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公开(公告)号：CN119753600A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510171192.0
申请日：2025-02-17
Applicant: 无锡尚积半导体科技股份有限公司
IPC: C23C14/34 , C23C14/50 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本申请公开了一种晶圆双面镀膜装置及双工位晶圆镀膜装置，晶圆双面镀膜装置包括工作腔、载具和靶材，载具包括接料件、磁吸件、翻转驱动件和移动机构，载具承接晶圆后能够固定并翻转晶圆；通过可翻转的载具、配合靶材能够实现对晶圆正反两面的依次镀膜，载具通过磁吸件磁性吸附接料件，能够固定晶圆、方便晶圆进行定位翻转、并避免因为压力不稳定而压损晶圆，保证了晶圆翻面运动的可靠性；双工位晶圆镀膜装置包括工作腔、两组载具和靶材，两组载具沿竖直方向间隔设置在工作腔内，靶材设于两组载具之间、并具有两个靶面；通过设置双面靶材，并面向靶材分别设置一组载具，在一个工作腔内能够同时进行两组晶圆的双面镀膜，进一步提高了镀膜效率。
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公开(公告)号：CN119108333B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411595601.1
申请日：2024-11-11
Applicant: 无锡尚积半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本申请公开了一种旋转式自清洁刻蚀装置，包括工作室、介质罩、载台、载台、线圈、内罩、旋转驱动件、升降驱动件和顶升组件，内罩的底部设有遮边，遮边能够阻碍污染物进入工作室；内罩的表面附着有软质金属膜，能够可靠、高效地捕捉刻蚀过程中产生的污染物，从而保证刻蚀环境的清洁、保证晶圆表面处理的效果；通过旋转驱动件驱使载台旋转，能够提高覆膜均匀性和刻蚀均匀性；通过顶升组件使得内罩能够随载台旋转，既能够避免内罩与介质罩粘结、穿孔被堵塞，又能够甩落粘黏效果差的污染物，进一步保证腔内的环境清洁；内罩的外壁设有清洁件，通过清洁件旋转清扫介质罩，还能够实现腔壁自清洁，降低停机开箱的需求。
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公开(公告)号：CN118957526B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411422142.7
申请日：2024-10-12
Applicant: 无锡尚积半导体科技股份有限公司
IPC: C23C14/35 , C23C14/54 , H01J37/32 , H01J37/34 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种完全非对称式PVD磁控器及镀膜试验方法，完全非对称式PVD磁控器包括上安装盘，经所述上安装盘直径的其中两条直线分别配置为第一直线和第二直线，所述第一直线与所述第二直线互相垂直；下安装盘，位于第一直线的一侧、相对于第二直线镜像对称；若干磁铁，分别布置在所述下安装盘靠近上安装盘的侧面上；配重块，位于第一直线的另一侧、与所述上安装盘相连接，所述配重块相对于第二直线镜像对称；移动件，用于驱动所述下安装盘沿所述第二直线移动，以使得所述磁控组件靠近或远离所述回转中心；镀膜试验方法使用完全非对称式PVD磁控器来实现，利用下安装盘、磁铁、配重块和移动块的配合解决侧壁台阶镀膜偏边问题。
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公开(公告)号：CN119893811A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510317588.1
申请日：2025-03-18
Applicant: 无锡尚积半导体科技股份有限公司
IPC: H05F3/04 , H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本申请公开了一种静电中和载台、晶圆表面处理设备及晶圆表面处理方法，静电中和载台包括主体、磁铁和金属件，工作时，主体通电、产生负偏置电势，使得晶圆积累负电荷；中和气体被金属件电离，产生正离子和电子，靠近磁铁时，电子会运动到中和气体通道的管道壁上、并通过触壁转移，正离子能够通过中和气体通道、吹扫晶圆背面，从而中和晶圆表面积累的负电荷，避免静电对晶圆造成损伤；晶圆表面处理设备通过采用静电中和载台，实现了对晶圆的保护；在晶圆表面处理过程中，先正常进行晶圆表面处理，处理一段时间后，再开始静电中和，完成晶圆表面处理后，继续静电中和一段时间，从而确保对晶圆的去电。
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公开(公告)号：CN119876881A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510317590.9
申请日：2025-03-18
Applicant: 无锡尚积半导体科技股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种优化膜层台阶厚度和平面厚度比值的晶圆镀膜装置，包括工作腔、载台、靶材和准直器，镀膜过程中，靶材溅射出的金属原子能够穿过准直器、落到载台承接的晶圆上，准直器能够挡去部分金属原子，使得沉积到平面上的金属原子量减少；准直器包括上安装板、下安装板和金属波纹管，金属波纹的管壁呈波纹状，能够高效捕捉并固定金属原子，还能够承受一定的压力、并进行适应性弹性变形；上安装板和下安装板的间距可调，以便于根据工艺要求控制倾斜原子的通过量，从而降低晶圆表面膜层的平面厚度、改善膜层台阶厚度和平面厚度的比值、优化晶圆的镀膜效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119753578A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411775224.X
