公开(公告)号：CN113035865B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110225613.5

申请日：2019-01-17

Applicant: 新唐科技日本株式会社

Inventor： 藤冈知惠 ,  吉田弘 ,  松岛芳宏 ,  水原秀树 ,  浜崎正生 ,  坂本光章

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/417

Abstract: 半导体装置(1)具有：半导体层(40)，具有主面(40a及40b)；金属层(31)，具有主面(31a及31b)，主面(31a)与主面(40b)接触，比半导体层(40)厚，由第1金属材料构成；金属层(30)，具有主面(30a及30b)，主面(30a)与主面(31b)接触，由杨氏模量比第1金属材料大的金属材料构成；以及晶体管(10及20)；晶体管(10)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极(11)及栅极电极(19)；晶体管(20)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极(21)及栅极电极(29)，将从源极电极(11)经由金属层(31)到源极电极(21)的双向路径作为主电流路径。

公开(公告)号：CN113035866A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110244893.4

申请日：2019-01-17

Applicant: 新唐科技日本株式会社

Inventor： 浜崎正生 ,  平子正明 ,  大河亮介 ,  加藤亮

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: 半导体装置(1)具有10μm≤tsi≤30μm的半导体层(40)、由Ag构成的30μm≤tag

公开(公告)号：CN112470290A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201980040517.4

申请日：2019-01-17

Applicant: 新唐科技日本株式会社

Inventor： 浜崎正生 ,  平子正明 ,  大河亮介 ,  加藤亮

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 半导体装置(1)具有10μm≤tsi≤30μm的半导体层(40)、由Ag构成的30μm≤tag

公开(公告)号：CN119895574A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380065910.5

申请日：2023-09-11

Applicant: 新唐科技日本株式会社

Inventor： 坂本光章 ,  浜崎正生 ,  网师本亮一 ,  吉田弘 ,  油井隆

IPC: H01L25/07 ,  H10D80/20 ,  H10D30/63 ,  H05K3/46

Abstract: 能够面朝上安装的芯片尺寸封装型的半导体装置(1)具备：半导体层(40)；垂直型MOS晶体管(10)，形成在半导体层(40)内；保护膜(35)；第一布线电极(12)，与垂直型MOS晶体管(10)的源极电极(13)连接；以及第二布线电极(52)，与垂直型MOS晶体管(10)的栅极电极(19)连接，在半导体层(40)的平面图中的第一布线电极(12)的外周部分，形成由源极电极(13)、保护膜(35)以及第一布线电极(12)的依次层叠而成的、向半导体装置(1)的上方突出的第一外周构造(101)，在半导体层(40)的平面图中的第二布线电极(52)的外周部分，形成由栅极电极(19)、保护膜(35)以及第二布线电极(52)的依次层叠而成的、向半导体装置(1)的上方突出的第二外周构造(102)。

公开(公告)号：CN112470290B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201980040517.4

申请日：2019-01-17

Applicant: 新唐科技日本株式会社

Inventor： 浜崎正生 ,  平子正明 ,  大河亮介 ,  加藤亮

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 半导体装置(1)具有10μm≤tsi≤30μm的半导体层(40)、由Ag构成的30μm≤tag

公开(公告)号：CN113035865A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110225613.5

申请日：2019-01-17

Applicant: 新唐科技日本株式会社

Inventor： 藤冈知惠 ,  吉田弘 ,  松岛芳宏 ,  水原秀树 ,  浜崎正生 ,  坂本光章

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/417

Abstract: 半导体装置(1)具有：半导体层(40)，具有主面(40a及40b)；金属层(31)，具有主面(31a及31b)，主面(31a)与主面(40b)接触，比半导体层(40)厚，由第1金属材料构成；金属层(30)，具有主面(30a及30b)，主面(30a)与主面(31b)接触，由杨氏模量比第1金属材料大的金属材料构成；以及晶体管(10及20)；晶体管(10)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极(11)及栅极电极(19)；晶体管(20)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极(21)及栅极电极(29)，将从源极电极(11)经由金属层(31)到源极电极(21)的双向路径作为主电流路径。

公开(公告)号：CN112368845B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN201980040521.0

申请日：2019-01-17

Applicant: 新唐科技日本株式会社

Inventor： 藤冈知惠 ,  吉田弘 ,  松岛芳宏 ,  水原秀树 ,  浜崎正生 ,  坂本光章

IPC: H10D30/60 ,  H10D84/03 ,  H10D84/83

Abstract: 半导体装置(1)具有：半导体层(40)，具有主面(40a及40b)；金属层(31)，具有主面(31a及31b)，主面(31a)与主面(40b)接触，比半导体层(40)厚，由第1金属材料构成；金属层(30)，具有主面(30a及30b)，主面(30a)与主面(31b)接触，比半导体层(40)厚，由杨氏模量比第1金属材料大的金属材料构成；以及晶体管(10及20)；晶体管(10)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极(11)及栅极电极(19)；晶体管(20)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极(21)及栅极电极(29)，将从源极电极(11)经由金属层(31)到源极电极(21)的双向路径作为主电流路径。

公开(公告)号：CN113035866B

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110244893.4

申请日：2019-01-17

Applicant: 新唐科技日本株式会社

Inventor： 浜崎正生 ,  平子正明 ,  大河亮介 ,  加藤亮

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: 半导体装置(1)具有10μm≤tsi≤30μm的半导体层(40)、由Ag构成的30μm≤tag

公开(公告)号：CN112368845A

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201980040521.0

申请日：2019-01-17

Applicant: 新唐科技日本株式会社

Inventor： 藤冈知惠 ,  吉田弘 ,  松岛芳宏 ,  水原秀树 ,  浜崎正生 ,  坂本光章

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 半导体装置(1)具有：半导体层(40)，具有主面(40a及40b)；金属层(31)，具有主面(31a及31b)，主面(31a)与主面(40b)接触，比半导体层(40)厚，由第1金属材料构成；金属层(30)，具有主面(30a及30b)，主面(30a)与主面(31b)接触，比半导体层(40)厚，由杨氏模量比第1金属材料大的金属材料构成；以及晶体管(10及20)；晶体管(10)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极(11)及栅极电极(19)；晶体管(20)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极(21)及栅极电极(29)，将从源极电极(11)经由金属层(31)到源极电极(21)的双向路径作为主电流路径。