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公开(公告)号：CN118786257A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202380015160.0
申请日：2023-01-17
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板，其是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，在表面产生创伤的情况得以抑制。本发明的实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，其中，当将自该第一面的表面的外周起算为1mm的范围设为外周部，将该第一面的表面的除该外周部以外的部分设为内周部时，通过阴极发光观察，在该外周部观察到变质层，在该内周部没有观察到变质层。
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公开(公告)号：CN118632950A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202280071446.6
申请日：2022-10-28
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供翘曲的发生得以抑制的III族元素氮化物基板。本发明的实施方式所涉及的III族元素氮化物基板为具有相互对置的第一主面及第二主面的III族元素氮化物基板，其中，在所述第一主面，位于中央部的第一部位的结晶性比位于比所述第一部位靠外侧的位置的第二部位的结晶性高。所述第二部位处的利用X射线衍射摇摆曲线测定得到的(10－12)面的衍射峰的半值宽度W2可以比所述第一部位处的利用X射线衍射摇摆曲线测定得到的(10－12)面的衍射峰的半值宽度W1宽。
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公开(公告)号：CN103828030B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201280003274.5
申请日：2012-08-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/02293 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/432 , H01L29/518 , H01L29/66462 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供一种反向漏电流得到抑制且二维电子气迁移率高的半导体元件。一种半导体原件具备：外延基板，在基底基板上以使（0001）结晶面大致平行于基板面的方式层叠形成III族氮化物层组；肖特基电极。其中，外延基板具备：沟道层，由具有Inx1Aly1Gaz1N（x1+y1+z1=1、z1＞0）组成的第一III族氮化物构成；势垒层，由具有Inx2Aly2N（x2+y2=1、x2＞0、y2＞0）组成的第二III族氮化物构成；中间层，由GaN构成且邻接于所述势垒层；保护层，由AlN构成且邻接于所述中间层。其中，肖特基电极接合在所述保护层上。
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公开(公告)号：CN105658849A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201580001462.8
申请日：2015-06-25
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化镓自立基板，由在大致法线方向具有单晶结构的板形成，所述板由多个氮化镓系单晶粒子构成。该氮化镓自立基板可以通过包含如下工序的方法制造：准备取向多晶烧结体，在取向多晶烧结体上形成包含氮化镓的晶种层，形成的晶种层的晶体取向与取向多晶烧结体的晶体取向基本一致，在晶种层上，形成厚度20μm以上的由氮化镓系结晶构成的层，形成的由氮化镓系结晶构成的层的晶体取向与晶种层的晶体取向基本一致，除去取向多晶烧结体，得到氮化镓自立基板。根据本发明，能够提供廉价且适合大面积化、作为氮化镓单晶基板的替代材料有用的氮化镓自立基板。
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公开(公告)号：CN118660995A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202380015162.X
申请日：2023-01-19
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板，其是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，抑制了裂纹及开裂的发生。本发明的实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板为具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，厚度为200μm以上，在该第一面的表面的包括中央部在内的区域的偏光显微镜观察中得到的正交尼科尔图像之中画出的长度2mm的线段中的明暗的切换次数N为30以上。
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公开(公告)号：CN116783334A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202280008311.5
申请日：2022-02-09
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B19/02
Abstract: 本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板，其即便在偏离取向具有偏差的情况下，外延生长时的结晶生长的行为变化也较小，不易产生面内的形貌紊乱、或特性偏差。本发明的一个实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板具备第一面和第二面，该III族元素氮化物半导体基板的特征在于，c面相对于该第一面的取向而倾斜，该倾斜的方向进入于＜1‑100＞方向与＜11‑20＞方向之间。
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公开(公告)号：CN105658849B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201580001462.8
申请日：2015-06-25
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化镓自立基板，由在大致法线方向具有单晶结构的板形成，所述板由多个氮化镓系单晶粒子构成。该氮化镓自立基板可以通过包含如下工序的方法制造：准备取向多晶烧结体，在取向多晶烧结体上形成包含氮化镓的晶种层，形成的晶种层的晶体取向与取向多晶烧结体的晶体取向基本一致，在晶种层上，形成厚度20μm以上的由氮化镓系结晶构成的层，形成的由氮化镓系结晶构成的层的晶体取向与晶种层的晶体取向基本一致，除去取向多晶烧结体，得到氮化镓自立基板。根据本发明，能够提供廉价且适合大面积化、作为氮化镓单晶基板的替代材料有用的氮化镓自立基板。
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公开(公告)号：CN102484049B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201080035067.9
申请日：2010-06-30
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L21/338 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/7786 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供将单晶硅用作基底基板的品质和特性优异的氮化物外延基板。在(111)单晶硅基板上，以(0001)结晶面大致平行于基板面的方式形成13族氮化物层群而成的外延基板具有：形成于基底基板上且由AlN构成的第一13族氮化物层；形成于第一13族氮化物层上且由InxxAlyyGazzN(xx+yy+zz＝1、0≤xx≤1、0＜yy≤1、0＜zz≤1)构成的第二13族氮化物层；以及在第二13族氮化物层上外延形成的至少一个第三13族氮化物层，而且，第一13族氮化物层为由柱状结晶、粒状结晶或晶畴中的至少一种构成的含多缺陷的层，第一13族氮化物层与第二13族氮化物层之间的界面为三维凹凸面。
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公开(公告)号：CN105830237B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201480069022.1
申请日：2014-12-08
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光元件用复合基板，所述发光元件用复合基板适于以低成本制造大面积的发光元件。该发光元件用复合基板包含：由取向多晶氧化铝烧结体构成的基板和形成在基板上的发光功能层，上述发光功能层具有二层以上在大致法线方向具有单晶结构的、由多个半导体单晶粒子构成的层。
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公开(公告)号：CN102005470B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201010251741.9
申请日：2010-08-09
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/66462
Abstract: 提供一种外延基板，所述外延基板能够实现肖特基接触特性优良、并具有良好的设备特性的半导体元件。采用的解决手段为在基底基板之上形成由第一III族氮化物构成的沟道层，所述第一III族氮化物至少含有Al和Ga、具有Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1)的组成；在上述沟道层之上形成由第二III族氮化物构成的势垒层，所述第二III族氮化物至少含有In和Al、具有Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2＝1)的组成，并且所述势垒层的形成方式为：表面附近部的In组成比相对于表面附近部以外的部分的In组成比要小。
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