公开(公告)号：CN101802273A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106397.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  财团法人电力中央研究所

Inventor： 百瀬賢治 ,  小田原道哉 ,  松沢圭一 ,  奥村元 ,  児島一聡 ,  石田夕起 ,  土田秀一 ,  鎌田功穗

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/325 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种外延SiC单晶衬底，其特征在于，包括将c面或以大于0度小于10度的倾斜角度使c面倾斜得到的面作为主面的SiC单晶晶片、和在所述SiC单晶晶片的所述主面上形成的SiC外延膜，形成于所述SiC外延膜的贯通刃状位错列的位错列密度为10列/cm2以下。

公开(公告)号：CN101802273B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200880106397.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  财团法人电力中央研究所

Inventor： 百瀬賢治 ,  小田原道哉 ,  松沢圭一 ,  奥村元 ,  児島一聡 ,  石田夕起 ,  土田秀一 ,  鎌田功穗

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/325 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种外延SiC单晶衬底，其特征在于，包括将c面或以大于0度小于10度的倾斜角度使c面倾斜得到的面作为主面的SiC单晶晶片、和在所述SiC单晶晶片的所述主面上形成的SiC外延膜，形成于所述SiC外延膜的贯通刃状位错列的位错列密度为10列/cm2以下。

公开(公告)号：CN101405850A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780009564.X

申请日：2007-03-16

Applicant: 住友化学株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 佐泽洋幸 ,  清水三聪 ,  八木修一 ,  奥村元

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种具有良好电流滞后特征的氮化镓基的场效应晶体管，其中可以减少正向栅泄漏。在具有栅绝缘膜(108)的氮化镓－基场效应晶体管(100)中，构成栅绝缘膜(108)的材料的一部分或全部是相对介电常数为9－22的介电材料，并且与栅绝缘膜(108)接触的半导体晶体层A(104)和半导体晶体层B(103)构成异质结，所述半导体晶体层B(103)在所述半导体晶体层A(104)附近并且比半导体晶体层A(104)具有更大的电子亲合势。优选至少部分地在构成所述栅绝缘膜(108)的材料中包含铪氧化物诸如HfO2、HfAlO、HfAlON或HfSiO。