公开(公告)号：CN113574628A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202080021021.5

申请日：2020-03-06

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 索斯藤·利尔 ,  伊凡·L·贝里三世 ,  西奥多罗斯·帕纳戈普路斯

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 利用等离子体蚀刻设备以蚀刻高深宽比特征，该等离子体蚀刻设备可以在使低能量的反应性物质的负离子加速与使高能量的惰性气体物质的正离子加速之间交替进行。该等离子体蚀刻设备可被分成至少两个区域，其将等离子体产生空间与离子化空间分隔开。在等离子体产生空间中点燃等离子体时，可通过离子化空间中的电子附着离子化而产生反应性物质的负离子。在等离子体产生空间中等离子体熄灭时，可通过离子化空间中的潘宁离子化而产生惰性气体物质的正离子。

公开(公告)号：CN114555997B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202080067255.3

申请日：2020-07-23

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 马里施·格雷戈尔 ,  西奥多罗斯·帕纳戈普路斯 ,  索斯藤·贝恩德·莱尔

IPC: F16K99/00 ,  F16K27/02 ,  F16K7/12 ,  B81B1/00

Abstract: 可以提供一种装置，该装置包括具有一个或多个微流体阀结构的衬底。该阀结构是用于高真空应用的非弹性体、非聚合物、非金属膜阀。即使在阀的流体控制侧暴露于通常可用于折叠(collapse)/密封传统弹性体膜阀的低于大气压的压强场时这种阀也能发挥作用。

公开(公告)号：CN114555997A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202080067255.3

申请日：2020-07-23

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 马里施·格雷戈尔 ,  西奥多罗斯·帕纳戈普路斯 ,  索斯藤·贝恩德·莱尔

IPC: F16K99/00

Abstract: 可以提供一种装置，该装置包括具有一个或多个微流体阀结构的衬底。该阀结构是用于高真空应用的非弹性体、非聚合物、非金属膜阀。即使在阀的流体控制侧暴露于通常可用于折叠(collapse)/密封传统弹性体膜阀的低于大气压的压强场时这种阀也能发挥作用。

公开(公告)号：CN113574628B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202080021021.5

申请日：2020-03-06

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 索斯藤·利尔 ,  伊凡·L·贝里三世 ,  西奥多罗斯·帕纳戈普路斯

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 利用等离子体蚀刻设备以蚀刻高深宽比特征，该等离子体蚀刻设备可以在使低能量的反应性物质的负离子加速与使高能量的惰性气体物质的正离子加速之间交替进行。该等离子体蚀刻设备可被分成至少两个区域，其将等离子体产生空间与离子化空间分隔开。在等离子体产生空间中点燃等离子体时，可通过离子化空间中的电子附着离子化而产生反应性物质的负离子。在等离子体产生空间中等离子体熄灭时，可通过离子化空间中的潘宁离子化而产生惰性气体物质的正离子。

公开(公告)号：CN116171651A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202180063047.0

申请日：2021-08-30

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 西奥多罗斯·帕纳戈普路斯 ,  阿列克谢·M·马拉赫塔诺夫 ,  季兵 ,  安东尼·德拉列拉 ,  约翰·P·霍兰德 ,  彭东羽

IPC: H05H1/00

Abstract: 提出了用于使用磁场控制等离子体放电均匀性的方法、系统、装置和计算机程序。衬底处理装置包括具有用于处理衬底的处理区的真空室。该装置还包括磁场传感器以检测与真空室相关联的表示轴向磁场的第一信号和表示径向磁场的第二信号。该装置包括至少两个磁场源以通过所述真空室的所述处理区产生轴向补充磁场和径向补充磁场。该装置包括磁场控制器，其耦合到所述磁场传感器和所述至少两个磁场源。所述磁场控制器基于所述第一信号和所述第二个信号调节所述轴向补充磁场和所述径向补充磁场中的一个或多个的至少一个特性。

公开(公告)号：CN104220636B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201380018698.3

申请日：2013-03-22

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 西奥多罗斯·帕纳戈普路斯 ,  约翰·霍兰 ,  亚历克斯·帕特森

IPC: C23C16/455

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/3211

Abstract: 公开了用于控制具有至少一个电感耦合等离子体(ICP)处理室的等离子体处理系统中的等离子体的方法和装置。ICP室中至少使用第一/中心射频线圈、相对于第一/中心射频线圈同心地设置的第二/边缘射频线圈、和至少具有第三/中部射频线圈的射频线圈组，第三/中部射频线圈相对于第一/中心射频线圈和第二/边缘射频线圈以使第三/中部射频线圈被设置在第一/中心射频线圈与第二/边缘射频线圈之间的方式同心地设置。在处理期间，在相同方向上将射频电流提供给第一/中心射频线圈和第二/边缘射频线圈，同时在相反方向上(相对于提供给第一/中心射频线圈和第二/边缘射频线圈的电流的方向)将射频电流提供给第三/中部射频线圈。

公开(公告)号：CN119641991A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411507380.8

申请日：2020-07-23

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 马里施·格雷戈尔 ,  西奥多罗斯·帕纳戈普路斯 ,  索斯藤·贝恩德·莱尔

IPC: F16K99/00

Abstract: 公开了用于高真空应用的非弹性体、非聚合物、非金属膜阀。即使在阀的流体控制侧暴露于通常可用于折叠(collapse)/密封传统弹性体膜阀的低于大气压的压强场时这种阀也能发挥作用。

公开(公告)号：CN118571739A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410546340.8

申请日：2020-03-06

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 索斯藤·利尔 ,  伊凡·L·贝里三世 ,  西奥多罗斯·帕纳戈普路斯

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 利用等离子体蚀刻设备以蚀刻高深宽比特征，该等离子体蚀刻设备可以在使低能量的反应性物质的负离子加速与使高能量的惰性气体物质的正离子加速之间交替进行。该等离子体蚀刻设备可被分成至少两个区域，其将等离子体产生空间与离子化空间分隔开。在等离子体产生空间中点燃等离子体时，可通过离子化空间中的电子附着离子化而产生反应性物质的负离子。在等离子体产生空间中等离子体熄灭时，可通过离子化空间中的潘宁离子化而产生惰性气体物质的正离子。

公开(公告)号：CN104220636A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201380018698.3

申请日：2013-03-22

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 西奥多罗斯·帕纳戈普路斯 ,  约翰·霍兰 ,  亚历克斯·帕特森

IPC: C23C16/455

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/3211

Abstract: 公开了用于控制具有至少一个电感耦合等离子体(ICP)处理室的等离子体处理系统中的等离子体的方法和装置。ICP室中至少使用第一/中心射频线圈、相对于第一/中心射频线圈同心地设置的第二/边缘射频线圈、和至少具有第三/中部射频线圈的射频线圈组，第三/中部射频线圈相对于第一/中心射频线圈和第二/边缘射频线圈以使第三/中部射频线圈被设置在第一/中心射频线圈与第二/边缘射频线圈之间的方式同心地设置。在处理期间，在相同方向上将射频电流提供给第一/中心射频线圈和第二/边缘射频线圈，同时在相反方向上(相对于提供给第一/中心射频线圈和第二/边缘射频线圈的电流的方向)将射频电流提供给第三/中部射频线圈。