公开(公告)号：CN101802273A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106397.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  财团法人电力中央研究所

Inventor： 百瀬賢治 ,  小田原道哉 ,  松沢圭一 ,  奥村元 ,  児島一聡 ,  石田夕起 ,  土田秀一 ,  鎌田功穗

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/325 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种外延SiC单晶衬底，其特征在于，包括将c面或以大于0度小于10度的倾斜角度使c面倾斜得到的面作为主面的SiC单晶晶片、和在所述SiC单晶晶片的所述主面上形成的SiC外延膜，形成于所述SiC外延膜的贯通刃状位错列的位错列密度为10列/cm2以下。

公开(公告)号：CN101802273B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200880106397.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  财团法人电力中央研究所

Inventor： 百瀬賢治 ,  小田原道哉 ,  松沢圭一 ,  奥村元 ,  児島一聡 ,  石田夕起 ,  土田秀一 ,  鎌田功穗

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/325 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种外延SiC单晶衬底，其特征在于，包括将c面或以大于0度小于10度的倾斜角度使c面倾斜得到的面作为主面的SiC单晶晶片、和在所述SiC单晶晶片的所述主面上形成的SiC外延膜，形成于所述SiC外延膜的贯通刃状位错列的位错列密度为10列/cm2以下。