公开(公告)号：CN109478504A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780034375.1

申请日：2017-06-02

Applicant: IQE公司

Inventor： 安德鲁·克拉克 ,  吕蒂斯·达吉斯 ,  迈克尔·莱比 ,  罗德尼·佩尔策尔

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02491 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/0505 ,  H01L2924/0525 ,  H01L2924/0545 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10335 ,  H01S3/09 ,  H01S3/1603 ,  H01S3/1605 ,  H01S3/1611 ,  H01S3/1628 ,  H01S3/1655 ,  H01S5/30 ,  H01S5/3031 ,  H01S2301/17

Abstract: 本文所述的系统和方法可以包括具有第一晶格常数的第一半导体层，在第一半导体上外延生长的稀土磷属元素化物缓冲层，其中与第一半导体相邻的稀土磷属元素化物缓冲层的第一区域具有小于1％的净应变，在稀土磷属元素化物缓冲层上外延生长的第二半导体层，其中与第二半导体相邻的稀土磷属元素化物缓冲层的第二区域具有作为所需应变的净应变，并且其中稀土磷属元素化物缓冲层可以包括一种或多种稀土元素以及一种或多种V族元素。在一些示例中，期望的应变近似为零。

公开(公告)号：CN104979164B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201510176799.4

申请日：2015-04-14

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： H·黄 ,  H·刘 ,  J·P·刘

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31111

Abstract: 本发明涉及于晶格不匹配半导体基板上的无缺陷松弛覆盖层,其中,在半导体基板(例如,硅)上面提供无缺陷松驰半导体覆盖层(例如,外延硅锗),其具有约80%以上的应变松驰程度以及约100/cm以下的非零贯穿差排密度。该基板与该覆盖层间存在晶格不匹配。该覆盖层也有可小于约0.5微米的非零厚度。实现该应变松驰程度及贯穿差排藉由暴露在基板上的初始半导体层的表面处或附近的缺陷(亦即,经由选择性蚀刻暴露缺陷以及填入生成的任何空隙),平坦化该经填入表面,以及在经平坦化、填入的该表面上产生也被平坦化的覆盖层(例如,成长外延)。

公开(公告)号：CN105529248B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201610077452.9

申请日：2011-09-30

Applicant: 同和电子科技有限公司 ,  同和控股(集团)有限公司

Inventor： 鸟羽隆一 ,  宫下雅仁 ,  八百隆文 ,  藤井克司

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58 ,  C23C16/02 ,  C23C16/30

CPC classification number: H01L33/0079 ,  C23C14/165 ,  C23C14/586 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/303 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为秒的范围、厚度为的范围的方式成膜，前述氮化铬层在炉内压力6.666kPa以上且66.66kPa以下、温度1000℃以上的MOCVD生长炉内、含氨气的气体氛围中形成，前述气体氛围中除了氨气以外的气体成分为由氮气和氢气组成的载气，氮气在该载气中所占的含有比率为60～100体积％的范围。

公开(公告)号：CN104823269B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201380059256.3

申请日：2013-11-12

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 门野武 ,  栗田一成

IPC: H01L21/322 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14687 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/24 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14689

Abstract: 目的在于提供制造具有更高的吸杂能力并且外延层表面的雾度级别降低的半导体外延晶片的方法。本发明的半导体外延晶片的制造方法的特征在于，具有：第一工序，在其中，对半导体晶片10照射簇离子16，在半导体晶片的表面10A形成由簇离子16的构成元素构成的改性层18；第二工序，在该第一工序之后，以使半导体晶片表面10A的雾度级别成为0.20ppm以下的方式对半导体晶片10进行结晶性恢复用的热处理；以及第三工序，在该第二工序之后，在半导体晶片的改性层18上形成外延层20。

公开(公告)号：CN106601588A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611109290.9

申请日：2016-12-06

Applicant: 湖南红太阳光电科技有限公司

Inventor： 赵保星 ,  赵增超 ,  周子游 ,  刘文峰

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02518 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182

Abstract: 本发明公开了一种氧化硅钝化层的制备方法，包括以下步骤：在硅片表面制备第IVB族金属的氧化物薄膜，对制备有第IVB族金属的氧化物薄膜的硅片进行退火，在退火过程中硅片与第IVB族金属的氧化物薄膜的界面处形成氧化硅钝化层。本发明的氧化硅钝化层在退火过程中形成，该退火过程可在现有常规设备中进行，无需专门引入高温热氧化过程和设备，具有量产门槛低、运营成本低、制程短的优点。

