公开(公告)号：CN115812111A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202280005425.4

申请日：2022-03-07

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿南德·查德拉什卡 ,  郭磊 ,  刘刚 ,  桑杰·戈皮纳特

IPC: C23C16/02

Abstract: 在特征填充期间减少线弯曲的方法包括沉积具有增加的粗糙度的成核层。在一些实施方案中，所述方法包括沉积两个或更多个金属成核层。

公开(公告)号：CN114600233A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202080073650.2

申请日：2020-08-18

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿南德·查德拉什卡 ,  郭磊 ,  杨宗翰

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06 ,  C23C16/52

Abstract: 在特征填充期间减轻线弯曲的方法包括在填充期间沉积非晶层和/或抑制处理。