公开(公告)号：CN117957636A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202280060963.3

申请日：2022-09-06

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 贾丝明·林 ,  阿南德·查德拉什卡 ,  刘钢 ,  张星 ,  凯寒·阿比迪·阿施蒂尼

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/768 ,  H10B12/00 ,  H10B41/27 ,  H10B43/27

Abstract: 本文中提出用于包括特征填充处理的半导体处理的系统及方法。所述方法包括：在室中提供衬底，所述衬底具有待填充金属的特征；以及使金属前体和还原剂流动至所述室中，以在化学气相沉积(CVD)操作中在所述特征中沉积金属，其中所述CVD操作包括渐减阶段，在所述渐减阶段中进入所述室中的所述金属前体的流率从第一流率渐减至第二流率；或渐增阶段，在所述渐增阶段中进入所述室的所述金属前体的流率从第一流率渐增至第二流率。

公开(公告)号：CN115210404A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202180019084.1

申请日：2021-03-03

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 克里希纳·比鲁 ,  伦纳德·韦·丰·许 ,  阿南德·查德拉什卡 ,  迈克尔·鲍斯 ,  孙颙 ,  张星 ,  苏米特·苏哈什·辛格

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C23C16/14 ,  C23C16/54 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明提供了将气体反应物输送到处理室的方法和相关装置。

公开(公告)号：CN113710830A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202080027971.9

申请日：2020-04-07

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 迈克尔·鲍斯 ,  杨宗翰 ,  阿南德·查德拉什卡 ,  张星

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C23C16/14 ,  H01L21/768

Abstract: 提供实现非常好的台阶覆盖率的沉积钨成核层的方法。本方法涉及包含一系列的含钨前体与含硼还原剂的交替脉冲，同时氢(H2)与含硼还原剂共流。H2流在含钨前体流之前停止。通过使H2与含硼还原剂共流但不与含钨前体流共流，能减少寄生CVD成分，得到更自限制性的处理。这进而能改善成核层的台阶覆盖率及保形性。还提供相关的装置。