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公开(公告)号：CN1902292A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200480040401.4
申请日：2004-11-15
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/321
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/32115 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 为了提供允许在进行高速抛光的同时防止蚀刻和侵蚀并且维持金属膜的平直度的抛光组合物，本发明提供一种抛光组合物，它包含(A)具有三个或三个以上吡咯结构部分的化合物；(B)氧化剂；和(C)选自氨基酸、有机酸和无机酸中的一种或多种物质。
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公开(公告)号：CN101160644A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200680012069.X
申请日：2006-04-14
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供一种在布线金属的研磨中，减少冲蚀、凹陷，且减少布线以外的部分上的布线金属残余的研磨组合物。本发明的研磨组合物，其特征在于，含有：(A)分子中具有3个以上唑基的分子量为300～15000的含唑基化合物；(B)氧化剂；(C)选自氨基酸、有机酸、无机酸中的1种或2种以上的酸。
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公开(公告)号：CN1582416A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN02821887.6
申请日：2002-12-03
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0047 , G03F7/027 , G03F7/033 , G03F7/0388 , H05K3/064
Abstract: 本发明的目的是提供一个在环境问题或工作环境问题上有所改善、减少生产设备的负荷并加强在运输或储存期间的安全性，同时保持常规液态光敏树脂组合物的分辨率、抗蚀刻和低成本的特点的光敏树脂。另一个目的是提供印刷线路板的生产方法，其减少了通过浸入法向印刷板上涂层光敏树脂胶时的膜厚度的非均匀性或液体滴落，并确保了高品质和出色的生产率。以上目的通过使用包含在一个分子中含有两个或更多个可聚合不饱和键的化合物、光致聚合引发剂、水和触变剂以及胺(如果需要的话)的光敏树脂组合物实现。
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公开(公告)号：CN1290285A
公开(公告)日：2001-04-04
申请号：CN98813445.4
申请日：1998-11-30
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C09D1/00 , C09D185/00 , B01J35/02
CPC classification number: B01J21/066 , B01J21/063 , B01J35/002 , B01J35/004 , C09D1/00
Abstract: 一种包括具有光催化活性的氧化物颗粒、可溶于溶剂的锆化合物和溶剂的组合物。优选地,该氧化物颗粒是二氧化钛的颗粒。该氧化物颗粒具有平均颗粒直径从0.005到0.3微米范围,和锆化合物加入量按ZrO2为100重量份氧化物颗粒计为3到200份重量。有光催化活性薄膜和基材的组合体是通过用上述组合物涂敷基材而形成薄膜,在基材上固化薄膜制成的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1902291A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200480040377.4
申请日：2004-11-15
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/321
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/32115 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 作为允许高速抛光并且同时防止盘形凹陷和侵蚀并维持金属膜的平直度的抛光组合物，本发明提供一种抛光组合物，它用于抛光在具有沟槽的基材上提供的金属膜以使金属膜填充所述沟槽，从而提供平面化表面，其中所述组合物包含水、在分子中具有C≥6碳原子烷基的磷酸酯和用于金属的蚀刻剂，并且具有5－11的pH。
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公开(公告)号：CN1708565A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380102127.4
申请日：2003-10-31
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/321 , H01L21/768
Abstract: 使用一种金属抛光组合物抛光金属层，所述金属抛光组合物包含在金属层表面聚合、在金属层表面形成聚合物膜的成膜化合物。金属层的抛光方法包括使用金属抛光组合物的金属层的抛光和平面化的步骤。晶片的生产方法，其中包括形成于含有凹槽的晶片顶部以填充和覆盖凹槽的金属层的抛光和平面化的步骤。根据该组合物和抛光方法，避免了凹陷以改善平面性，并且抛光金属层、特别是铜层的抛光速率得到了改善，从而使低压下的膏抛光速率成为可能，由于也防止了金属层的划伤，产能得到了提高。
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公开(公告)号：CN1198885C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN98813445.4
申请日：1998-11-30
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C09D1/00 , C09D185/00 , B01J35/02
CPC classification number: B01J21/066 , B01J21/063 , B01J35/002 , B01J35/004 , C09D1/00
Abstract: 一种包括具有光催化活性的氧化物颗粒、可溶于溶剂的锆化合物和溶剂的组合物。优选地，该氧化物颗粒是二氧化钛的颗粒。该氧化物颗粒具有平均颗粒直径从0.005到0.3微米范围，和锆化合物加入量按ZrO2为100重量份氧化物颗粒计为3到200份重量。有光催化活性薄膜和基材的组合体是通过用上述组合物涂敷基材而形成薄膜，在基材上固化薄膜制成的。
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公开(公告)号：CN100595892C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200680012069.X
申请日：2006-04-14
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供一种在布线金属的研磨中，减少冲蚀、凹陷，且减少布线以外的部分上的布线金属残余的研磨组合物。本发明的研磨组合物，其特征在于，含有：(A)分子中具有3个以上唑基的分子量为300～15000的含唑基化合物；(B)氧化剂；(C)选自氨基酸、有机酸、无机酸中的1种或2种以上的酸。
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公开(公告)号：CN100393832C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200380102127.4
申请日：2003-10-31
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/321 , H01L21/768
Abstract: 使用一种金属抛光组合物抛光金属层，所述金属抛光组合物包含在金属层表面聚合、在金属层表面形成聚合物膜的成膜化合物。金属层的抛光方法包括使用金属抛光组合物的金属层的抛光和平面化的步骤。晶片的生产方法，其中包括形成于含有凹槽的晶片顶部以填充和覆盖凹槽的金属层的抛光和平面化的步骤。根据该组合物和抛光方法，避免了凹陷以改善平面性，并且抛光金属层、特别是铜层的抛光速率得到了改善，从而使低压下的膏抛光速率成为可能，由于也防止了金属层的划伤，产能得到了提高。
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