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公开(公告)号：CN111052415B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201880052347.7
申请日：2018-08-06
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分，上表面13a的法线T相对于13族元素氮化物结晶的＜0001＞方向而言具有2.0°以下的偏角θ。
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公开(公告)号：CN108140561B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201680059991.8
申请日：2016-10-05
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种抑制了电流崩塌的发生的半导体元件用外延基板。半导体元件用外延基板包括：包含掺杂有Zn的GaN的半绝缘性自立基板、与上述自立基板邻接的缓冲层、与上述缓冲层邻接的沟道层、和夹着上述沟道层而设置在与上述缓冲层相反一侧的势垒层，上述缓冲层为抑制Zn从上述自立基板向上述沟道层扩散的扩散抑制层。
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公开(公告)号：CN111052414A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880052334.X
申请日：2018-07-27
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分，氧原子的含量为1×1018atom/cm3以下，硅原子、锰原子、碳原子、镁原子以及钙原子的含量分别为1×1017atom/cm3以下，铬原子的含量为1×1016atom/cm3以下，氯原子的含量为1×1015atom/cm3以下。
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公开(公告)号：CN111033763A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201780093870.X
申请日：2017-09-21
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明在包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶且具有上表面及底面的13族元素氮化物结晶层的基础上，提供一种能够降低位错密度、从整体上减少特性偏差的微结构。在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分。
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公开(公告)号：CN108140563A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680061152.X
申请日：2016-11-01
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B19/02 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0251 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/401 , H01L29/66007 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种抑制电流崩塌的发生的半导体元件用外延基板。半导体元件用外延基板包括：半绝缘性的自立基板，其含有掺杂有Zn的GaN；缓冲层，其与上述自立基板相邻；沟道层，其与上述缓冲层相邻；以及势垒层，其隔着上述沟道层而设置于上述缓冲层的相反侧，上述缓冲层是含有AlpGa1－pN(0.7≤p≤1)、且抑制Zn从上述自立基板向上述沟道层扩散的扩散抑制层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103109351A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201180043385.4
申请日：2011-08-19
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/0661 , C23C16/303 , C30B23/025 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02365 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02507 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/155 , H01L29/2003
Abstract: 本发明提供一种将硅基板作为基底基板、低位错且无裂纹的外延基板。一种外延基板，在（111）单晶硅基板上，以（0001）结晶面与基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组，所述外延基板具有由多个基底层层叠而成的基底层组，所述基底层分别包括由AlN构成的第一III族氮化物层、和在第一III族氮化物层上形成的、由AlyyGazzN构成的第二III族氮化物层构成。第一III族氮化物层为多结晶含有缺陷层，第一和第二III族氮化物层的界面呈三维凹凸面，并且，在多个基底层中，构成基底基板正上方以外的基底层的第一III族氮化物层的厚度为50nm以上且100nm以下，第二III族氮化物层满足0≦yy≦0.2。
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公开(公告)号：CN102859653A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180020582.4
申请日：2011-04-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/38 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/02381 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02507 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L29/205
Abstract: 本发明提供一种外延基板，其将硅基板作为基底基板，无裂纹且耐电压性优良。其在作为(111)取向的单晶硅的基底基板之上，以使(0001)结晶面与所述基底基板的基板面大致平行的方式形成有III族氮化物层组，其具有：缓冲层，其具备多个第一层叠单位，该第一层叠单位包括：组分调制层，其交替层叠由A1N构成的第一组分层和由AlxGa1-xN(0≤x＜1)组分的III族氮化物构成的第二组分层而成；第一中间层，其由AlyGa1-yN(0≤y＜1)组分的III族氮化物构成。当将第一组分层和第二组分层的层叠数分别设为n(n为2以上的自然数)，且将从基底基板侧开始第i个第二组分层的x值设为x(i)时，如下：x(1)≥x(2)≥···≥x(n-1)≥x(n)且x(1)＞x(n)，且第二组分层相对于第一组分层呈共格状态，第一中间层相对于组分调制层呈共格状态。
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公开(公告)号：CN101611178A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200880005131.1
申请日：2008-01-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B19/02 , H01L21/208
CPC classification number: C30B29/406 , C30B19/02 , C30B19/062 , C30B19/08 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02625
Abstract: 在培养容器(1)内，在含有助熔剂以及单晶原料的熔液(2)中，在晶种基板(5)上制造氮化物单晶时，在培养容器(1)内的熔液(2)的水平方向上设置温度梯度。由此，通过助熔剂法培养氮化物单晶时，抑制杂晶附着到单晶上，并且使单晶的膜厚均匀化。
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公开(公告)号：CN111052413B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201880052333.5
申请日：2018-07-31
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种13族元素氮化物结晶层，其包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶，且具有上表面及底面。在利用阴极发光观察上表面时，具有线状的高亮度发光部和与所述高亮度发光部相邻的低亮度发光区域。高亮度发光部包括沿着所述13族元素氮化物结晶的m面延伸的部分。上表面的算术平均粗糙度Ra为0.05nm以上1.0nm以下。
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公开(公告)号：CN108352327B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201680059657.2
申请日：2016-10-05
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/338 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种抑制漏电流且耐压高的半导体元件用外延基板。在半导体元件用外延基板中，包括：包含掺杂有Zn的GaN的半绝缘性自立基板、与自立基板邻接的包含第13族氮化物的缓冲层、与缓冲层邻接的包含第13族氮化物的沟道层、和夹着沟道层而设置在与缓冲层相反一侧的包含第13族氮化物的势垒层，包含自立基板和缓冲层的第1区域中的一部分为以1×1017cm‑3以上的浓度含有Si的第2区域，第2区域中的Zn浓度的最小值为1×1017cm‑3。
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