公开(公告)号：CN106206863A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610364734.7

申请日：2016-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永焕 ,  姜三默 ,  金峻渊 ,  金美贤 ,  金柱成 ,  卓泳助

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/007 ,  C30B29/403 ,  C30B33/06 ,  F21K9/237 ,  F21K9/275 ,  F21S41/141 ,  F21S43/14 ,  F21V23/005 ,  F21Y2113/10 ,  F21Y2115/10 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/12 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

Abstract: 提供了制造半导体衬底的方法以及用于半导体生长的衬底。所述制造半导体衬底的方法可以包括：在生长衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层中形成多个开口，所述多个开口穿过所述缓冲层并且彼此分隔开；在所述生长衬底上形成多个腔，所述多个腔排列为分别对应于所述多个开口；在所述缓冲层上生长半导体层，生长所述半导体层包括用所述半导体层填充所述多个开口；以及将所述缓冲层和所述半导体层从所述生长衬底分离，其中所述生长衬底与所述缓冲层之间的分界处的所述多个开口中的每一个的直径小于所述分界处的所述多个腔中的每一个的直径。

公开(公告)号：CN103430322B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201280012896.4

申请日：2012-01-20

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 裵道园

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0749

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02568 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 一种太阳能电池包括：衬底；在所述衬底上顺序形成的背电极层、光吸收层和透明电极层；以及势垒层，所述势垒层形成在所述衬底与所述背电极层之间并且包括II族元素。在所述衬底上形成所述势垒层以防止金属发生扩散。因此，可以防止由于衬底中包含的金属成分而导致太阳能电池的效率恶化。

公开(公告)号：CN104992901A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510261174.8

申请日：2011-06-02

Applicant: NCC纳诺责任有限公司

Inventor： K·A·施罗德 ,  R·P·文茨

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/428 ,  B29C35/0266 ,  B29C35/0272 ,  B29C35/0805 ,  B29C2035/0855 ,  B29C2035/0877 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02689 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L21/268 ,  H01L29/6675

Abstract: 本发明涉及用于提供在低温衬底上的薄膜的横向热处理方法。公开了一种用于以选择性方式热处理最小化吸收薄膜的方法。构图热接触薄膜的两个紧邻的吸收痕。使用脉冲辐射源加热两个吸收痕，并且通过在两个吸收痕之间的传导热处理薄膜。此方法可用于制造薄膜晶体管(TFT)，在其中薄膜是半导体并且吸收器是TFT的源极和漏极。

公开(公告)号：CN104979164A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510176799.4

申请日：2015-04-14

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： H·黄 ,  H·刘 ,  J·P·刘

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/02436 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及于晶格不匹配半导体基板上的无缺陷松弛覆盖层，其中，在半导体基板(例如，硅)上面提供无缺陷松驰半导体覆盖层(例如，外延硅锗)，其具有约80％以上的应变松驰程度以及约100/cm2以下的非零贯穿差排密度。该基板与该覆盖层间存在晶格不匹配。该覆盖层也有可小于约0.5微米的非零厚度。实现该应变松驰程度及贯穿差排藉由暴露在基板上的初始半导体层的表面处或附近的缺陷(亦即，经由选择性蚀刻暴露缺陷以及填入生成的任何空隙)，平坦化该经填入表面，以及在经平坦化、填入的该表面上产生也被平坦化的覆盖层(例如，成长外延)。

公开(公告)号：CN104781918A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201380059268.6

申请日：2013-11-11

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 门野武 ,  栗田一成

IPC: H01L21/322 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C30B23/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14687 ,  C23C14/48 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36

Abstract: 提供了能够通过发挥更高的吸杂能力来抑制金属污染的半导体外延晶片及其制造方法、以及使用该半导体外延晶片来制造固体摄像元件的方法。本发明的半导体外延晶片100的制造方法的特征在于，具有：第一工序，在其中，对包括碳和氮的至少一个的半导体晶片10照射簇离子16，在该半导体晶片10的表面10A形成簇离子16的构成元素固溶而成的改性层18；以及第二工序，在其中，在半导体晶片10的改性层18上形成第一外延层20。