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公开(公告)号：CN1527329A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200410006131.7
申请日：2004-03-02
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明目的在于提供一种介电常数εr大、能够保持高的无载荷Q值、并且能够保持低共振频率温度系数τf的低温烧结用电介质组合物。该低温烧结用电介质组合物中，相对于100重量份具有以下组成：x·BaO－y·TiO2－z1·Nd2O3－z2·La2O3－z3·Sm2O3－t·Bi2O3(式中x+y+z1+z2+z3+t＝1；0.070≤x≤0.300；0.385≤y≤0.844；0.010≤z1≤0.130；0.000≤z2≤0.120；0.000≤z3≤0.120；0.075＜t≤0.185)的主成分组合物，还混合有大于等于0.05重量份小于等于20重量份的含有大于等于0.1重量％B2O3的玻璃成分。或者，相对于所述主成分组合物100重量份，含有大于等于0.05重量份小于等于10重量份的B2O3。
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公开(公告)号：CN101410345B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200780011563.9
申请日：2007-03-14
IPC: C04B35/46 , C04B35/453
CPC classification number: C04B35/462 , C01G23/002 , C01G23/047 , C01G29/00 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C01P2006/42 , C04B35/465 , C04B35/468 , C04B35/4686 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3262 , C04B2235/3284 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3481 , C04B2235/36 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/78 , C04B2235/786 , C04B2235/788 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , H01L41/187 , H05K1/0306 , Y10T428/252
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷器的制造方法，相对于陶瓷原料粉体100重量份添加0.5重量份以上、30重量份以下的六方晶系钡长石粉体制成混合物。然后，烧结该混合物制造陶瓷器时，在陶瓷器内析出针状的单斜晶钡长石。
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公开(公告)号：CN1238862C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200410006131.7
申请日：2004-03-02
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明目的在于提供一种介电常数εr大、能够保持高的无载荷Q值、并且能够保持低共振频率温度系数τf的低温烧结用电介质组合物。该低温烧结用电介质组合物中，相对于100重量份具有以下组成：x·BaO-y·TiO2-z1·Nd2O3-z2·La2O3-z3·Sm2O3-t·Bi2O3(式中x+y+z1+z2+z3+t＝1；0.070≤x≤0.300；0.385≤y≤0.844；0.010≤z1 ≤0.130；0.000≤z2≤0.120；0.000≤z3≤0.120；0.075＜t≤0.185)的主成分组合物，还混合有大于等于0.05重量份小于等于20重量份的含有大于等于0.1重量%B203的玻璃成分。或者，相对于所述主成分组合物100重量份，含有大于等于0.05重量份小于等于10重量份的B2O3。
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公开(公告)号：CN1183057C
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN02107122.5
申请日：2002-03-11
CPC classification number: B32B18/00 , C04B35/16 , C04B35/195 , C04B2235/656 , C04B2237/34 , C04B2237/68 , H05K1/0306 , Y10S428/901 , Y10T428/24917
Abstract: 本发明提供下述的低温烧结陶瓷，该低温烧结陶瓷可在1000℃以下的低温区中烧结，能降低介电常数εr，能提高质量因数，并且能将裂纹发生率抑制得很低。低温烧结陶瓷含有换算成BaO为10～64重量%的钡成分、换算成SiO2为20～80重量%的硅成分、换算成Al2O3为0.1～20重量%的铝成分、换算成B2O3为0.3～1.0重量%的硼成分、换算成ZnO为0.5～20重量%的锌成分、以及换算成Bi2O3为20重量%以下的铋成分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101410345A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011563.9
申请日：2007-03-14
IPC: C04B35/46 , C04B35/453
CPC classification number: C04B35/462 , C01G23/002 , C01G23/047 , C01G29/00 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C01P2006/42 , C04B35/465 , C04B35/468 , C04B35/4686 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3262 , C04B2235/3284 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3481 , C04B2235/36 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/78 , C04B2235/786 , C04B2235/788 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , H01L41/187 , H05K1/0306 , Y10T428/252
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷器的制造方法，相对于陶瓷原料粉体100重量份添加0.5重量份以上、30重量份以下的六方晶系钡长石粉体制成混合物。然后，烧结该混合物制造陶瓷器时，在陶瓷器内析出针状的单斜晶钡长石。
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公开(公告)号：CN1374272A
公开(公告)日：2002-10-16
申请号：CN02107122.5
申请日：2002-03-11
CPC classification number: B32B18/00 , C04B35/16 , C04B35/195 , C04B2235/656 , C04B2237/34 , C04B2237/68 , H05K1/0306 , Y10S428/901 , Y10T428/24917
Abstract: 本发明提供下述的低温烧结瓷器,该低温烧结瓷器可在1000℃以下的低温区中烧结,能降低介电常数εr,能提高质量因数,并且能将裂纹发生率抑制得很低。低温烧结瓷器含有换算成BaO为10～64重量%的钡成分、换算成SiO2为20～80重量%的硅成分、换算成Al2O3为0.1～20重量%的铝成分、换算成B2O3为0.3～1.0重量%的硼成分、换算成ZnO为0.5～20重量%的锌成分、以及换算成Bi2O3为20重量%以下的铋成分。
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公开(公告)号：CN100396644C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN02802795.7
申请日：2002-06-25
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 大渕武志
IPC: C04B35/195 , H01B3/12 , H01G4/12
Abstract: 本发明的低温烧成瓷器，用强力X射线衍射装置测定时作为主结晶相含有硅钡石相、钡长石相及β-方晶石相，α-方晶石相的(101)面的最大强度与硅钡石相的(101)面的最大强度的比率在5%以下。这种瓷器可在析出方晶石相的硅酸铝-氧化钡系的低温烧成瓷器中降低瓷器内的裂纹发生率。
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公开(公告)号：CN101151680A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680009923.7
申请日：2006-02-15
CPC classification number: H05K1/092 , H01B1/16 , H05K1/0306 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , H05K2201/0209 , H05K2201/0254
Abstract: 本发明涉及导电糊及使用该导电糊形成的电子零部件。在移动电话等高频电路无线电设备中所使用的电介质叠层滤波器等电子零部件，虽然通过对制作的多个陶瓷粉末成形体的各个成形体涂覆导电糊，接着在叠层了各成形体后，进行同时烧结而制得，但存在由于同时烧结时的陶瓷粉末成形体和导电糊之间的烧结收缩状况的不同而产生内部应力等问题。本发明的导电糊，通过以银粉为主要成分，并使用含有由具有空心构造的一次粒子构成的金属氧化物粉末的导电糊等，从而解决了上述问题。
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公开(公告)号：CN1473139A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN02802795.7
申请日：2002-06-25
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 大渕武志
IPC: C04B35/195 , H01B3/12 , H01G4/12
CPC classification number: H01G4/1209 , B32B2311/08 , B32B2311/12 , C04B35/16 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/405 , C04B2235/407 , C04B2235/408 , C04B2235/656 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , C04B2237/407 , C04B2237/408
Abstract: 本发明的低温烧成瓷器，用强力X射线衍射装置测定时作为主结晶相含有硅钡石相、钡长石相及β－方晶石相，α－方晶石相的(101)面的最大强度与硅钡石相的(101)面的最大强度的比率在5％以下。这种瓷器可在析出方晶石相的硅酸铝－氧化钡系的低温烧成瓷器中降低瓷器内的裂纹发生率。
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