公开(公告)号：CN105810651B

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201610021994.4

申请日：2016-01-13

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 大桥悠也 ,  山下顺 ,  藤井芳雄 ,  白仓康平

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/31 ,  G01R19/00

Abstract: 一个实施例提供一种半导体器件，所述半导体器件具有在晶片焊盘上安装的第一芯片和第二芯片，其中，所述第一芯片用于降低输入电压，所述第二芯片用于执行信号处理。引线端子分成第一引线排和第二引线排。所述第一引线排与所述第一芯片连接，所述第一芯片与所述第二芯片或所述第二引线排连接，并且所述第二芯片与所述第二引线排连接。在所述第一引线排的所述引线端子之间的距离被设置比在所述第二引线排的所述引线端子之间的距离长，并且密封树脂被提供以至少在所述第一引线排的所述引线端子之间进行填充。

公开(公告)号：CN108369969A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201580085223.5

申请日：2015-12-08

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 大野文昭 ,  小池诚二

IPC: H01L31/173

CPC classification number: H01L31/173 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明实现一种光反射器，其可缩短距检测对象物的距离，对更近的检测对象物进行位置检测，能有助于配置空间的缩小化。光反射器(10)具备：板状的基板(11)、安装于基板(11)的发光元件(13)及受光元件(14)、密封发光元件(13)及受光元件(14)的透光性树脂层(12)、以及设置于发光元件(13)与受光元件(14)之间的遮光部(21)，遮光部(21)形成为能使光的一部分在发光元件(13)与受光元件(14)之间经由透光性树脂层(12)直接进行收发的高度。

公开(公告)号：CN104137251B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201280070852.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 松本英显 ,  山下顺 ,  江刺家健司 ,  杉野高夫

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0623

Abstract: 本发明提供一种具备ESD保护元件的半导体装置，其能够以抑制尺寸扩大、不需要附加工序、不会导致半导体装置的性能降低的方式形成，该装置包括：半导体基板(1)、包括由在其上形成的与该基板不同导电型的区域(2)形成的PN结的电路元件(10)、以及其保护元件(11)。该保护元件其他区域(6)以及半导体基板(1)形成的晶体管，其发射极与半导体基板(1)连接。(11)是由上述区域(2)、与该区域相同导电型的

公开(公告)号：CN103426918A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201210558689.0

申请日：2012-12-12

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 藤井芳雄

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/02697 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48458 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48505 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法，所述半导体器件可以在半导体元件的电极表面使用铝材，而且不必浪费地形成很厚的所述铝层，铜线与线径无关地牢固地接合于半导体元件电极，实现高耐热化。在功率半导体元件10的基板上使用碳化硅(SiC)，在该碳化硅基板上形成钛层20和铝层21作为电极15，通过一边施加超声波振动一边将铜线16球焊或楔焊于上述电极15的铝层21，由此在铜线16和钛层20之间形成铜-铝化合物(Al4Cu9、AlCu等)层23。

公开(公告)号：CN102024652A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200910208123.3

申请日：2009-10-28

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 小畑英幸 ,  高桥邦彦

IPC: H01J25/50 ,  H01J23/20

CPC classification number: H01J25/587 ,  H01J23/213

Abstract: 本发明提供一种低价格可靠性高的磁控管，磁控管不使用具有可动部的机械式手段而是为简单的结构，根据来自外部的电信号以迅速的响应获得所期望频率的高输出微波，不在管球内配置开关元件，能获得宽的可变范围的振荡频率不损害生产率；特征为具有阳极、阴极、及真空结构体；阳极在圆筒状阳极壳的内周侧形成分割为多个的谐振腔；阴极在阳极壳的中心部沿其圆筒轴向设置；真空结构体具有连接在阳极壳的谐振腔内、高频耦合的同轴中心导体；同轴中心导体通过贯通孔穿过上述真空结构体的壁面引到外部，且能够保持上述谐振腔的真空地由安装在构成同轴中心导体的外部导体与中心导体间的电介质部堵塞贯通孔，引出的同轴中心导体的一部分与开关元件导通连接。

公开(公告)号：CN1309164C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN03107420.0

