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公开(公告)号：CN119710522A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311279776.7
申请日：2023-09-28
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司 , 上海核工程研究设计院股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种硼化锆涂层及其制备方法，其中一种制备方法为对硼化锆粉体依次进行粒径分级优化处理，得到粒径分布为D50
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公开(公告)号：CN119710521A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311274048.7
申请日：2023-09-28
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司 , 上海核工程研究设计院股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种硼化锆涂层及其制备方法和应用，其中一种制备方法为ZrO2粉体、H3BO3粉体和C粉组成的混合物，经过脱水和球磨处理后，在1900℃下反应3‑5h，获得一次粒径小于10μm的硼化锆粉体；采用低压等离子喷涂技术，在工作气压为400～800mbar，喷枪移动速率为500‑700mm/s，喷涂遍数为6‑8遍下，将所述一次粒径小于10μm的硼化锆粉体沉积在基体上，可形成5μm～20μm硼化锆薄涂层。本发明通过对硼化锆粉体进行合成条件控制，并适配相应的等离子喷涂工艺，获得的硼化锆薄涂层与目前商用的磁控溅射制备10B富集的ZrB2涂层相比，该涂层可以通过更低的10B富集度实现相同功能，同时具备显著的成本优势，从而实现等离子喷涂工艺在整体型可燃毒物制备硼化锆涂层方向的应用。
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公开(公告)号：CN118754622A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410915907.4
申请日：2024-07-09
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/64 , G21C7/24 , G21C7/04
Abstract: 本发明提供一种环状碳化硼‑氧化铝芯块及近净尺寸成型制备方法和应用，采用湿法球磨先行将B4C、Al2O3、烧结助剂混合均匀，再添加表面改性剂进行进一步球磨，形成调制浆料，调制浆料经喷雾造粒，形成球形复合粉体，球形复合粉体经干式等静压压制，形成薄壁管生坯；对薄壁管生坯进行梯度升温烧结和表面精加工，最终得到环状碳化硼‑氧化铝芯块；表面改性剂的添加有利于提高调制浆料的均匀性以及喷雾造粒形成的球形复合粉体的流动性；高温烧结时，通过设置合理的保温点，确保表面改性剂完全脱除，并在烧结致密化过程中，优选在微正压的氩气氛围中进行中温段(1200℃)保温，再升温至1400～1600℃进行烧结，精准控制芯块的变形量、密度、内径收缩率的变化。
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公开(公告)号：CN111320478B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202010234099.7
申请日：2020-03-27
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司 , 有研科技集团有限公司
IPC: C04B35/575 , C04B35/573 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/65 , C23C14/35 , C23C14/06
Abstract: 本发明公开了一种碳硅陶瓷靶材的制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)根据要制备的靶材的碳硅比，称量石墨粉体、单质硅粉体、SiC粉体，其中单质硅粉体占三者总量的5at％‑15at％；(2)将石墨粉体与单质硅粉体采用卧轴球磨法破碎和混合，得到碳硅预球磨粉体；(3)在碳硅预球磨粉体中添加已称量好的SiC粉体，并置于卧轴球磨罐内球磨混合2小时，得到复合原料粉体；(4)将复合原料粉体筛分后，装入石墨模具中，将模具放在热压炉中，抽真空＜500pa时充入氩气，采用前段快速升温、中段液相烧结和高温氩气保护烧结；(5)冷却得到碳硅陶瓷靶材坯料，经加工、清洗、烘干得到碳硅陶瓷靶材。本发明制备的碳硅陶瓷靶材的相对密度大于90％，硅掺杂含量误差+/‑1at％，电阻率低于0.05Ω·cm，适用于溅射制备DLC薄膜。
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公开(公告)号：CN109369180B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201811508783.9
申请日：2018-12-11