申请日：2024-12-05
Applicant: 无锡尚积半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种等离子体增强物理气相沉积方法，包括以下步骤：（1）a、在金属遮件表面依次形成高阻金属氧化物和金属薄膜保护层，并产生负电势；或者b、通过磁控溅射方法，在绝缘遮件上沉积金属薄膜保护层，并产生负电势；（2）磁控溅射制备金属膜：将基底传输至载台上，将环状金属挡片提升至遮件内，通入一定流量氩气形成辉光放电等离子体，等离子体与溅射金属原子碰撞产生大量金属离子，在基底上形成金属膜；（3）将PVD真空腔体内遮件表面的电荷消除并初始化。本发明在金属遮件表面形成高阻金属氧化物和金属薄膜保护层或在绝缘遮件上形成金属薄膜保护层，并产生负电势，能够增强金属薄膜溅射时的等离子体密度，提升金属薄膜台阶覆盖率。
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公开(公告)号：CN118866645B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411319945.X
申请日：2024-09-23
Applicant: 无锡尚积半导体科技股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种层级式静电吸附刻蚀装置，包括工作室、载台、第一静电吸盘和第二静电吸盘，第一静电吸盘和第二静电吸盘设于工作室内、并处于载台上方，静电吸盘能够吸引杂质颗粒附着，从而保证腔内环境清洁、延长腔体维护保养周期、提高设备运行效率；第二静电吸盘上设有第一穿孔，杂质颗粒能够通过第一穿孔朝向第一静电吸盘运动；第一静电吸盘的吸引力大于第二静电吸盘的吸引力；在第一静电吸盘下方增设吸引力较小的第二静电吸盘，既不会影响载台对正离子的吸引、又能够很好地诱导飞溅角度小、飞溅高度低的杂质颗粒向上运动；使得杂质颗粒主要附着到第一静电吸盘上，能够让杂质颗粒远离刻蚀气体气源，从而避免气流扰动已经被吸附杂质颗粒。
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公开(公告)号：CN119753601A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510171194.X
申请日：2025-02-17
Applicant: 无锡尚积半导体科技股份有限公司
IPC: C23C14/34 , C23C14/50 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本申请公开了一种单侧交替式双工位晶圆双面镀膜装置及镀膜方法，镀膜装置包括工作腔、两组载具、靶材、旋转机构和换位机构，旋转机构用于驱使载具自转、以便于实现晶圆的翻面，换位机构用于驱使两组载具公转，以便于两组载具交换位置；通过本申请提供的镀膜装置及镀膜方法，能够在一个腔体中实现晶圆的双面镀膜，既简化了生产流程、减少了设备的空间占地、降低了物料的转运时间，又提升了整线的生产效率与产出能力；通过两组载具的自转和公转，在不改变靶材形式的基础上，一次闭腔作业即可进行两片晶圆的双面镀膜，进一步优化了双晶圆镀膜程序、提高了晶圆双面镀膜效率。
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公开(公告)号：CN119694960A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510203507.5
申请日：2025-02-24
Applicant: 无锡尚积半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供一种多片晶圆存片腔，包括：腔体，其中两个相对的侧面上分别设置有第一进出片口和第二进出片口；回转支架，位于所述腔体内并沿其自身回转中心转动，所述回转支架上回转设置有若干用于承载晶圆的置物台，以使得晶圆始终处于水平状态；输送件，用于托举或下放晶圆，待加工的晶圆从最下侧的所述置物台处被所述输送件托举、离开所述置物台，已加工的晶圆在最下侧的所述置物台处被所述输送件下放、坐落在所述置物台上；直线驱动件，用于驱动所述输送件通过所述第一进出片口进出所述腔体；本发明方便机械手取出晶圆的动作集中，机械手能利用整合的时间进行其他的移动工作，有利于提高机械手的使用率。
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公开(公告)号：CN118910563B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411412390.3
申请日：2024-10-11
Applicant: 无锡尚积半导体科技股份有限公司
IPC: C23C14/34 , C23C14/16 , C23C14/54 , C23C14/50 , H01L21/768
Abstract: 本申请公开了一种提高台阶覆盖率的晶圆镀膜装置及镀膜方法，镀膜装置包括工作腔、载台、第一靶材、第二靶材和第三靶材，第一靶材悬于载台正上方，第二靶材和第三靶材处于载台和第一靶材之间；第一靶材溅射出的金属原子能够很好地覆盖晶圆的平面部位和微孔的底部，第二靶材和第三靶材溅射出的金属原子沿斜线朝向载台运动，在靠近载台时、受到载台吸引力的影响，金属原子会沿抛物线向下运动，增加了金属原子入射角度的多样性，有利于金属原子覆盖微孔的侧壁；由于第二靶材和第三靶材为弧形结构、且呈包围晶圆的形式布置，因此，第二靶材和第三靶材溅射出的金属原子能够可靠地全面覆盖微孔的侧壁，从而保证保晶圆镀膜的台阶覆盖率。
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