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公开(公告)号：CN101802273B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200880106397.5
申请日：2008-09-12
Applicant: 昭和电工株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 财团法人电力中央研究所
IPC: H01L21/205 , C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/20
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/325 , C30B25/02 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/0262
Abstract: 一种外延SiC单晶衬底，其特征在于，包括将c面或以大于0度小于10度的倾斜角度使c面倾斜得到的面作为主面的SiC单晶晶片、和在所述SiC单晶晶片的所述主面上形成的SiC外延膜，形成于所述SiC外延膜的贯通刃状位错列的位错列密度为10列/cm2以下。
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公开(公告)号：CN101802273A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106397.5
申请日：2008-09-12
Applicant: 昭和电工株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 财团法人电力中央研究所
IPC: C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/325 , C30B25/02 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/0262
Abstract: 一种外延SiC单晶衬底，其特征在于，包括将c面或以大于0度小于10度的倾斜角度使c面倾斜得到的面作为主面的SiC单晶晶片、和在所述SiC单晶晶片的所述主面上形成的SiC外延膜，形成于所述SiC外延膜的贯通刃状位错列的位错列密度为10列/cm2以下。
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公开(公告)号：CN110637109B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201880032744.8
申请日：2018-04-19
Applicant: 昭和电工株式会社 , 一般财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装
IPC: H01L21/20 , C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/205 , C23C16/42
Abstract: 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。
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公开(公告)号：CN110637109A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201880032744.8
申请日：2018-04-19
Applicant: 昭和电工株式会社 , 一般财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/205 , C23C16/42
Abstract: 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。
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公开(公告)号：CN109075038A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780012924.5
申请日：2017-02-27
Applicant: 纽富来科技股份有限公司 , 昭和电工株式会社 , 一般财团法人电力中央研究所
IPC: H01L21/205 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/6719 , B01F3/028 , C23C16/455 , C23C16/45587 , H01L21/02529 , H01L21/205
Abstract: 提供能够抑制气体的蔓延、能够抑制由沉积物的附着引起的颗粒的发生、能够防止形成的膜发生结晶缺陷的成膜装置。供给部(4)具备：第1隔壁(32)；第2隔壁(401)，以规定间隔设置于第1隔壁的下部；第3隔壁(402)，以规定间隔设置于第2隔壁的下部；第1流路(431)，设置在供第1气体导入的第1隔壁与第2隔壁之间；第2流路(432)，设置在供第2气体导入的第2隔壁与第3隔壁之间；第1配管(411)，从第2隔壁一直到第3隔壁的下方，与第1流路连通；第2配管(421)，设置为包围第1配管，从第3隔壁一直到第3隔壁的下方，与第2流路连通；以及凸部，设置在第1配管的外周面(411c)或第2配管的内周面(421b)，从第1配管的外周面以及第2配管的内周面的一方朝向另一方突出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112626618A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011015571.4
申请日：2020-09-24
Applicant: 一般财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装
Abstract: 提供能获得高品位的碳化硅单晶的碳化硅单晶晶片的制造方法及碳化硅单晶晶片。通过气相生长法来制造的碳化硅单晶晶片，其中，晶片所包含的位错密度为3500个/cm2以下，在所述晶片的中心部、所述晶片的端部、及所述晶片的中间部分的比较中，所述KOH蚀坑密度的差小于平均值的50％。
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公开(公告)号：CN101114593B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200710000755.1
申请日：2007-01-19
Applicant: 财团法人电力中央研究所
Inventor： 土田秀一 , 柳特拉斯·斯特拉斯塔
IPC: H01L21/322 , H01L21/328 , H01L29/70
CPC classification number: H01L21/0445 , C30B29/36 , C30B31/22 , H01L21/322 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/7325 , H01L29/7395
Abstract: 本发明的目的在于提供一种通过高温退火有效地减少或消除载流子俘获中心来提高SiC层质量的方法和通过该方法制造的SiC半导体器件。该通过消除或者减少部分载流子俘获中心提高SiC层质量的方法包括：(a)执行离子注入碳原子、硅原子、氢原子或氦原子到SiC晶体层(E)内的浅表面层(A)中以导入多余的碳间隙到注入的表面层中，及(b)加热该层使导入到表面层中的碳间隙(C)从注入的表面层(A)扩散到本体层(E)中，以及使本体层中的电活性点缺陷失去活性。经过以上步骤后，表面层(A)可以被蚀刻或者机械地去除。根据本发明的半导体器件用该方法制造。
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公开(公告)号：CN117822109A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311299068.X
申请日：2023-10-08
Applicant: 一般财团法人电力中央研究所 , 未来瞻科技株式会社 , 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社
Abstract: [课题]本发明提供使晶体生长速度为高速且从基底面位错转变成贯通刃型位错的转变率得以提高的碳化硅单晶的制造方法、以及碳化硅单晶锭。[解决手段]通过制作由相对于{0001}面具有[1‑100]方向的离轴角的碳化硅形成的种基板，并利用HTCVD法使碳化硅单晶层3在前述种基板生长，从而使前述种基板中包含的基底面位错在晶体生长时转变成贯通刃型位错。
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公开(公告)号：CN116791195A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310782655.8
申请日：2020-09-24
Applicant: 一般财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装
Abstract: 本发明是碳化硅单晶晶片及碳化硅单晶锭的制造方法。提供能获得高品位的碳化硅单晶的碳化硅单晶晶片的制造方法及碳化硅单晶晶片。通过气相生长法来制造的碳化硅单晶晶片，其中，晶片所包含的位错密度为3500个/cm2以下，在所述晶片的中心部、所述晶片的端部、及所述晶片的中间部分的比较中，所述KOH蚀坑密度的差小于平均值的50％。
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公开(公告)号：CN116265626A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211612081.1
申请日：2022-12-15
Applicant: 一般财团法人电力中央研究所 , 未来瞻科技株式会社 , 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明提供：在封闭籽晶中的微管的同时减少了螺旋位错的聚集的碳化硅铸锭、其制造方法和碳化硅晶片的制造方法。一种碳化硅铸锭，其具备：由碳化硅单晶构成、且具有作为中空缺陷的微管(5)的籽晶(2)；设于籽晶(2)上的由碳化硅构成的缓冲层(3)；以及设于缓冲层(3)上的由碳化硅构成的块状晶体生长层(4)，缓冲层(3)和块状晶体生长层(4)具有延续至被缓冲层(3)封闭的微管(5)的多个螺旋位错(6)，在块状晶体生长层(4)中共用微管(5)的多个螺旋位错(6)彼此的间隔为150μm以上。
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