公开(公告)号：CN113454763A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202080014795.5

申请日：2020-02-11

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 丹尼尔·彼得 ,  李达 ,  游正义 ,  亚历山大·卡班斯凯 ,  卡蒂·纳尔迪 ,  萨曼莎·西亚姆华·坦 ,  李英熙

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033

Abstract: 提供相对于较低含氧硅区域而选择性地蚀刻氧化硅区域的方法。牺牲性掩模相对于氧化硅区域而选择性地沉积在较低含氧硅区域上。原子层蚀刻相对于较低含氧硅区域上的牺牲性掩模选择性地蚀刻氧化硅区域。

公开(公告)号：CN113039486B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN201980075389.7

申请日：2019-11-11

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 蒂莫西·威廉·威德曼 ,  卡蒂·纳尔迪 ,  吴呈昊

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20

Abstract: 衬底的表面上的成像层可以使用下一代光刻技术进行图案化，而产生的图案化膜可被使用作为例如用于半导体装置生产的光刻掩模。

公开(公告)号：CN113039486A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201980075389.7

申请日：2019-11-11

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 蒂莫西·威廉·威德曼 ,  卡蒂·纳尔迪 ,  吴呈昊

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20

Abstract: 衬底的表面上的成像层可以使用下一代光刻技术进行图案化，而产生的图案化膜可被使用作为例如用于半导体装置生产的光刻掩模。

公开(公告)号：CN112020676A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201980028279.5

申请日：2019-05-09

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 吴成浩 ,  蒂莫西·威廉·威德曼 ,  卡蒂·纳尔迪

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  H01L21/033 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02

Abstract: 用于在半导体衬底上制造薄膜的方法，半导体衬底可使用EUV以图案化，该方法包括：将有机金属前体的蒸气流与逆反应物的蒸气流混合，以形成聚合的有机金属材料；并将类有机金属聚合物材料沉积在半导体衬底的表面上。混合及沉积操作可以通过以下执行：化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)工艺、以及具有CVD组分的ALD，例如不连续的类ALD工艺，其中金属前体及逆反应物不论在时间上或空间上均为分离的。