申请日：2003-03-20

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 登坂裕之

IPC: H03K17/00 ,  H01P1/15

CPC classification number: H03K17/693

Abstract: 一种开关半导体集成电路具有控制高频信号通过的开关FET，使开关FET在通-断操作间切换。开关半导体集成电路包含使用反相器电路的逻辑控制部分，它根据外部施加的控制信号来产生开关信号，反相器电路使用结型FET，开关FET的栅极经栅极电阻器连接至反相器电路的输出端，此输出端又与耦合部分高频信号的耦合电容器相连。耦合的高频信号被结型FET的栅与漏间的等效二极管整流而叠加在施于开关FET栅极的DC电压上。

公开(公告)号：CN1248545C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN02107539.5

申请日：2002-03-15

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 杉本芳酮

IPC: H04S5/00

CPC classification number: H04S5/00

Abstract: 一种人工立体声电路，该电路包括单声信号输入端，连接到信号输入端的L声道和R声道之一的信号输出端，其输入侧连接到信号输入端的相移电路，以及其输出侧连接到相移电路的L声道和R声道另一声道的信号输出端。在输入信号的全频带中该相移电路具有几乎相等的增益，且根据输入信号频率的增加进行从0到180度的变化的相移。相位的变化可降低到最小并能够实现自然的立体声效果。此外，对完全形成IC只需要一个电容器和一个外附着用的引脚即可。

公开(公告)号：CN1501430A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310114947.7

申请日：2003-11-13

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 小畑英幸 ,  辻直树

IPC: H01J25/50

CPC classification number: H01J23/05 ,  H01J23/20 ,  H01J25/587

Abstract: 提供一种能够防止脉冲上升时和下降时在低于规定工作点的点进行工作而产生的振荡，特别是抑制比基频低的频率的寄生振荡，可得到对称性优良的频谱的磁控管。在阳极1的中心部设置了阴极2，并且设置了1组极片3，使得可以对叶片12的前端部与阴极2的表面相向的作用空间4施加磁场。以如下方式形成阳极和阴极：在该作用空间4，对在阴极2轴方向的磁通密度为最小的值，叶片高度方向的两端部的叶片12前端部的内切圆半径和阴极2表面的半径满足工作原理公式的关系，并且与两端部的关系相比，在阴极2的轴方向的中心部侧，满足(i)增大阳极半径，和(ii)减小阴极表面的半径，这2项中的至少1项。

公开(公告)号：CN1236190A

公开(公告)日：1999-11-24

申请号：CN99105386.9

申请日：1999-04-28

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 中川敦 ,  渡边健一

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/328 ,  H01L21/50 ,  H01P7/00

CPC classification number: H01L47/026 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73257 ,  H03B7/14 ,  H03B9/14 ,  H03B9/147 ,  H01L2924/00014

Abstract: 在半导体基板上依次层叠有第1半导体层、活化层和第2半导体层的耿氏二极管,具有设于第2半导体层上的对活化层施加电压用的第1、第2电极、从该第1电极周围向着第2半导体层和活化层切入并将与第1电极连接的第2半导体层和活化层作为起耿氏二极管作用的区域划分出来的凹部。因为起耿氏二极管作用的区域划定是通过将形成于该区域上部的电极层作为掩模的自配合的干法刻蚀进行的,故能减少其特性差异。并公开了其制造方法和安装结构及NRD波导耿氏振荡器。

公开(公告)号：CN107306116B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN201710258166.7

申请日：2017-04-19

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 示野洋一

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/30 ,  H03M1/06 ,  H03M1/08 ,  H03M1/12

Abstract: 一个实施例提供了模拟前端电路。当斩波信号具有第一逻辑值时，非反相仪表前置放大器从第一输入电压减去第二输入电压，并且在输出第二输入电压作为第二输出电压的同时通过放大相减电压来生成第一输出电压。当斩波信号具有第二逻辑值时，非反相仪表前置放大器从第二输入电压减去第一输入电压，并且在输出第二输入电压作为第二输出电压的同时通过放大并且然后反相相减电压的极性来生成第一输出电压。