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公开(公告)号：CN106104769B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201580013158.5
申请日：2015-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 近藤崇
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/32136 , H01J37/32091 , H01J37/32568 , H01J37/32642 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: 本发明的课题是能够有效地抑制所谓的倾斜现象，实现生产效率的提高和生产成本的降低。解决手段为，在该电容耦合型等离子体蚀刻装置中，在上部电极(26)的上部配置有电磁铁(32)。电磁铁(32)具有磁芯部件(34)和线圈(36、38、40、42)。磁芯部件(34)具有一体形成有柱状部(44)、多个圆筒部(46、48、50、52)和背板部(54)的构造。电磁铁驱动电路(56)在控制部(60)的控制之下，不仅能够择一地对线圈(36、38、40、42)中的任一者以任意的励磁电流通电，能够在任意的组合下同时对多个线圈以共同或者单独的任意的励磁电流通电。
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公开(公告)号：CN109037018A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810588738.2
申请日：2018-06-08
Applicant: 细美事有限公司
Inventor： 文商珉
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32651 , H01J37/32715 , H01J2237/024 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/68735 , H01L21/68742 , H01L21/68757 , H01J37/32431 , H01J37/32623
Abstract: 公开了一种基板处理设备。该基板处理设备包括：卡盘，其被构造为在被供应工艺气体的腔室的处理空间中支撑基板；以及围绕卡盘的环组件，该环组件包括内环、围绕该内环定位的外环以及驱动器，内环被定位成使得内环的一部分围绕由卡盘支撑的基板的外侧，驱动器被构造成使外环上下移动。
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公开(公告)号：CN108335963A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810040410.7
申请日：2018-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 伏见彰仁
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/68735 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01J37/32568 , H01J37/32642 , H01J37/32706 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01J37/32137 , H01J37/32532
Abstract: 本发明的目的是提供一种使等离子体处理的均匀性提高的等离子体处理装置。该等离子体处理装置利用用于生成等离子体的高频电力来将供给到腔室内的气体等离子体化，对基板进行等离子体处理，该等离子体处理装置具有：台，其以第一电极与第二电极分离的方式形成，该第一电极在上部载置基板，该第二电极在上部设置聚焦环且该第二电极设置于所述第一电极的周围；第一高频电源，其向所述第一电极施加主要用于吸引等离子体中的离子的第一高频电力；第二高频电源，其与所述第一高频电源独立地设置，向所述第二电极施加主要用于吸引等离子体中的离子的第二高频电力；以及控制部，其独立地控制所述第一高频电源和所述第二高频电源。
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公开(公告)号：CN104576453B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201410575684.8
申请日：2014-10-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32862 , B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01J37/32091 , H01J37/32477 , H01J37/32642 , H01J2237/334 , H01J2237/3344 , H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其有效地除去含金属的附着物。该等离子体处理方法，利用含CxFy气体(其中，x为2以下的整数，y为6以下的整数)且不含氯类气体和氮类气体的处理气体的等离子体，除去附着在配置于处理容器的内部的部件上的含过渡金属和贱金属中的至少任一者的附着物。
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公开(公告)号：CN107768225A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710729052.6
申请日：2017-08-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 艾伦·L·丹布拉 , 舍什拉伊·L·图尔什巴瓦勒
CPC classification number: H01L21/68735 , H01J37/32642 , H01J37/32798 , H01J37/32917 , H01J2237/334 , H01L21/6833 , G01D21/00 , H01J37/32715
Abstract: 本发明一般地阐述对用于蚀刻或其他等离子体处理腔室中的环组件的侵蚀进行检测的方法和设备。在一个实施方式中，一种方法通过以下步骤开始：在等离子体处理腔室中利用等离子体进行处理之前获得指示设置在等离子体处理腔室中的基板支撑件上的环组件的磨损的度量。利用传感器监测环组件的度量。确定度量是否超过阈值，并且响应于度量超过阈值而生成信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105047599B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201510187545.2
申请日：2012-03-12
