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公开(公告)号：CN103814155A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201280033591.1
申请日：2012-07-06
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 尼尔·马丁·保罗·本杰明 , 亚瑟·H·萨托
IPC: C23C16/00
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32137 , H01J37/32146 , H01J37/32935
Abstract: 用于处理衬底的等离子体处理装置和技术，其包括对第一RF信号和延时且缩短的第二RF信号的同步RF脉冲的使用。第一RF信号可以是主等离子体产生RF信号而第二RF信号可以是RF偏置信号，反之亦然。作为选择地或另外地，第一RF信号可以是高频RF信号而第二RF信号可以是低频RF信号。第一RF信号或者第二RF信号可作为主信号，同时另一个作为从信号。作为选择地，可采用外部电路作为主器件来控制第一RF信号和第二RF信号二者。跟踪和保持技术和电路被提供来确保用于工艺控制和其它目的的精确测量。
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公开(公告)号：CN103814155B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201280033591.1
申请日：2012-07-06
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 尼尔·马丁·保罗·本杰明 , 亚瑟·H·萨托
IPC: C23C16/00
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32137 , H01J37/32146 , H01J37/32935
Abstract: 用于处理衬底的等离子体处理装置和技术，其包括对第一RF信号和延时且缩短的第二RF信号的同步RF脉冲的使用。第一RF信号可以是主等离子体产生RF信号而第二RF信号可以是RF偏置信号，反之亦然。作为选择地或另外地，第一RF信号可以是高频RF信号而第二RF信号可以是低频RF信号。第一RF信号或者第二RF信号可作为主信号，同时另一个作为从信号。作为选择地，可采用外部电路作为主器件来控制第一RF信号和第二RF信号二者。跟踪和保持技术和电路被提供来确保用于工艺控制和其它目的的精确测量。
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公开(公告)号：CN107017178B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201610818849.9
申请日：2016-09-12
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 亚瑟·H·萨托
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及用于低功率电压模式操作的周期平均的频率调谐。用于执行快速交替工艺(RAP)蚀刻的系统包括选择性地调整偏置射频(RF)源的偏置频率的偏置频率调整模块。偏置RF源提供偏置功率给衬底处理系统。控制模块确定偏置RF源的调谐频率。该调谐频率对应于阻抗匹配值。控制模块控制偏置频率调整模块以将偏置频率调整为失谐频率。该失谐频率将偏置RF源的偏置功率提高到预先确定的范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110945622B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201880037634.0
申请日：2018-04-03
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 王雨后 , 亚瑟·H·萨托 , 吴垠 , 亚历山大·米勒·帕特森
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种射频(RF)匹配电路控制系统包括：包括多个可调谐部件的RF匹配电路。所述RF匹配电路被配置为从RF发生器接收输入信号，所述输入信号包括至少两种脉冲电平；根据所述输入信号向负载提供输出信号；以及使与所述输入信号相关联的阻抗与所述负载的阻抗匹配。控制器被配置为针对所述输入信号的所述至少两种脉冲电平确定所述负载的相应的阻抗；并且调节所述多个可调谐部件的操作参数，以针对所述至少两种脉冲电平使所述RF匹配电路的频率调谐范围与所述负载的所述相应的阻抗对准，从而使与所述输入信号相关联的所述阻抗与所述相应的阻抗匹配。
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公开(公告)号：CN101821844B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200880111094.2
申请日：2008-09-30
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N27/04 , G01R27/2623 , Y10T29/49117
Abstract: 由导电材料形成的室连接于地电势。由导电材料形成的热电极置于该室内、在基本上横向方位上并与该室物理分隔。该热电极包括被限定为支撑待测部件的上表面。射频(RF)传输杆连接以通过该室的底部中的开口从该热电极的该底部表面延伸并与该室物理分割。该射频传输杆被限定为从电气组件外壳中的导体板向该热电极传输射频电力。由导电材料形成的上电极被置于该室内、在基本上横向方位上。该上电极电气连接于该室并被限定为可以在竖直方向上移动。
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公开(公告)号：CN110945622A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880037634.0
申请日：2018-04-03
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 王雨后 , 亚瑟·H·萨托 , 吴垠 , 亚历山大·米勒·帕特森
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种射频(RF)匹配电路控制系统包括：包括多个可调谐部件的RF匹配电路。所述RF匹配电路被配置为从RF发生器接收输入信号，所述输入信号包括至少两种脉冲电平；根据所述输入信号向负载提供输出信号；以及使与所述输入信号相关联的阻抗与所述负载的阻抗匹配。控制器被配置为针对所述输入信号的所述至少两种脉冲电平确定所述负载的相应的阻抗；并且调节所述多个可调谐部件的操作参数，以针对所述至少两种脉冲电平使所述RF匹配电路的频率调谐范围与所述负载的所述相应的阻抗对准，从而使与所述输入信号相关联的所述阻抗与所述相应的阻抗匹配。
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公开(公告)号：CN107017178A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610818849.9
申请日：2016-09-12
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 亚瑟·H·萨托
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
CPC classification number: H01J37/32155 , H01J37/32183 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/30655
Abstract: 本发明涉及用于低功率电压模式操作的周期平均的频率调谐。用于执行快速交替工艺(RAP)蚀刻的系统包括选择性地调整偏置射频(RF)源的偏置频率的偏置频率调整模块。偏置RF源提供偏置功率给衬底处理系统。控制模块确定偏置RF源的调谐频率。该调谐频率对应于阻抗匹配值。控制模块控制偏置频率调整模块以将偏置频率调整为失谐频率。该失谐频率将偏置RF源的偏置功率提高到预先确定的范围。
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公开(公告)号：CN101821844A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880111094.2
申请日：2008-09-30
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N27/04 , G01R27/2623 , Y10T29/49117
Abstract: 由导电材料形成的室连接于地电势。由导电材料形成的热电极置于该室内、在基本上横向方位上并与该室物理分隔。该热电极包括被限定为支撑待测部件的上表面。射频(RF)传输杆连接以通过该室的底部中的开口从该热电极的该底部表面延伸并与该室物理分割。该射频传输杆被限定为从电气组件外壳中的导体板向该热电极传输射频电力。由导电材料形成的上电极被置于该室内、在基本上横向方位上。该上电极电气连接于该室并被限定为可以在竖直方向上移动。
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