-
公开(公告)号：CN109154531A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780022928.1
申请日：2017-04-13
Applicant: 日立汽车系统株式会社
Abstract: 提供一种使接合层的接合温度降低到不影响半导体芯片动作的温度，确保半导体芯片和基台的绝缘性的物理量测定装置。包括：基台(隔膜(14b))；基于作用于基台的应力来测定物理量的半导体芯片(应变检测元件(30))；将半导体芯片接合到基台的接合层(20)。接合层(20)具有：接合于半导体芯片的第一接合层(21)；接合于基台的第二接合层(22)；配置于第一接合层(21)和第二接合层(22)之间的绝缘基材(23)。第一接合层(21)及第二接合层(22)包含玻璃。第一接合层(21)的热膨胀系数为第二接合层(22)的热膨胀系数以下，第二接合层(22)的软化点为半导体芯片的耐热温度以下，第一接合层(21)的软化点为第二接合层(22)的软化点以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107683406A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201680034237.9
申请日：2016-06-30
Applicant: 日立汽车系统株式会社
Abstract: 本发明的半导体器件包括金属体、配置在金属体上的接合层和配置在接合层上的半导体芯片，接合层包括在金属体与半导体芯片之间形成的包含填料的第一层，和与第一层和半导体芯片接合的、热膨胀率大于第一层的第二层。
-
公开(公告)号：CN109154531B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201780022928.1
申请日：2017-04-13
Applicant: 日立汽车系统株式会社
Abstract: 提供一种使接合层的接合温度降低到不影响半导体芯片动作的温度，确保半导体芯片和基台的绝缘性的物理量测定装置。包括：基台(隔膜(14b))；基于作用于基台的应力来测定物理量的半导体芯片(应变检测元件(30))；将半导体芯片接合到基台的接合层(20)。接合层(20)具有：接合于半导体芯片的第一接合层(21)；接合于基台的第二接合层(22)；配置于第一接合层(21)和第二接合层(22)之间的绝缘基材(23)。第一接合层(21)及第二接合层(22)包含玻璃。第一接合层(21)的热膨胀系数为第二接合层(22)的热膨胀系数以下，第一接合层(21)的软化点为半导体芯片的耐热温度以下，第二接合层(22)的软化点为第一接合层(21)的软化点以下。
-
公开(公告)号：CN106461441B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201580028619.6
申请日：2015-05-25
Applicant: 日立汽车系统株式会社
IPC: G01F1/698 , H03K17/16 , H03K19/0175
Abstract: 在通过周期信号的频率来表示空气的流量的热式流量计中，在抑制高频噪声的同时，避免由频率变化引起的输出信号的波形异常。本发明的热式流量计具备并联连接了的多个开关元件，根据表示流量的周期信号的频率变化而使开关元件间的延迟幅度变化。
-
公开(公告)号：CN107683406B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201680034237.9
申请日：2016-06-30
Applicant: 日立汽车系统株式会社
Abstract: 本发明的半导体器件包括金属体、配置在金属体上的接合层和配置在接合层上的半导体芯片，接合层包括在金属体与半导体芯片之间形成的包含填料的第一层，和与第一层和半导体芯片接合的、热膨胀率大于第一层的第二层。
-
公开(公告)号：CN106461441A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580028619.6
申请日：2015-05-25
Applicant: 日立汽车系统株式会社
IPC: G01F1/698 , H03K17/16 , H03K19/0175
Abstract: 在通过周期信号的频率来表示空气的流量的热式流量计中，在抑制高频噪声的同时，避免由频率变化引起的输出信号的波形异常。本发明的热式流量计具备并联连接了的多个开关元件，根据表示流量的周期信号的频率变化而使开关元件间的延迟幅度变化。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.041 seconds)
