公开(公告)号：CN104508804B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201380041015.6

申请日：2013-07-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J-G·杨 ,  X·陈 ,  朴书南 ,  白宗薰 ,  S·加格 ,  S·文卡特拉马

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/30

CPC classification number: H01J37/32091 ,  C23C16/50 ,  C23C16/503 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5093 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67075

Abstract: 所揭露的半导体处理系统包括处理腔室。该处理腔室包括上盖组件、栅电极、传导性插件，以及接地电极。每一部件耦接于一或多个电源，该等电源可运作以于该处理腔室内产生等离子体。每一部件经由置放数个绝缘构件而电气隔离。该一或多个电源利用切换机制而电气耦接于该处理腔室。开关可切换以使该一或多个电源电气耦接至该处理腔室的部件。

公开(公告)号：CN107256821A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201610169506.4

申请日：2016-03-23

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 卫晶 ,  成晓阳 ,  李兴存 ,  韦刚

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32183 ,  H01L21/67011

Abstract: 本发明提供了一种阻抗匹配系统及方法。本发明提供的阻抗匹配系统包括阻抗匹配器，分别与连续波射频电源和反应腔室相连，用于自动对连续波射频电源输出阻抗和反应腔室的输入阻抗进行阻抗匹配；选择开关和负载电路，选择开关用于使连续波射频电源选择性地与反应腔室或负载电路相连；控制单元，用于按照预设时序控制选择开关在与反应腔室相连和与负载电路相连之间切换，以通过阻抗匹配器将射频电源的连续波输出转换成脉冲输出后加载至反应腔室。本发明提供的阻抗匹配系统及方法，不仅不需要昂贵的具有脉冲模式功能的射频电源，从而降低成本，还能够在脉冲模式下阻抗匹配器自动进行阻抗匹配，有效改善在脉冲模式下的匹配不稳定和不重复的现象。

公开(公告)号：CN105103274B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580000336.0

申请日：2015-02-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 森口尚树

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32697 ,  C03C15/00 ,  C09K13/00 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/04 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H02N13/00 ,  H05F3/00

Abstract: 一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体(PL1)中将基板(S)吸附于单极式静电卡盘(15)上之后，停止生成第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体(PL2)中对基板(S)进行了蚀刻之后，停止生成第2等离子体。然后，在第1工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体(PL1)，在第2工序中，在从单极式静电卡盘第2等离子体(PL2)。(15)向基板(S)施加了负电压的状态下停止生成

公开(公告)号：CN106128931A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610643245.5

申请日：2012-08-17

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿列克谢·马拉赫塔诺夫 ,  拉金德·丁德萨 ,  埃里克·赫德森 ,  安德鲁·D·贝利三世

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32146 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32825 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明提供了用于在脉冲等离子体室中处理衬底的实施方式。处理装置具有由板分隔的两个室，该板流体连接所述室，该处理装置包括连续波(CW)控制器、脉冲控制器，以及系统控制器。CW控制器设置用于与上电极耦合的第一射频(RF)功率源的电压和频率。脉冲控制器能操作以设置用于通过耦合到下电极的第二RF功率源产生的脉冲RF信号的电压、频率、接通期间的持续时间以及断开期间的持续时间。系统控制器能操作以设置参数来调节在室之间的物质的流量以有助于负离子蚀刻，有助于中和在OFF期间的余辉过程中在晶片表面上的过量正电荷，且有助于在ON期间再激发在下室中的下部等离子体。

公开(公告)号：CN104103486B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310330382.X

申请日：2013-08-01

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 武藤悟 ,  小野哲郎 ,  大越康雄 ,  永德宏文

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32137 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供一种随着等离子体处理时间的经过，使等离子体的离解状态逐渐地变化，从而能够进行期望的等离子体处理的等离子体处理方法以及等离子体处理装置。在本发明中，在使用具备对试样进行等离子体处理的等离子体处理室、供给等离子体生成用的第一高频电力的第一高频电源、以及对载置所述试样的试样台供给第二高频电力的第二高频电源的等离子体处理装置的等离子体处理方法中，通过第一脉冲对所述第一高频电力进行调制，通过随着等离子体处理时间的经过逐渐地控制所述第一脉冲的占空比，将等离子体的离解状态控制为期望的离解状态。

公开(公告)号：CN105848789A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480065310.X

