包含一个输入源及二个感测电路；该检测方法首先令输入源输出一个输入信号，使这些感测电路接收输入信号并分别根据输入信号产生一个感测信号，接着令其中一个感测电路将其产生的感测信号传送至另一个控制模块，并令另一个感测电路针对其本身所产生的感测信号与所接收到的感测信号进行误差运算，以产生一个用于校正这些感测模块之间误差的校正信号，最后令另一个感测电路储存校正信号，使各个感测电路在进行感测时，可根据该校正信号进行补偿校正，进而使每个感测电路的效能达到一致，且通过差动的方式，能将外在变异因素所造成的影响降至最低，以提高检测的精确性，同时也降低了测试时间及成本。

公开(公告)号：CN102541356A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010613520.1

申请日：2010-12-24

Applicant: 敦南科技股份有限公司

Inventor： 陈昭宇 ,  陈志豪

IPC: G06F3/042

CPC classification number: G06F3/042 ,  G06F3/0416

Abstract: 一种用于光学式触控面板的触碰点定位方法，利用一处理单元配合至少三个光学感测模组来执行，所述光学感测模组形成至少两个光学感测模组群组，该方法包含下列步骤：(A)接收所述光学感测模组产生的多个光强度变化信号；(B)根据所述光强度变化信号得知所述光学感测模组中何者侦测到触碰点，并判断触碰点的数量是否为1；(C)若触碰点的数量大于1，则根据侦测到触碰点的光学感测模组所产生的光强度变化信号，来计算多个触碰点坐标；(D)由步骤(C)计算出的所述触碰点坐标得到至少两个候选触碰点坐标组；及(E)由步骤(D)得到的所述候选触碰点坐标组中决定欲输出的一触碰点坐标组。

公开(公告)号：CN101477193B

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200810001813.7

申请日：2008-01-03

Applicant: 敦南科技股份有限公司

Inventor： 郑家驹 ,  陈昭宇 ,  官知正

IPC: G01S5/16

Abstract: 一种三维空间位置侦测装置，其包括：一电磁波发射源、一具有多个第一感测元件的第一感测模块及一具有多个第二感测元件的第二感测模块。通过该电磁波发射源相对于该等第一及第二感测元件在空间中的方向角的差异，以使得该等第一及第二感测元件分别接收到该等不同的辐射能量，因此借由该等不同的辐射能量的相对大小关系，进而得到该电磁波发射源分别相对于该第一及第二感测模块的两组空间方向角，并且通过该电磁波发射源分别距离该第一及第二感测模块的两组空间距离分别与上述两组空间方向角的运算，以得到该电磁波发射源分别相对于该第一及第二感测模块的空间坐标位置。