公开(公告)号：CN109643031A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780052844.2

申请日：2017-08-25

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 开达郎 ,  松尾慎治

IPC: G02F1/025

Abstract: 一种光调制器包括形成在包层(101)上的p型第一半导体层(102)、形成在第一半导体层(102)上的绝缘层(103)以及形成在绝缘层(103)上的n型第二半导体层(104)。第一半导体层(102)由硅或硅锗制成，且第二半导体层(104)由三种或更多种材料制成的III-V族化合物半导体形成。

公开(公告)号：CN109643031B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN201780052844.2

申请日：2017-08-25

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 开达郎 ,  松尾慎治

IPC: G02F1/025

Abstract: 一种光调制器包括形成在包层(101)上的p型第一半导体层(102)、形成在第一半导体层(102)上的绝缘层(103)以及形成在绝缘层(103)上的n型第二半导体层(104)。第一半导体层(102)由硅或硅锗制成，且第二半导体层(104)由三种或更多种材料制成的III‑V族化合物半导体形成。

公开(公告)号：CN111758065B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN201980014478.0

申请日：2019-02-08

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 开达郎 ,  硴塚孝明 ,  松尾慎治

IPC: G02F1/025 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明使得在使用由基于InP的半导体构成的芯的光调制器中能够更容易地提高调制效率。根据本发明的光调制器设置有：下包层(102)，形成在衬底(101)上；芯(103)，形成在下包层(102)上；以及上包层(104)，形成在芯(103)上。芯(103)由带隙与期望波长相对应的基于InP的半导体构成。下包层(102)和上包层(104)被配置为折射率等于或小于InP的折射率。

公开(公告)号：CN111758065A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201980014478.0

申请日：2019-02-08

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 开达郎 ,  硴塚孝明 ,  松尾慎治

IPC: G02F1/025 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明使得在使用由基于InP的半导体构成的芯的光调制器中能够更容易地提高调制效率。根据本发明的光调制器设置有：下包层(102)，形成在衬底(101)上；芯(103)，形成在下包层(102)上；以及上包层(104)，形成在芯(103)上。芯(103)由带隙与期望波长相对应的基于InP的半导体构成。下包层(102)和上包层(104)被配置为折射率等于或小于InP的折射率。