申请日：2014-10-07

Applicant: 欧洲等离子公司

Inventor： F.利坚 ,  E.罗格 ,  M.塞库

IPC: B05D1/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32146 ,  B05D1/62 ,  B05D5/08 ,  B05D7/02 ,  B05D7/14 ,  C03C17/32 ,  C03C2217/20 ,  C03C2217/76 ,  C03C2218/15 ,  C04B41/009 ,  C04B41/4523 ,  C04B41/83 ,  C09D133/16 ,  C23C16/50 ,  C23C26/00 ,  D21H23/22 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3326

Abstract: 本发明涉及一种方法，包括步骤：引入包括待在低压力反应腔室中涂敷的表面的衬底；在所述反应腔室内在处理时段期间将所述表面暴露于等离子体；通过施加功率输入来确保稳定等离子体激发，其特征在于，功率输入在所述处理时段期间连续地严格高于零瓦特(W)，并且包括至少一个下限功率以及严格大于所述下限功率的至少一个上限功率，由此获得具有受涂敷的表面的衬底。本发明还涉及一种用于通过低压力等离子体工艺来处理衬底的装置以及因此而处理的衬底。

公开(公告)号：CN103295865B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201310056412.2

申请日：2013-02-21

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 约翰·C·小瓦尔考 ,  布拉德福德·J·林达克

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32146 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3299

Abstract: 一种用于在使用多个RF功率供应器的等离子体处理室中处理衬底的方法。所述方法包括在第一脉冲频率对第一RF功率供应器施以脉冲以在高功率状态和低功率状态之间传递第一RF信号。所述方法进一步包括响应于可测量室参数的值在第一预定义RF频率和第二RF频率之间转换由第二RF功率供应器输出的第二RF信号的RF频率。第一RF频率和第二RF频率以及用于转换的阈值在学习阶段预先习得，同时第一RF信号在低于第一RF频率的第二RF频率在高功率状态和低功率状态之间脉冲且同时第二RF功率供应器以不同的模式运行。

公开(公告)号：CN103987876B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201280056139.7

申请日：2012-11-12

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 克伦·雅克布卡纳里克

IPC: C23C16/455

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32128 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/334 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4682

Abstract: 提供一种用于对处理腔室中的衬底进行处理的方法，处理腔室具有至少一个等离子体产生源、和用于向腔室提供处理气体的气体源。该方法包含用具有射频频率的射频信号激发等离子体产生源。该方法还包含使用至少第一气体脉冲频率给气体源施加脉冲，使得在气体脉冲周期的第一部分期间，第一处理气体流至腔室，在气体脉冲周期的第二部分期间，第二处理气体流至腔室，气体脉冲周期与第一气体脉冲频率关联。相对于第一处理气体的反应气体比惰性气体的比率，第二处理气体的反应气体比惰性气体的比率较低。第二处理气体通过从第一处理气体去除至少一部分反应气体流而形成。

公开(公告)号：CN104995719A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201480004346.7

申请日：2014-01-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·卢博米尔斯基 ,  V·克尼亚齐克 ,  H·诺巴卡施 ,  J·德拉罗萨 ,  Z·J·叶 ,  J·Y·孙 ,  S·班达

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B05B1/005 ,  B05B1/185 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32623

Abstract: 本发明提供具有可拆卸式气体分配板的喷淋头的实施例。在一些实施例中，一种使用于半导体处理腔室的喷淋头可包括：基座，该基座具有第一侧与第二侧；气体分配板，该气体分配板设置成邻近于该基座的该第二侧；及夹具，该夹具设置于接近该气体分配板的周围边缘以将该气体分配板以可移除方式耦接于该基座；以及热垫片，该热垫片设置于该基座与该气体分配板之间。

公开(公告)号：CN103098559B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201180044105.1

申请日：2011-06-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 池田知弘 ,  滝正和 ,  津田睦 ,  藤原伸夫

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/515 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  C23C16/24 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32577 ,  H05H2001/4682

Abstract: 一种对平行平电极供给高频电力的高频电力供给装置，具备：高频电源133a和133b，对电极的相互分离的位置供给高频电力；脉冲发生器，该脉冲发生器以使高频电源133a和133b的供给电力按照包括高电平和低电平的多个电平来进行变化的方式进行脉冲调制，指示电平切换，以使得包括高频电源133a的供给电力为高电平且高频电源133b的供给电力为低电平的(1)的期间、高频电源133b的供给电力为高电平且高频电源133a的供给电力为低电平的(2)的期间、高频电源133a和133b的供给电力都为比低电平高的电平的(3)的期间。