公开(公告)号：CN105810651B

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201610021994.4

申请日：2016-01-13

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 大桥悠也 ,  山下顺 ,  藤井芳雄 ,  白仓康平

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/31 ,  G01R19/00

Abstract: 一个实施例提供一种半导体器件，所述半导体器件具有在晶片焊盘上安装的第一芯片和第二芯片，其中，所述第一芯片用于降低输入电压，所述第二芯片用于执行信号处理。引线端子分成第一引线排和第二引线排。所述第一引线排与所述第一芯片连接，所述第一芯片与所述第二芯片或所述第二引线排连接，并且所述第二芯片与所述第二引线排连接。在所述第一引线排的所述引线端子之间的距离被设置比在所述第二引线排的所述引线端子之间的距离长，并且密封树脂被提供以至少在所述第一引线排的所述引线端子之间进行填充。

公开(公告)号：CN104137251B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201280070852.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 松本英显 ,  山下顺 ,  江刺家健司 ,  杉野高夫

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0623

Abstract: 本发明提供一种具备ESD保护元件的半导体装置，其能够以抑制尺寸扩大、不需要附加工序、不会导致半导体装置的性能降低的方式形成，该装置包括：半导体基板(1)、包括由在其上形成的与该基板不同导电型的区域(2)形成的PN结的电路元件(10)、以及其保护元件(11)。该保护元件其他区域(6)以及半导体基板(1)形成的晶体管，其发射极与半导体基板(1)连接。(11)是由上述区域(2)、与该区域相同导电型的

公开(公告)号：CN105810651A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610021994.4

申请日：2016-01-13

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 大桥悠也 ,  山下顺 ,  藤井芳雄 ,  白仓康平

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/31 ,  G01R19/00

Abstract: 一个实施例提供一种半导体器件，所述半导体器件具有在晶片焊盘上安装的第一芯片和第二芯片，其中，所述第一芯片用于降低输入电压，所述第二芯片用于执行信号处理。引线端子分成第一引线排和第二引线排。所述第一引线排与所述第一芯片连接，所述第一芯片与所述第二芯片或所述第二引线排连接，并且所述第二芯片与所述第二引线排连接。在所述第一引线排的所述引线端子之间的距离被设置比在所述第二引线排的所述引线端子之间的距离长，并且密封树脂被提供以至少在所述第一引线排的所述引线端子之间进行填充。

公开(公告)号：CN104137251A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201280070852.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 松本英显 ,  山下顺 ,  江刺家健司 ,  杉野高夫

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0623

Abstract: 本发明提供一种具备ESD保护元件的半导体装置，其能够以抑制尺寸扩大、不需要附加工序、不会导致半导体装置的性能降低的方式形成，该装置包括：半导体基板(1)、包括由在其上形成的与该基板不同导电型的区域(2)形成的PN结的电路元件(10)、以及其保护元件(11)。该保护元件(11)是由上述区域(2)、与该区域相同导电型的其他区域(6)以及半导体基板(1)形成的晶体管，其发射极与半导体基板(1)连接。