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公开(公告)号：CN103990802B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410050512.9
申请日：2014-02-13
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种Mo合金溅射靶材的制造方法以及Mo合金溅射靶材。能够稳定且廉价地提供低电阻的、耐热性、耐湿性、与基板的密合性也优异的、具有适合作为电极、布线薄膜的高密度、高纯度并且非磁性的新的Mo合金溅射靶材。以满足包括10原子%～49原子%的Ni和1原子%～30原子%的Ti、并且Ni和Ti的合计量为50原子%以下、剩余部分由Mo以及不可避免的杂质构成的成分的方式，将Mo粉末和至少一种或两种以上的Ni合金粉末混合，接着进行加压烧结。一种Mo合金溅射靶材，其包括10原子%～49原子%的Ni和1原子%～30原子%的Ti，并且Ni和Ti的合计量为50原子%以下，剩余部分由Mo以及不可避免的杂质构成，具有在Mo基质中分散有Ni合金相的组织。
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公开(公告)号：CN103990802A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410050512.9
申请日：2014-02-13
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种Mo合金溅射靶材的制造方法以及Mo合金溅射靶材。能够稳定且廉价地提供低电阻的、耐热性、耐湿性、与基板的密合性也优异的、具有适合作为电极、布线薄膜的高密度、高纯度并且非磁性的新的Mo合金溅射靶材。以满足包括10原子%～49原子%的Ni和1原子%～30原子%的Ti、并且Ni和Ti的合计量为50原子%以下、剩余部分由Mo以及不可避免的杂质构成的成分的方式，将Mo粉末和至少一种或两种以上的Ni合金粉末混合，接着进行加压烧结。一种Mo合金溅射靶材，其包括10原子%～49原子%的Ni和1原子%～30原子%的Ti，并且Ni和Ti的合计量为50原子%以下，剩余部分由Mo以及不可避免的杂质构成，具有在Mo基质中分散有Ni合金相的组织。
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公开(公告)号：CN103173728A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210553086.1
申请日：2012-12-18
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供：可稳定且廉价地提供Mo合金溅射靶材的制造方法以及新型的Mo合金溅射靶材，所述Mo合金溅射靶材是低电阻的，耐热性、耐湿性、与基板的密合性优异，适合为电极和布线膜的高密度、高纯度且非磁性的靶材。所述Mo合金溅射靶材的制造方法中将Mo粉末与1种或2种以上的Ni合金粉末以满足下述组成的方式混合，接着进行加压烧结，所述组成为：含有10~49原子%的Ni、1~20原子%的Nb且Ni和Nb的总量为50原子%以下，余量为Mo以及无法避免的杂质。
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公开(公告)号：CN1314504C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200510009585.4
申请日：2005-02-24
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: B22F3/162 , B22F3/1208 , B22F2003/248 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C22C1/045 , C23C14/3414 , B22F5/003 , B22F1/0003 , B22F1/0096 , B22F3/15
Abstract: 本发明公开的是一种制备Mo合金制靶材料的方法，该方法包含下面步骤：(a)通过压制由平均颗粒尺寸不超过20μm的Mo粉末和平均颗粒尺寸不超过500μm的过渡金属粉末组成的原料粉末混合物，制备生坯；(b)粉碎生坯以制备次级粒子，其平均颗粒尺寸为不低于原料粉末混合物的平均颗粒尺寸至不超过10mm；(c)将次级粒子装入到加压用容器中；和(d)对次级粒子和加压用容器在压力下进行烧结，因此得到制靶材料的烧结体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103173728B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201210553086.1
申请日：2012-12-18
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供可稳定且廉价地提供Mo合金溅射靶材的制造方法以及新型的Mo合金溅射靶材，所述Mo合金溅射靶材是低电阻的，耐热性、耐湿性、与基板的密合性优异，适合为电极和布线膜的高密度、高纯度且非磁性的靶材。所述Mo合金溅射靶材的制造方法中将Mo粉末与1种或2种以上的Ni合金粉末以满足下述组成的方式混合，接着进行加压烧结，所述组成为：含有10~49原子%的Ni、1~20原子%的Nb且Ni和Nb的总量为50原子%以下，余量为Mo以及无法避免的杂质。
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公开(公告)号：CN103014638A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210364164.3
申请日：2012-09-26
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供可以改善膜剥离的问题且可以维持低电阻值的MoTi靶材及其制造方法。本发明的MoTi靶材具有含有Ti 20~80原子%且剩余部分由Mo和不可避免的杂质构成的组成，作为所述不可避免的杂质之一的氢为10质量ppm以下。另外，本发明的MoTi靶材可以通过在低于100Pa的压力、800℃以上、0.5小时以上的条件下对MoTi烧结体进行热处理的工序而得到。
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公开(公告)号：CN100447290C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200510059476.3
申请日：2005-03-25
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/045 , B22F1/0003 , B22F1/0096 , B22F3/14
Abstract: 一种溅射靶材料，它是一种烧结材料，其中溅射靶材料由总计0.5～50原子%的选自Ti、Zr、V、Nb和Cr中的至少一种金属元素(M)、及余量的Mo和不可避免的杂质组成，及从与溅射表面垂直的横截面上观察此材料具有的微观结构，其微观结构中在金属元素(M)的各孤岛边界的附近存在氧化物颗粒，及其中孤岛的最大面积不大于1.0mm2，孤岛的面积是通过用直线连接氧化物颗粒形成的封闭区来定义的。
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公开(公告)号：CN1676661A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510059476.3
申请日：2005-03-25
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/045 , B22F1/0003 , B22F1/0096 , B22F3/14
Abstract: 一种溅射靶材料，它是一种烧结材料，其中溅射靶材料由总计0.5～50原子％的选自Ti、Zr、V、Nb和Cr中的至少一种金属元素(M)、及余量的Mo和不可避免的杂质组成，及从与溅射表面垂直的横截面上观察此材料具有的微观结构，其微观结构中在金属元素(M)的各孤岛边界的附近存在氧化物颗粒，及其中孤岛的最大面积不大于1.0mm2，孤岛的面积是通过用直线连接氧化物颗粒形成的封闭区来定义的。
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公开(公告)号：CN1660526A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510009585.4
申请日：2005-02-24
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: B22F3/162 , B22F3/1208 , B22F2003/248 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C22C1/045 , C23C14/3414 , B22F5/003 , B22F1/0003 , B22F1/0096 , B22F3/15
Abstract: 本发明公开的是一种制备Mo合金制靶材料的方法，该方法包含下面步骤：(a)通过压制由平均颗粒尺寸不超过20μm的Mo粉末和平均颗粒尺寸不超过500μm的过渡金属粉末组成的原料粉末混合物，制备生坯；(b)粉碎生坯以制备次级粒子，其平均颗粒尺寸为不低于原料粉末混合物的平均颗粒尺寸至不超过10mm；(c)将次级粒子装入到加压用容器中；和(d)对次级粒子和加压用容器在压力下进行烧结，因此得到制靶材料的烧结体。
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