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公开(公告)号：CN115057711B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202210702305.1
申请日：2018-10-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/645 , C04B35/111 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种平坦片材，其中，用厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜夹持所述平坦片材后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm2进行等静压压制后，所述平坦片材的与所述不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。
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公开(公告)号：CN108025979B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201680050570.9
申请日：2016-09-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/111
Abstract: 作为本发明的一个实施方式的外延生长用取向氧化铝基板，其构成表面的晶体粒子的倾斜角为1°以上3°以下，平均烧结粒径为20μm以上。这里，倾斜角是指X射线摆动曲线半高宽(XRC·FWHM)。平均烧结粒径是指：对取向氧化铝基板的板面进行热蚀刻之后使用由扫描电子显微镜拍摄到的图像进行测定所得的值。与以往相比，利用该外延生长用取向氧化铝基板制作的半导体器件的特性有所提高。
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公开(公告)号：CN107074573A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580047885.3
申请日：2015-11-20
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C01F7/02 , C04B35/626
CPC classification number: C01F7/30 , C01F7/441 , C01F7/442 , C01P2004/03 , C01P2004/20 , C01P2004/22 , C01P2004/50 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/80 , C04B35/111 , C04B35/626 , C04B35/62645 , C04B2235/5292 , C04B2235/5296 , C04B2235/72 , C30B1/02 , C30B29/20 , C30B29/64
Abstract: 将γ－氧化铝粉末96质量份、AlF3粉末4质量份、作为晶种的α－氧化铝粉末0.17质量份用罐磨机进行混合。对使用的各原料的纯度进行评价，结果，Al、O、F、H、C、S以外的各元素的质量比例为10ppm以下。将得到的混合粉末300g放入纯度99.9质量％的高纯度氧化铝制的匣钵中，盖上纯度99.9质量％的高纯度氧化铝制的盖子，在电炉内，空气流中于900℃进行3小时的热处理，得到板状氧化铝粉末。AlF3质量除以匣钵的体积而得到的值(AlF3质量/容器体积)为0.016g/cm3。得到的板状氧化铝粒子为纵横尺寸比11.5的α－氧化铝粒子。
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公开(公告)号：CN105830237A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480069022.1
申请日：2014-12-08
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光元件用复合基板，所述发光元件用复合基板适于以低成本制造大面积的发光元件。该发光元件用复合基板包含：由取向多晶氧化铝烧结体构成的基板和形成在基板上的发光功能层，上述发光功能层具有二层以上在大致法线方向具有单晶结构的、由多个半导体单晶粒子构成的层。
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公开(公告)号：CN1740113A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510092938.1
申请日：2005-08-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/493 , H01J1/304
Abstract: 提供改善了由反复使用引起的电子发射量的降低、且耐久性高的压电膜型电子发射元件。电子发射元件(10)由基片(11)、和由电介质构成的发射极部(12)、和在该发射极部(12)的表面(12a)上形成的第1电极(14)、和在发射极部(12)的里面(12b)上形成的第2电极(16)构成。构成发射极部(12)的所述电介质由电场感应变形为0.07％或其以下的电介质组合物构成。这里，所述电场感应变形是施加4kV/mm的电场时与该电场垂直方向上的变形率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111278792B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201880055098.7
申请日：2018-10-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/645 , C04B35/111
Abstract: 本发明的取向陶瓷烧结体的制法包括如下工序：(a)制作烧成为取向陶瓷烧结体之前的陶瓷成型体；和(b)用一对脱模片夹持陶瓷成型体并配置于热压烧成炉内，一边利用一对冲头隔着一对脱模片对陶瓷成型体进行加压一边进行热压烧成，从而得到取向陶瓷烧结体。脱模片在以厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜进行夹持后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm2进行等静压压制后，脱模片的与不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。
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公开(公告)号：CN107074659B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201580048144.7
申请日：2015-11-20
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/115
Abstract: 本发明的透明氧化铝的制法包括以下工序：(a)将包含纵横尺寸比为3以上的板状氧化铝粉末的氧化铝原料粉末调制成该氧化铝原料粉末中的F相对于Al的质量比R1为5ppm以上，将包含所述氧化铝原料粉末的成型用原料成型，制成成型体；(b)将所述成型体于F挥发的温度进行加压烧成，由此得到透明氧化铝烧结体。
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公开(公告)号：CN107001148B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201580047884.9
申请日：2015-11-20
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/115 , G02B1/00
Abstract: 本发明的氧化铝烧结体的c晶面取向度为90％以上，该c晶面取向度是使用对板面照射X射线时在2θ＝20°～70°的范围内的X射线衍射图谱利用Lotgering法求出的，使用Ar+离子束和屏蔽板对在与板面垂直的方向切断而得到的截面进行研磨后利用扫描型电子显微镜以倍率5000倍进行查看时的气孔的数量为零，Mg、C以外的杂质元素的合计的质量比例为100ppm以下。该氧化铝烧结体为高取向、高密度、高纯度，因此，具有比以往高的透光性。
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公开(公告)号：CN105658849B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201580001462.8
申请日：2015-06-25
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化镓自立基板，由在大致法线方向具有单晶结构的板形成，所述板由多个氮化镓系单晶粒子构成。该氮化镓自立基板可以通过包含如下工序的方法制造：准备取向多晶烧结体，在取向多晶烧结体上形成包含氮化镓的晶种层，形成的晶种层的晶体取向与取向多晶烧结体的晶体取向基本一致，在晶种层上，形成厚度20μm以上的由氮化镓系结晶构成的层，形成的由氮化镓系结晶构成的层的晶体取向与晶种层的晶体取向基本一致，除去取向多晶烧结体，得到氮化镓自立基板。根据本发明，能够提供廉价且适合大面积化、作为氮化镓单晶基板的替代材料有用的氮化镓自立基板。
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公开(公告)号：CN108137411A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680050576.6
申请日：2016-09-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/111
Abstract: 作为本发明的一种实施方式的外延生长用取向氧化铝基板，其构成表面的晶体粒子的倾斜角为0.1°以上且小于1.0°，平均烧结粒径为10μm以上。这里，倾斜角是指X射线摆动曲线半高宽(XRC·FWHM)。平均烧结粒径是指：在对取向氧化铝基板的板面进行热蚀刻之后，利用由扫描电子显微镜拍摄到的图像进行测定所得的值。与以往相比，利用该外延生长用取向氧化铝基板制作的半导体器件的特性有所提高。
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