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了属于陶瓷靶材技术领域的一种高密度HfO2靶材的制备方法。本发明利用碱性溶剂对HfO2粉体预处理，将预处理后粉体置于马弗炉、热压炉中烧结，然后粉碎、过筛，再置于热压炉中进行三段式热压烧结，最后随炉冷却，得到HfO2靶材；所得HfO2靶材外观呈均匀灰色，相对密度达到85％～95％，具有高强度、不易开裂的特点，适用于溅射制备光学薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111393165A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010234167.X
申请日：2020-03-27
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/24 , C23C14/30
Abstract: 本发明公开了一种镀膜用氧化铈颗粒的制备方法，包括以下步骤：(1)以高纯氧化铈粉体为原料，向其中添加去离子水并进行造粒处理，得到结合紧密的氧化铈片状物；(2)将得到的片状物研磨破碎，并筛分出＜0.1mm的预处理粉体；(3)将所得预处理粉体装入胶套中进行冷等静压成型为坯体。(4)将所得坯体按照如下烧结工艺进行烧结：2-3小时升温到300-400℃保温1h-2h，2小时升到600℃-800℃保温1h-2h，4小时升温到1000℃-1200℃保温1h-2h，4小时升温到1300℃保温1h-2h，2小时升温至1400℃保温1-2h，1小时升温到1450-1550℃保温3h-5h；(5)冷却得到氧化铈烧结坯料，将坯料进行破碎和筛分得到镀膜用氧化铈颗粒。该方法生产的氧化铈颗粒具有高纯度、高密度、低喷溅等优点。
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公开(公告)号：CN111320478A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010234099.7
申请日：2020-03-27
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司 , 有研科技集团有限公司
IPC: C04B35/575 , C04B35/573 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/65 , C23C14/35 , C23C14/06
Abstract: 本发明公开了一种碳硅陶瓷靶材的制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)根据要制备的靶材的碳硅比，称量石墨粉体、单质硅粉体、SiC粉体，其中单质硅粉体占三者总量的5at％-15at％；(2)将石墨粉体与单质硅粉体采用卧轴球磨法破碎和混合，得到碳硅预球磨粉体；(3)在碳硅预球磨粉体中添加已称量好的SiC粉体，并置于卧轴球磨罐内球磨混合2小时，得到复合原料粉体；(4)将复合原料粉体筛分后，装入石墨模具中，将模具放在热压炉中，抽真空＜500pa时充入氩气，采用前段快速升温、中段液相烧结和高温氩气保护烧结；(5)冷却得到碳硅陶瓷靶材坯料，经加工、清洗、烘干得到碳硅陶瓷靶材。本发明制备的碳硅陶瓷靶材的相对密度大于90％，硅掺杂含量误差+/-1at％，电阻率低于0.05Ω·cm，适用于溅射制备DLC薄膜。
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公开(公告)号：CN118497674B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410977451.4
申请日：2024-07-22
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: C23C14/08 , C23C14/30 , C04B35/465 , C04B35/622
Abstract: 本申请提供一种新型高折射率的镀膜材料、制备方法及其应用，镀膜材料由CaTixOy（0.8
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公开(公告)号：CN118497674A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410977451.4
申请日：2024-07-22
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: C23C14/08 , C23C14/30 , C04B35/465 , C04B35/622
Abstract: 本申请提供一种新型高折射率的镀膜材料、制备方法及其应用，镀膜材料由CaTixOy（0.8
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公开(公告)号：CN114956832A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210342262.0
申请日：2022-04-02
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: C04B35/58 , C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种超高温陶瓷致密化方法和超高温陶瓷，所述方法包括：按照添加剂与原料混合物之间的目标比例，在合成所述超高温陶瓷粉体的过程中添加所述添加剂以实现缺陷调控，得到超高温陶瓷粉体；其中，所述添加剂包括B粉、NaCl、Na2B4O7、KCl中的至少一种；对所述超高温陶瓷粉体进行烧结，以得到致密化的超高温陶瓷；本发明通过添加添加剂对超高温陶瓷粉体进行缺陷调控，得到了烧结活性高的超高温陶瓷粉体，从而烧结得到了致密度高的超高温陶瓷。
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