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公开(公告)号：CN117902619A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311747151.9
申请日：2023-12-18
Applicant: 暨南大学
IPC: C01G23/047 , C01G23/08 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种TiO2纳米孔阵列及其制备方法和应用。该TiO2纳米孔阵列的制备方法包括如下步骤：S1.通过自组装的方式在衬底上形成聚合物微球阵列；S2.对衬底上的聚合物微球阵列进行氧等离子体刻蚀，然后在刻蚀后的聚合物微球阵列上沉积Ti金属薄膜，再除去聚合物微球阵列，得到Ti金属纳米孔阵列；S3.对Ti金属纳米孔阵列进行退火，即得TiO2纳米孔阵列。该制备方法得到的TiO2纳米孔阵列无热效应和光吸收竞争，且可以明显提高单层二维材料的光吸收效率，为纳米级光源的设计和操控提供了新的方案。
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公开(公告)号：CN115385378B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202211183899.6
申请日：2022-09-27
Applicant: 暨南大学
IPC: C01G41/00
Abstract: 本发明属于同质结二维材料技术领域，具体涉及一种二维双层硫化钨同质结的制备方法与应用。该二维硫化钨同质结采用化学气相沉积法，通过调控升温速度和流速大小来控制成核的生长，进而实现了不同扭转角度的二维硫化钨同质结的形成，所得同质结的拉曼峰位有明显偏移现象，其表面洁净、无损、尺寸大、质量高；且本发明的制备方法简单、一步合成、操作简便，为研究扭转二维材料特性及其光电子器件应用等领域提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN117165916A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310936145.1
申请日：2023-07-27
Applicant: 暨南大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/02 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/16 , C23C14/04 , C23C14/24 , C23C14/30 , C23C14/32
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种图案化二维硫化物/硒化物的阵列化制备方法及其应用。本发明提供了一种成核和生长分开来合成阵列化二维材料的有效方法，该方法利用光刻技术图案化和阵列化版图，通过镀膜技术精准控制材料的成核位点，为后续阵列化二维材料的生长提供诱导源，从而获得了高质量图案化二维材料的阵列生长；该方法不仅操作流程简单而且能够得到无污染、无损坏的阵列化生长的二维材料，在电子器件集成化或微型化中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116924354A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310861159.1
申请日：2023-07-14
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明提供了一种二维材料的剥离和转移制备方法，涉及二维材料制备技术领域。本发明将二维材料的单晶块体黏附在胶带上，将黏附有单晶块体的胶带进行对粘，得到黏附二维材料的胶带；将所述黏附二维材料的胶带进行加热；将加热的胶带平整黏附在置于载玻片上的PDMS薄膜上，将胶带撕下，二维材料被转移至载玻片的PDMS薄膜上，得到带有二维材料的载玻片；将所述带有二维材料的载玻片快速压制在衬底上，使PDMS薄膜与衬底紧密贴合，待二维材料黏附在衬底后，缓慢抬起载玻片，使PDMS薄膜与衬底分离，二维材料被转移至衬底上。本发明实现了高产量、高效率和高平整度二维材料转移的制备。
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公开(公告)号：CN115385378A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211183899.6
申请日：2022-09-27
Applicant: 暨南大学
IPC: C01G41/00
Abstract: 本发明属于同质结二维材料技术领域，具体涉及一种二维双层硫化钨同质结的制备方法与应用。该二维硫化钨同质结采用化学气相沉积法，通过调控升温速度和流速大小来控制成核的生长，进而实现了不同扭转角度的二维硫化钨同质结的形成，所得同质结的拉曼峰位有明显偏移现象，其表面洁净、无损、尺寸大、质量高；且本发明的制备方法简单、一步合成、操作简便，为研究扭转二维材料特性及其光电子器件应用等领域提供了材料基础。
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