公开(公告)号：CN106947958B

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201611177342.6

申请日：2016-12-19

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 康胡 ,  伊斯达克·卡里姆 ,  普鲁沙塔姆·库马尔 ,  钱俊 ,  拉梅什·钱德拉赛卡兰 ,  阿德里安·拉瓦伊

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/513 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明涉及一种用于减少晶片背侧沉积的可变温度硬件及方法。用于化学沉积装置的处理调整套件，其中处理调整套件包括承载环、马蹄形物和垫片。马蹄形物具有相同的尺寸，并且垫片设置成具有不同厚度的组以控制马蹄形物相对于上面安装有马蹄形物和垫片的基座组件的上表面的高度。通过放置在马蹄形物上的承载环将半导体衬底输送到化学沉积装置的真空室中，使得最小接触面积支撑件从承载环提升衬底并且相对于基座组件的上表面以预定的偏移量支撑衬底。在衬底的处理期间，可以通过使用期望厚度的垫片来控制预定偏移量来减少背侧沉积。

公开(公告)号：CN112086381A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010730406.0

申请日：2016-09-29

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 普鲁肖塔姆·库马尔 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  钱俊 ,  康胡 ,  伊时塔克·卡里姆 ,  欧丰松

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明涉及用于原子层沉积的动态前体投配。公开了用于控制在半导体加工工具内的前体流的方法和装置。一种方法可以包括：使气体流动通过气体管线；在投配步骤之前，打开一个或多个安瓿阀，以使前体流开始从所述安瓿通过所述气体管线流向处理室；关闭所述一个或多个安瓿阀，以使所述前体停止从所述安瓿流出；在所述投配步骤开始时，打开处理室阀，以使所述前体流能进入所述处理室；以及在所述投配步骤结束时，关闭所述处理室阀，以使所述前体流停止进入所述处理室。控制器可以包括至少一个存储器和至少一个处理器，并且至少一个存储器可以存储用于控制至少一个处理器的指令以控制在半导体加工工具内的前体流。

公开(公告)号：CN105316653B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201510308675.7

申请日：2015-06-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 康胡 ,  阿德里安·拉瓦伊

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/513

Abstract: 本发明涉及用RF等离子体循环和清洗去除处理室颗粒的系统和方法。操作衬底处理系统的系统和方法包括在处理室内处理放置在衬底支撑件上的衬底。在处理期间供应前体气体和/或反应气体中的至少一种。从处理室移除衬底。选择性地供应运载气体和清洗气体到处理室。在N个循环期间在处理室内生成RF等离子体，其中N是大于1的整数。在N个循环中的每个循环期间，RF等离子体开通持续第一时间段并且关闭持续第二时间段。在N个循环中的每个循环的至少部分期间供应清洗气体。

公开(公告)号：CN105088189A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510221479.6

申请日：2015-05-04

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  萨昂格鲁特·桑普朗 ,  尚卡尔·斯娃米纳森 ,  弗兰克·帕斯夸里 ,  康胡 ,  阿德里安·拉瓦伊

IPC: C23C16/455

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明涉及具有多孔挡板的低体积喷淋头。披露了在半导体处理装置中的低体积喷淋头，其可包括多孔挡板以改善原子层沉积期间的流动均一性和清洗时间。该喷淋头可包括增压体积、与增压体积流体连通的一个或多个气体入口、包括多个第一通孔以在半导体处理装置内将气体分配到衬底上的面板以及位于增压体积和一个或多个气体入口之间的区域内的多孔挡板。一个或多个气体入口可包括具有小体积的茎状部以改善清洗时间。挡板可以是多孔的并位于茎状部和增压体积之间以改善流动均一性并避免喷射。

公开(公告)号：CN110129764B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201910128259.7

申请日：2015-02-26

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 唐伟 ,  巴特·范·斯查文迪克 ,  钱俊 ,  康胡 ,  阿德里安·拉瓦伊 ,  迪纳什·帕迪 ,  大卫·C·史密斯

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及用于无缝特征填充的抑制剂等离子体介导的原子层沉积。用于在衬底处理系统中沉积膜的系统和方法包括在处理室中执行第一原子层沉积(ALD)周期以在包括特征的衬底上沉积膜；在第一ALD周期之后，在处理室中将衬底暴露于抑制剂等离子体达到预定时间段以在特征中生成变化的钝化表面；以及在所述预定时间段之后，在处理室中执行第二ALD周期以在衬底上沉积膜。

