公开(公告)号：CN107683406B

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201680034237.9

申请日：2016-06-30

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 下川英惠 ,  石原昌作 ,  相马敦郎 ,  小野塚准二 ,  小贯洋 ,  寺田大介 ,  芝田瑞纪

IPC: G01L9/00 ,  G01B7/16 ,  H01L29/84

Abstract: 本发明的半导体器件包括金属体、配置在金属体上的接合层和配置在接合层上的半导体芯片，接合层包括在金属体与半导体芯片之间形成的包含填料的第一层，和与第一层和半导体芯片接合的、热膨胀率大于第一层的第二层。

公开(公告)号：CN107683406A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201680034237.9

申请日：2016-06-30

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 下川英惠 ,  石原昌作 ,  相马敦郎 ,  小野塚准二 ,  小贯洋 ,  寺田大介 ,  芝田瑞纪

IPC: G01L9/00 ,  G01B7/16 ,  H01L29/84

Abstract: 本发明的半导体器件包括金属体、配置在金属体上的接合层和配置在接合层上的半导体芯片，接合层包括在金属体与半导体芯片之间形成的包含填料的第一层，和与第一层和半导体芯片接合的、热膨胀率大于第一层的第二层。