公开(公告)号：CN105405760B

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201510567857.6

申请日：2015-09-08

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 托马斯·韦勒·芒特斯尔 ,  巴特·J·范施拉芬迪克 ,  阿南达·K·巴纳基 ,  纳格拉杰·尚卡尔

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及用于自对准触点方案的牺牲金属前电介质。本申请中的各种实施例涉及在形成栅极和触点的背景下形成触点蚀刻停止层。在某些实施例中，使用新颖的流程，其可以包括在形成特定的触点蚀刻停止层之前沉积和移除牺牲金属前电介质材料。除了先前沉积的基础蚀刻停止层之外，还可以使用辅助触点蚀刻停止层。在某些情况下，触点蚀刻停止层是诸如氮化物或氧化物之类的包含金属的材料。在一些实施例中，触点蚀刻停止层可以通过循环气相沉积被沉积。在本申请中公开的流程提供了针对过度蚀刻栅极堆叠的改进了的保护，从而最小化了栅极到触点的泄漏。此外，在用于形成各种电介质材料的材料和沉积条件方面，所公开的流程导致了更宽的灵活性，从而最小化寄生电容。

公开(公告)号：CN105405760A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510567857.6

申请日：2015-09-08

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 托马斯·韦勒·芒特斯尔 ,  巴特·J·范施拉芬迪克 ,  阿南达·K·巴纳基 ,  纳格拉杰·尚卡尔

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/66409 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42316

Abstract: 本发明涉及用于自对准触点方案的牺牲金属前电介质。本申请中的各种实施例涉及在形成栅极和触点的背景下形成触点蚀刻停止层。在某些实施例中，使用新颖的流程，其可以包括在形成特定的触点蚀刻停止层之前沉积和移除牺牲金属前电介质材料。除了先前沉积的基础蚀刻停止层之外，还可以使用辅助触点蚀刻停止层。在某些情况下，触点蚀刻停止层是诸如氮化物或氧化物之类的包含金属的材料。在一些实施例中，触点蚀刻停止层可以通过循环气相沉积被沉积。在本申请中公开的流程提供了针对过度蚀刻栅极堆叠的改进了的保护，从而最小化了栅极到触点的泄漏。此外，在用于形成各种电介质材料的材料和沉积条件方面，所公开的流程导致了更宽的灵活性，从而最小化寄生电容。

公开(公告)号：CN113169117A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980079243.X

申请日：2019-11-15

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 托马斯·韦勒·芒特斯尔

IPC: H01L21/768

Abstract: 通过在形成两个相邻的金属化层之后形成一或更多个通孔，可制造集成电路的金属互连结构。该一或更多个通孔与第一金属化层以及第二金属化层完全对准。在金属互连结构的加工期间，硬掩模材料或其他绝缘隔离材料被留在第一金属化层以及第二金属化层的顶部上。对其中硬掩模材料或其他绝缘隔离材料中的一些进行蚀刻，然后利用导电材料将其回填以形成一或更多个通孔，其中该一或更多个通孔容纳于不与周围介电材料重叠的空间内。