公开(公告)号：CN110129764A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910128259.7

申请日：2015-02-26

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 唐伟 ,  巴特·范·斯查文迪克 ,  钱俊 ,  康胡 ,  阿德里安·拉瓦伊 ,  迪纳什·帕迪 ,  大卫·C·史密斯

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及用于无缝特征填充的抑制剂等离子体介导的原子层沉积。用于在衬底处理系统中沉积膜的系统和方法包括在处理室中执行第一原子层沉积(ALD)周期以在包括特征的衬底上沉积膜；在第一ALD周期之后，在处理室中将衬底暴露于抑制剂等离子体达到预定时间段以在特征中生成变化的钝化表面；以及在所述预定时间段之后，在处理室中执行第二ALD周期以在衬底上沉积膜。

公开(公告)号：CN104928654B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201510088812.0

申请日：2015-02-26

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 唐伟 ,  巴特·范·斯查文迪克 ,  钱俊 ,  康胡 ,  阿德里安·拉瓦伊 ,  迪纳什·帕迪 ,  大卫·C·史密斯

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明涉及用于无缝特征填充的抑制剂等离子体介导的原子层沉积。用于在衬底处理系统中沉积膜的系统和方法包括在处理室中执行第一原子层沉积(ALD)周期以在包括特征的衬底上沉积膜；在第一ALD周期之后，在处理室中将衬底暴露于抑制剂等离子体达到预定时间段以在特征中生成变化的钝化表面；以及在所述预定时间段之后，在处理室中执行第二ALD周期以在衬底上沉积膜。

公开(公告)号：CN107665811A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710839679.7

申请日：2014-09-30

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 康胡 ,  尚卡尔·斯娃米纳森 ,  钱俊 ,  金万基 ,  丹尼斯·豪斯曼 ,  巴特·J·范施拉芬迪克 ,  阿德里安·拉瓦伊

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/67 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76837

Abstract: 本发明涉及使用复合PEALD和PECVD方法的可变深宽比特征的间隙填充，具体提供了用于填充半导体衬底上的一个或多个间隙的方法及设备。公开的实施方式尤其适用于在窄特征和宽特征中进行无接缝无孔洞的填充。所述方法可以在没有任何中间蚀刻操作的情况下进行以获得单步沉积。在多种实施方式中，使用新型PEALD填充机理进行第一操作以填充窄间隙并且在宽间隙中形成衬里。可以使用PECVD方法进行第二操作以继续填充宽间隙。

公开(公告)号：CN104651807A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410686823.4

申请日：2014-11-25

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 康胡 ,  钱俊 ,  阿德里安·拉瓦伊

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/513

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/4404

Abstract: 本发明涉及用于低温ALD膜的室底涂层制备方法。本文所公开的方法和装置涉及在用于在衬底上沉积膜的反应室的内表面上的底涂层的形成和使用。底涂层通过原子层沉积方法进行沉积。所公开的底涂层有助于防止金属污染，提供了改进的抗剥落性，并且相对较薄。由于出色的抗剥落性，所公开的底涂层允许在后续清洁操作之间处理更多的衬底，从而提高了吞吐量。

公开(公告)号：CN104517892A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410521390.7

申请日：2014-09-30

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 康胡 ,  尚卡尔·斯娃米纳森 ,  钱俊 ,  金万基 ,  丹尼斯·豪斯曼 ,  巴特·J·范施拉芬迪克 ,  阿德里安·拉瓦伊

IPC: H01L21/762

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76837

Abstract: 本发明涉及使用复合PEALD和PECVD方法的可变深宽比特征的间隙填充，具体提供了用于填充半导体衬底上的一个或多个间隙的方法及设备。公开的实施方式尤其适用于在窄特征和宽特征中进行无接缝无孔洞的填充。所述方法可以在没有任何中间蚀刻操作的情况下进行以获得单步沉积。在多种实施方式中，使用新型PEALD填充机理进行第一操作以填充窄间隙并且在宽间隙中形成衬里。可以使用PECVD方法进行第二操作以继续填充宽间隙。