Applicant: 等离子瑟姆有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/78 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/78 , H01J37/321 , H01J37/32155 , H01J37/32422 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01J37/32651 , H01J37/32724 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/31116 , H01L21/67011 , H01L21/67069 , H01L21/67739 , H01L21/68 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68735 , H01L21/68742 , H01L21/782 , H01L2221/68327 , Y10S414/139
Abstract: 本发明提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。所述方法包括：提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源；在所述处理室内提供升降机构；在所述处理室内提供工件支架，所述工件支架具有静电吸盘，所述静电吸盘具有外径，所述静电吸盘的所述外径延伸到所述升降机构；将基板放置到框架上的支撑膜上以形成工件；将所述工件放置到所述处理室内的所述升降机构上；通过所述等离子源产生等离子；使用所产生的等离子来蚀刻所述工件；以及，在所述蚀刻步骤期间，使用所述静电吸盘来静电吸附所述支撑膜的一部分。另外，还提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。
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公开(公告)号：CN104979154B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201510242801.3
申请日：2012-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01J37/32807 , H01J37/3288 , H01J37/32972 , H01J37/3299 , H01J2237/334 , H01J2237/3343 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种能够可靠并且迅速的判定处理容器内的部件的更换时期的判定方法、控制方法、判定装置、和图案形成系统。判定处理容器内的部件的更换时期的判定方法，包括：预先根据第一图案的形状或尺寸算出第一偏差的工序；在所述处理容器内对基板上的膜进行蚀刻形成第二图案的工序；对所述第二图案的形状或尺寸进行测定的测定工序；根据所测定的所述第二图案的形状或尺寸算出第二偏差的工序；和当所述第二偏差比所述第一偏差大时，判定为所述处理容器内的部件的更换时期的工序。
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公开(公告)号：CN107424899A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710367196.1
申请日：2017-05-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 西岛贵史
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32935 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/3244 , H01J37/3255 , H01J37/32568 , H01J37/32577 , H01J37/32642 , H01J37/3288 , H01J37/3299 , H01J2237/3347 , H01L21/3065 , H01L22/00 , H01J37/32623 , H01J37/32009 , H01J2237/3343
Abstract: 等离子体处理装置的等离子体处理方法目的在于在容许范围内降低倾斜角度的变化量。该等离子体处理装置包括：可真空排气的处理容器；载置被处理基板的下部电极；配置于下部电极周围的聚焦环；与下部电极相对设置的内侧上部电极；与内侧上部电极电绝缘且配置于其外侧的外侧上部电极；在内侧与外侧上部电极之间配置于聚焦环的上方的石英部件；向内侧和外侧上部电极与下部电极之间的处理空间供给处理气体的气体供给部；通过高频放电向下部电极或内侧上部电极和外侧上部电极施加用于生成处理气体的等离子体的第一高频电力的第一高频供电部；向外侧上部电极施加可变的第一直流电压的第一直流供电部；和控制第一直流电压以降低倾斜角度变化量的控制部。
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公开(公告)号：CN105009252B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201480010134.X
申请日：2014-03-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/68735 , C23C16/045 , C23C16/4585 , H01J37/32642
Abstract: 本文提供用于处理基板的方法与装置的实施方式。在一些实施方式中，一种用于基板处理腔室的处理配件可包括：环，所述环具有主体及从主体径向向内延伸的唇部，其中所述主体具有形成在主体的底部内的第一环形通道；环形导电屏蔽件，所述环形导电屏蔽件具有下方向内延伸突出部分，所述下方向内延伸突出部分终止于向上延伸部分，所述向上延伸部分被配置以与环的第一环形通道接合；及导电构件，当环设置在导电屏蔽件上时，所述导电构件将环电气耦接至导电屏蔽件。
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公开(公告)号：CN106920733A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201611175990.8
申请日：2016-12-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32798 , H01J37/32091 , H01J37/32137 , H01J37/32165 , H01J37/32568 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/32926 , H01J2237/334 , H01J2237/3343 , H01L21/3065 , H01L22/12 , H01J37/32431 , H01J37/32532 , H01J37/32642
Abstract: 本发明提供抑制伴随聚焦环的消耗而产生的孔的倾斜度的变动的等离子体处理装置(1)，其包括腔室(10)、载置台(16)、聚焦环(24a)、第1电极板(36)和第2电极板(35)。聚焦环(24a)以包围载置台(16)的载置面的方式设置在载置台的周围。第1电极板设置在载置台的上方。第2电极板以包围第1电极板的方式设置在第1电极板的周围，与第1电极板绝缘。等离子体处理装置在第1步骤中利用在腔室内生成的等离子体对载置于载置台的载置面的半导体晶片(W)实施规定的处理。另外，等离子体处理装置在第2步骤中根据第1步骤的经过时间，使施加在第2电极板的负的直流电压的绝对值增加。
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