公开(公告)号：CN103270115B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201180060897.1

申请日：2011-10-28

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 西村直也 ,  加藤拓 ,  小出泰之 ,  安井圭 ,  武藏秀树 ,  小泽雅昭

IPC: C08L79/04 ,  C08G73/06 ,  C08K3/00 ,  C08K5/00 ,  C09D179/04 ,  G02B5/20 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/0232 ,  C08G73/0273 ,  C08G73/0644 ,  C08K5/0008 ,  C08K5/09 ,  C08K5/16 ,  C08L79/02 ,  C08L79/04 ,  C09D179/02 ,  C09D179/04 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02327 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种成膜用组合物，其特征在于，包含：含三嗪环的超支化聚合物，其含有由式（1）表示的重复单元结构；和至少一种溶解促进剂，其用于破坏至少在超支化聚合物分子内部和/或分子之间、在三嗪环上的氮原子与来自二芳基胺的NH基之间形成的氢键。所述成膜用组合物在例如光刻胶溶剂等有机溶剂中具有优良的溶解性，且在低粘度下具有良好的操作性和过滤性。式中，R和R'各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基，（但是，R和R'中的至少一个表示氢原子）；且Ar表示含有芳环和/或杂环的二价有机基团。

公开(公告)号：CN102803324B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201080027274.X

申请日：2010-06-16

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 齐藤大悟 ,  奥山博明 ,  武藏秀树 ,  新城彻也 ,  桥本圭祐

IPC: C08G16/02 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C08G12/26 ,  C08G16/02 ,  C08G61/12 ,  C08G73/0273 ,  C08G73/0672 ,  C08G2261/344 ,  C08L61/26 ,  C08L79/02 ,  C08L79/04 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明的课题在于提供用于半导体器件的制造的光刻工序的具有耐热性的抗蚀剂下层膜和电子构件中使用的具有透明性的高折射率膜。本发明提供了一种聚合物，其含有下式(1)所示的结构单元，式(1)式(1)中，R1、R2、R3和R5分别表示氢原子，R4表示苯基或萘基。还提供含有上述聚合物的形成抗蚀剂下层膜的组合物，以及由其形成的抗蚀剂下层膜。还提供含有上述聚合物的形成高折射率膜的组合物和由其形成的高折射率膜。

公开(公告)号：CN101516843B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200780035609.0

申请日：2007-09-26

Applicant: 日产化学工业株式会社 ,  大日本住友制药株式会社

Inventor： 小泽征巳 ,  武藏秀树

IPC: C07D207/416

CPC classification number: C07D207/416

Abstract: 本发明的课题是提供一种琥珀酰亚胺化合物的制造方法。本发明通过提供下述琥珀酰亚胺化合物的制造方法而解决了上述课题，即，一种琥珀酰亚胺化合物的制造方法，通过使式(1)(式中，R1和R4分别独立地表示可以为直链状、支链状或环状的碳原子数1～12的烷基等，R2和R3分别独立地表示氢原子等)所示的氨基丙二酸酯化合物，与式(2)(式中，X表示卤原子)所示的化合物在溶剂中、在碱存在下进行反应，从而制造式(3)(式中，R5表示可以为直链状、支链状或环状的碳原子数1～12的烷基等)所示的琥珀酰亚胺化合物，其特征在于，使用醇作为溶剂，使用碱金属醇盐作为碱。

公开(公告)号：CN103270115A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201180060897.1

申请日：2011-10-28

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 西村直也 ,  加藤拓 ,  小出泰之 ,  安井圭 ,  武藏秀树 ,  小泽雅昭

IPC: C08L79/04 ,  C08G73/06 ,  C08K3/00 ,  C08K5/00 ,  C09D179/04 ,  G02B5/20 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/0232 ,  C08G73/0273 ,  C08G73/0644 ,  C08K5/0008 ,  C08K5/09 ,  C08K5/16 ,  C08L79/02 ,  C08L79/04 ,  C09D179/02 ,  C09D179/04 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02327 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种成膜用组合物，其特征在于，包含：含三嗪环的超支化聚合物，其含有由式（1）表示的重复单元结构；和至少一种溶解促进剂，其用于破坏至少在超支化聚合物分子内部和/或分子之间、在三嗪环上的氮原子与来自二芳基胺的NH基之间形成的氢键。所述成膜用组合物在例如光刻胶溶剂等有机溶剂中具有优良的溶解性，且在低粘度下具有良好的操作性和过滤性。式中，R和R'各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基，（但是，R和R'中的至少一个表示氢原子）；且Ar表示含有芳环和/或杂环的二价有机基团。

公开(公告)号：CN102803324A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080027274.X

申请日：2010-06-16

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 齐藤大悟 ,  奥山博明 ,  武藏秀树 ,  新城彻也 ,  桥本圭祐

IPC: C08G16/02 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C08G12/26 ,  C08G16/02 ,  C08G61/12 ,  C08G73/0273 ,  C08G73/0672 ,  C08G2261/344 ,  C08L61/26 ,  C08L79/02 ,  C08L79/04 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明的课题在于提供用于半导体器件的制造的光刻工序的具有耐热性的抗蚀剂下层膜和电子构件中使用的具有透明性的高折射率膜。本发明提供了一种聚合物，其含有下式(1)所示的结构单元，式(1)式(1)中，R1、R2、R3和R5分别表示氢原子，R4表示苯基或萘基。还提供含有上述聚合物的形成抗蚀剂下层膜的组合物，以及由其形成的抗蚀剂下层膜。还提供含有上述聚合物的形成高折射率膜的组合物和由其形成的高折射率膜。

公开(公告)号：CN101516843A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780035609.0

申请日：2007-09-26

Applicant: 日产化学工业株式会社 ,  大日本住友制药株式会社

Inventor： 小泽征巳 ,  武藏秀树

IPC: C07D207/416

CPC classification number: C07D207/416

Abstract: 本发明的课题是提供一种琥珀酰亚胺化合物的制造方法。本发明通过提供下述琥珀酰亚胺化合物的制造方法而解决了上述课题，即，一种琥珀酰亚胺化合物的制造方法，通过使式(1)(式中，R1和R4分别独立地表示可以为直链状、支链状或环状的碳原子数1～12的烷基等，R2和R3分别独立地表示氢原子等)所示的氨基丙二酸酯化合物，与式(2)(式中，X表示卤原子)所示的化合物在溶剂中、在碱存在下进行反应，从而制造式(3)(式中，R5表示可以为直链状、支链状或环状的碳原子数1～12的烷基等)所示的琥珀酰亚胺化合物，其特征在于，使用醇作为溶剂，使用碱金属醇盐作为碱。